2018年射频开关和LNA技术升级及产业化项目可行性研究报告

2018年射频开关和LNA技术升级及产业化项目可行性研究报告2018年9月目录TOC\o"1-5"\h\z\u一、项目概况 3二、项目必要性分析 31、更新现有产品线，满足通讯技术的发展对射频器件的要求 32、应用新材料，进一步改善现有产品性能 43、缩短研发周期，适应消费电子产品高速换代更替的需要 4三、项目前景及可行性分析 51、射频开关及射频低噪声放大器需求持续增长，本项目具有广阔的市场前景 52、公司在射频开关及射频低噪声放大器领域具备领先的技术能力和丰富的研发经验 63、稳定的上游供应链和下游客户需求为项目的顺利实施创造条件 6四、项目投资概算 7五、项目建设内容 81、项目建设内容概述 82、本项目产品开发的具体内容 83、产品开发规划 9六、项目实施进度 10七、项目环保情况 10

一、项目概况本项目将针对公司现有的射频开关和射频低噪声放大器系列产品进行技术升级和产业化，通过工艺改进和新材料应用，提升上述产品的性能和可靠性，并开发满足5G通信高频需求的射频开关和射频低噪声放大器产品。该项目的产品将主要应用于移动智能终端设备。二、项目必要性分析1、更新现有产品线，满足通讯技术的发展对射频器件的要求5G通信及物联网的发展为射频器件行业带来新的增长机遇，同时也为射频器件设计企业提出新的挑战：射频前端器件需要支持的频段数量大幅增加；高频段信号处理难度增加，系统对射频器件的性能要求大幅提高；载波聚合及MIMO技术应用逐步普及要求各射频器件进行相应的技术更新。通过本次项目实施，公司将对现有射频低噪声放大器、射频开关产品的性能进行改善，以不断满足新的市场需求：提升通用开关性能，以满足不同信号制式的需要；针对5G通信的高频需求，开发应用在毫米波频率的射频开关、射频低噪声放大器、多天线的射频开关模块；配合载波聚合以及MIMO的应用需求，开发新型载波聚合开关和多通道多模式LNA。上述技术改进和产品更新将进一步丰富公司射频开关和射频低噪声放大器产品线，扩大产品应用范围，使公司在技术演进和需求变动中保持市场领先地位。2、应用新材料，进一步改善现有产品性能目前硅单晶材料是制作普通集成电路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很难适用于高频/高压/高功率应用。而砷化镓（GaAs）和锗硅因天然具备禁带宽度宽、截止频率高、功率密度大等特点，可更好满足射频器件的性能需求，其在射频领域的应用规模和应用范围不断扩大。通过本次募投项目建设，公司将投入研发采用砷化镓和锗硅工艺的高性能射频低噪声放大器，以积极应对生产材料及工艺革新的趋势，更好地满足客户对于射频开关及射频低噪声放大器产品的性能需求。3、缩短研发周期，适应消费电子产品高速换代更替的需要目前公司射频开关和射频低噪声放大器产品销量逐年递增，公司产品线业务成熟，上游供应渠道和下游客户关系都比较稳定，拥有良好的市场环境和产品技术条件。但是考虑到消费电子产品市场的特殊性，下游终端产品市场的变化对射频器件的性能要求和销量需求影响较大，产品技术升级速度快是射频器件行业的典型特点。因此公司需要通过持续的升级研发保证产品技术性能满足市场快速变化的需求，从而保持产品生命的延续，进而确保公司收入的稳定增长。三、项目前景及可行性分析1、射频开关及射频低噪声放大器需求持续增长，本项目具有广阔的市场前景目前公司的射频开关及射频低噪声放大器产品主要应用于智能手机、平板电脑等移动智能终端，由于手机等移动电子设备从功能机到智能机的转变、移动通讯技术的变革，手机需要支持更多频段的射频信号，因此单部手机所需射频开关及射频低噪声放大器的数量不断增加；智能手机金属外壳的使用一定程度上会造成对射频信号的屏蔽，天线接收的信号强度被减弱后，需要天线调谐开关提高天线对不同频段信号的接收能力，同时需通过射频低噪声放大器进行信号放大以便后续处理。上述因素推动射频开关及射频低噪声放大器的市场需求持续增长。根据QYRElectronicsResearchCenter的统计，2010-2017年，全球射频开关市场规模从5.59亿美元增长至14.47亿美元，年均复合增长率14.55%，预计至2020年，市场规模将达19.01亿元；射频低噪声放大器市场规模从8.39亿美元增长至13.41亿美元，年均复合增长率6.93%，预计至2020年，市场规模将达14.91亿元。射频开关、射频低噪声放大器市场的增长前景为本项目预期收益的实现提供了良好的市场环境。2、公司在射频开关及射频低噪声放大器领域具备领先的技术能力和丰富的研发经验公司长期致力于射频开关、射频低噪声放大器等射频器件的芯片设计和产品销售，在相关产品的技术研发领域处于国内领先地位。公司是业界率先基于RFCMOS工艺实现了射频低噪声放大器产品化的企业之一；发明了拼版式集成射频开关的方法，并申请了发明专利；是国际上先行推出集成射频低噪声放大器和开关的单芯片产品的企业之一。公司已建立起成熟的射频开关及射频低噪声放大器产品研发团队。以公司创始人为核心的技术团队均于国内外一流大学或研究所取得博士或硕士学位，并曾供职国内外知名的芯片设计厂商，具备优秀的技术能力和丰富的产品开发经验。因此，公司在射频开关和射频低噪声放大器领域已具备丰富的技术储备，本项目拟在现有产品的基础上进行技术升级和新产品开发，具备较强的技术可实现性。3、稳定的上游供应链和下游客户需求为项目的顺利实施创造条件公司通过多年行业深耕，与晶圆制造商、芯片封测厂商等外协厂商形成了稳定的合作机制，建立了稳固、良好的合作关系。本项目主要基于已有射频开关、射频低噪声放大器产品进行技术升级，公司可通过与现有外协厂商的合作实现对新产品的稳定供应，以及时满足下游客户的产品需求。公司依靠研发优势和质量优势，在射频开关和射频低噪声放大器领域取得领先市场地位，积累了丰富的客户资源。2017年度，公司射频开关和射频低噪声放大器产品的出货量分别为137,347.52万颗、42,716.29万颗，较上年度分别增长137.64%、38.65%。公司于2012年成为三星合格供应商，目前公司射频前端芯片产品应用于三星、小米、华为、联想、魅族、TCL等终端厂商的产品。本项目所开发产品与公司既有产品具有较强的关联性，公司现有直销客户资源和经销商渠道为新产品的销售提供了充分保障。四、项目投资概算本项目总投资16,864.87万元，具体投资构成如下表所示：本项目购置的自用设备主要包括信号发生器、频谱仪、网络分析仪、逻辑分析仪、示波器、阻抗分析仪等，具体情况如下表所示：五、项目建设内容1、项目建设内容概述本项目的建设共分成两期进行，第一期为项目建设前两年，针对公司现有的射频开关和射频低噪声放大器系列产品进行技术升级和产业化，结合市场和目标客户需求，采用新工艺、新材料，进行高性能通用开关、多载波聚合开关、高性能天线调谐开关、锗硅及砷化镓高性能LNA等产品的开发、测试和生产。第二期为项目建设第三、四年，立足于5G时代通信终端射频芯片技术发展的需要，进行新型载波聚合开关、多通道多模式LNA、RFMEMS天线调谐开关产品的设计与研发，布局未来通信市场，满足客户对定制化、集成化、高性能、高复杂度射频器件的需求。2、本项目产品开发的具体内容本项目拟开发四种射频开关产品、两种射频低噪声放大器产品。其中，两种开关产品为基于公司现有产品的技术升级，其技术改进方向如下：其他四种产品为新开发射频开关/射频低噪声放大器产品，具体情况如下：3、产品开发规划本项目的产品开发规划如下：第一阶段，新工艺的评估：基于新工艺的新设计原型仿真。第二阶段，完整电路仿真：对设计进行细化，完成整体电路原理图设计与仿真。第三阶段，根据第二阶段的原理图，完成版图设计和设计后仿真和封装设计。第四阶段，工程样品流片和制作：投片到晶圆制造商和芯片封测厂商，完成样品制作。第五阶段，工程样品测试：对样品进行不同温度，电压，功率等条件下的规格书测试。第六阶段，产品定型流片和制作：基于上述测试结果，对电路设计进行局部优化并投片制作。第七阶段，定型产品验证：针对定型产品进行规格书测试，重复性和可靠性测试，确保产品品质。第八阶段，量产导入：针对定型产品开发相应的测试硬件和程序，完成封装可靠性验证，投入批量试产。六、项目实施进度本项目建设工期为4年，共分成两期进行，第一期为项目建设前两年，主要对现有射