光电器件技术智慧树知到期末考试答案章节答案2024年苏州大学

光电器件技术智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年苏州大学在扩散工艺中检验扩散层质量的三种方法是（）。

答案:杂质分布测量###薄层电阻测量###结深测量在所有集成电路技术中，CMOS技术的功耗最低，所以它对ULSI电路十分有吸引力。（）

答案:对在集成电路制备工艺中，刻蚀技术是通过物理或化学方法从硅表面去除不需要的材料的过程，以下说法错误的是（）。

答案:各向同性是指在同一个方向上的刻蚀不属于化学气相沉积（CVD）技术实现金属化优点的是（）。

答案:全局平面化分子束外延技术可以制备单层的薄层。（）

答案:对为了提高抗辐射能力，在太阳能电池中加入锂，通过与辐射引起的点缺陷相结合来中和缺陷，从而防止电池寿命退化。（）

答案:对雪崩式光电二极管的噪声来源是倍增过程中碰撞电离的不确定性。（）

答案:对下列关于图像传感器CCD与CMOS的说法，错误的是（）。

答案:在噪声方面：CCD是单一放大，噪声较高；CMOS每个像素内都有一个放大器，噪声较低对于一个理想的光电探测器，其在波长620nm处的响应度为（）。

答案:0.5A/W异质结太阳能电池相比于传统的太阳能电池的优势在于（）。

答案:耐辐射性强###串联电阻更低###短波长光谱响应强荧光发射有机发光二极管的理论最大内量子效率为（）。

答案:25%量子点发光二极管的缺点是饱和度较低的红色发射。（）

答案:错发光二极管的光谱宽度要比激光二极管的光谱宽度更窄。（）

答案:错有机发光二极管的主要优点有（）。

答案:低成本###易与无机半导体集成下列哪个参数不决定发光二极管的外量子效率（EQE）（）。

答案:开启电压不涉及化学杂质或物理缺陷的跃迁类型有（）。

答案:本征跃迁涉及热载流子的带内跃迁也称为俄歇过程。（）

答案:对属于电致发光激发方式的有（）。

答案:隧穿###雪崩###本征###注入人眼对蓝色光的敏感程度最高。（）

答案:错下列发光方式中不属于按输入能量源分类的是（）。

答案:阳极发光蓝色LED的发明获得2014年诺贝尔物理学奖。（）

答案:对下列光电器件中，基于辐射复合原理的是（）。

答案:LED激光二极管的基本原理是受激发射。（）

答案:对下列应用场景中可能用到发光二极管的有（）。

答案:交通指示灯###家用光纤###手机显示屏下列光电器件中，基于光电效应原理的是（）。

答案:光电二极管可以提高高光子能量下光谱响应的太阳能电池是紫光太阳能电池。（）

答案:对电致发光激发方式中的隧穿激发必须在大偏压下才可能发生。（）

答案:对半导体可以吸收光子能量小于带隙的光。（）

答案:错晶体外延时，掺杂剂的过饱和可能导致外延层产生沉淀。（）

答案:对增大LED出光面的表面粗糙度能够减少全内反射损耗。（）

答案:对湿法化学刻蚀具有选择刻蚀性以及各向异性好的优点。（）

答案:错为了降低金属-半导体-金属光电探测器的暗电流，可以在金属和半导体之间引入宽带隙势垒增强层。（）

答案:对PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。（）

答案:错发光二极管中光子与电子的作用过程是吸收。（）

答案:错孪晶属于晶体缺陷中的线缺陷。（）

答案:错按照像素的排列方式，CCD又可以分为线阵CCD和面阵CCD。（）

答案:对激光二极管中的光腔能起到频率选择的目的。（）

答案:对对于n型GaAs量子阱近红外光电探测器来说，其缺点是不能探测垂直入射光。（）

答案:对通过电场和电流使材料发光的方式称为电致发光。（）

答案:对虽然硅是直接带隙半导体材料，但不能用来制备无机LED。（）

答案:错LED中的电致发光激发方式是本征激发。（）

答案:错光电二极管的增益可以大于1。（）

答案:错在热力学平衡状态时，大部分电子处于高能态。（）

答案:错埋沟道CCD使积累的光生电荷远离表面，因此降低了表面复合，具有更高的转移效率和暗电流。（）

答案:对光学光刻中投影曝光的分辨率取决于（）。

答案:曝光波长###工艺依赖因子###数值孔径激光二极管的主要性能参数有（）。

答案:线宽###输出功率###阈值电流相比于电荷耦合器件，CMOS的优点有哪些（）。

答案:信噪比更大###成本更低###功耗低###响应速度快光刻时，曝光工具的性能取决于（）。

答案:分辨率###套准精度###产率在量子阱近红外探测器中，束缚态-连续态跃迁的优点有（）。

答案:暗电流更低###探测能力更强###工作电压更低###响应波长更宽LED可应用于（）。

答案:照明###光纤通讯###显示属于金属化工艺中化学机械抛光的特点的是（）。

答案:降低缺陷密度###存在过度抛光问题###允许全局平面化反应离子刻蚀的优点是（）。

答案:各向异性好###刻蚀损伤低###刻蚀速率快湿法化学刻蚀中三个基本步骤是（）。

答案:反应物扩散至反应物表面###生成物通过扩散移除###发生化学反应下列属于光子与电子的作用过程的是（）。

答案:自发发射###受激发射###吸收集成电路的优势有（）。

答案:降低互连寄生效应###充分利用半导体晶圆上的空间###大幅度降低生产成本OLED的器件结构有（）。

答案:单层###单异质结###双异质结激光器的退化机理有（）。

答案:暗线缺陷形成###灾难性退化###缓慢退化因发明了CCD图像传感器而在2009年获得诺贝尔物理学奖的科学家是（）。

答案:克勒默###阿尔费罗夫基于光电效应或光伏原理的光电器件有（）。

答案:光电倍增管###光晶体管属于闪锌矿结构的半导体材料是（）。

答案:GaAs不属于半导体氧化方法的是（）。

答案:物理气相沉积对于两个带隙半导体串联的叠层太阳能电池中，其理想效率最大为（）。

答案:50%在LED的发展史中，最早制备成功的是（）。

答案:近红外LED下列物质可以用作液态源扩散的是（）。

答案:溴化硼太阳能电池的温度效应中，能量转换效率随着温度的升高而（）。

答案:降低在COMS图像传感器的三种类型中，最常用的装置为（）。

答案:有源像素传感器为了减少LED中材料吸收的损耗，我们可以（）。

答案:将结放置在更靠近发射表面的位置1839年，在电极和电解液之间发现了光伏效应的是（）。

答案:Becquerel硅浮区工艺的优点有（）。

答案:获得较低载流子浓度的硅晶体不