版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
从微电子器件到纳电子器件工业革命以来已经历了三次主导技术,引发了三次工业革命什么是主导技术?
科学革命技术革命产业革命第一次产业革命(1734-1834)
主导技术:蒸汽机动力变革,热能、机械能
科学基础:牛顿力学、热力学、
能量转化原理
第二次产业革命(1835-1914)
科学基础:电的发现、电磁理论
主导技术:电气化技术(发电机和电动
机、电力传输、无线电通讯)第三次产业革命(1945-2010?)
科学基础:X射线的发现
放射线的发现半导体的发现
主导技术:微米技术微电子技术
三次产业革命的启示:1.每一次产业革命造就了一、二个先进国家;2.主导技术经历了孕育期
生长期、高速发展期、稳定期,主导技术周期约50-60年;3.主导技术的稳定期开始蕴酿下一个主导技术;4.主导技术带动产业革命,先从传统产业开始,逐渐形成新的产业群。节省能源利用资源优化环境新工业革命存储密度:1061011=10万个磁盘
读写速度:1GB20GB纳米技术—新工业革命的主导技术20世纪高集成、高空间分辨率,存储密度:1000GB计算速度提高100~1000倍、功率增加1000倍,能耗降低一百万倍,芯片尺寸降低100~1000倍纳米技术21世纪纳米技术是21世纪科技发展的制高点,是新工业革命的主导技术。纳米技术医疗药物环境能源宇航交通生物农业电子器件计算机国家安全新材料制造传统产业
推动GDP快速增长
对关键问题的影响力
信息技术知识爆炸时代
纳米科技技术爆炸时代纳米科学的内涵基础纳米材料制高点纳米电子学纳米加工纳米生物基础纳米物理纳米化学纳米力学在纳米科技中,纳米电子学处于特殊重要的地位,因为纳米电子学是微电子学发展的下一代。电子器件的发展与三代电子器件1897年Thomson发现电子后,在物理学上做了两件重要的事:控制电子在真空中和固体中(固体中电子达1022/cm)的运动状态,产生了电子器件。电子器件的发展已经历了两个时期,真空电子管和固体晶体管。
电子器件主要用于处理光、电信号
光、电信号的主要参量是振幅、频率和相位信号加工就是按信号的内容来改变这些参量,包括信号的放大、变频、叠加、数学运算、逻辑运算和存储等信号加工中最基本的是放大,即用小信号控制生成对应的大信号,最关键的元件是放大三极管
1.真空电子管:1906年发明,它是将电子引入真空环境中,用加在珊极上的电压改变发射电子阴极表面附近的电场,来控制达到阳极电流的大小,从而实现信号放大作用。有真空二极管和真空三极管,其尺寸在几厘米到几百厘米。2.晶体管:1947年诞生,电子器件发展经历了第一次变革。晶体管基本单元为p-n(整流特性)结和p-n-p
结(信号放大),相应的有晶体二极管和晶体三极管。晶体管的体积小(由厘米降到微米),功耗小(从毫安降到微安),制成大(超大)规模集成电路,称为微电子器件。4004808080868008Pentium486™DX386™Processor286PentiumIIPentiumIIIItanium®Goal:Over1billiontransistorsby2005Pentium4Itanium®2微电子器件发展的摩尔(moore)定律-----芯片上晶体管数量每隔18个月将会增加一倍。Moore’sSecondLawPlantcostMaskcostgenerationX1000$微光刻与微纳技术历程和发展趋势1968197119741977198019831986
198919921995199820012004200720102013201616K1M16M1G16G光刻工艺特征尺寸芯片集成度8.0um5.0um3.0um2.0um1.3um0.8um0.5um0.35um0.25um0.18um0.13um90nm65nm45nm32nm22nm1986年最细线宽0.5um◆1995年最细线宽0.18um2004年最细线宽22~50nm1980年最细线宽1.0um◆3〞4〞6〞12〞8〞4〞3〞8〞一台JBX3040电子束光掩模制造系统2000万美圆相当一架波音737建设一家45nm技术节点、12英寸集成电路制造厂30-35亿美圆一套180nm工艺节点掩模版25万美圆一套130nm工艺节点掩模版85万美圆一套90nm工艺节点掩模版150万美圆一套65nm工艺节点掩模版300万美圆一套45nm工艺节点掩模版500万美圆一套22nm工艺节点掩模版1500万美圆
芯片中三极管的价格随时间的降低$1000$1000$1000$1000ChipPrice8088286486奔4$CMOS器件的若干挑战性问题Si-MOSFET极限GateLength<10nm电子隧穿引起误差线路电容的延迟热积累引起性能恶化热和量子涨落误差
纳米器件的集成和与微电子系统的联结介质层中高电场强度,可靠性问题
按摩尔定律,以硅材料为主的微电子到2011年的最小尺寸,将达到物理极限,进入纳电子器件时期,面临电子器件发展的第二次变革。20202020年NANOELECTRONICS
atthecentreofchangeProphecies,ARiskyEndeavorIthinkthereisaworldmarketformaybefivecomputers. ---T.J.Watson640Koughttobeenoughforeverybody. ---BillGatesThereisnoreasonanyonewouldwantacomputerintheirhome. ---KenOlsonThereisnottheslightestindicationthatnuclearenergywilleverbeobtainable. ---AlbertEinstein纳米电子学,又叫纳电子学(nanoelectronics)研究对象是纳米尺度信号处理时间是纳秒信号功率是纳焦纳米尺寸、纳秒时间和纳焦能量现象超出了现有科学体系,构成了严重挑战纳电子器件真空电子器件和微电子器件的共同点都是强调电子的粒子性,即都是通过控制数以千计的成群电子的集体运动状态的,来实现特定的功能。当电路的集成度达到1012bit/cm2
时,每个元件的尺寸小于10nm,会受到两个主要限制:量子效应和波动性
电子的自由程与物理长度相比拟。当电子作为信号在器件中传输时,不仅具有振幅信息,还保留相位信息电子自由程与器件的物理长度相比拟
电子
s
d
g01电子开关一次只要几个电子
功耗:若功耗小于3W/in2,每开关一次的电子数必须少于10个,逼近了单电子行为,具有更显著的量子效应
叠加性
(superposition)
相干性
(interference)
牵连性
(entanglement):一个系统的某个定义态与它的部分态的牵扯
不确定性
(uncertainty):即使没有干扰,也不能准确知道一个量子态是否被占据纳电子器件的元件尺寸的与物理长度相比拟,失去了统计平均性,以量子效应和统计涨落为主要特性,与信息加工有关的量子系统主要有以下几个基本特性:纳电子器件的主要特征纳电子器件中的四个基本现象
电导量子化:即电导或电阻是量子化的,不再遵循欧姆定律VG电导量子化
库仑堵塞现象:导体中纳米隙小于电子自由程时,会发生电子隧穿,而隧穿前后隙两侧的电位发生变化。
U
I库仑堵塞
普适电导涨落:在电导与电压关系测量中,发现存在与时间无关的非周期涨落,但它不是热噪声引起的,而是样品固有的,每一特定的用品有自身特有的涨落图。
量子相干效应(quantum
interferenceeffect):由于在纳米尺寸中,载流子不仅具有振幅信息,而且还保持信号相位,所以具有相干性。如A-B效应,即弹性散射不破坏电子相干性;量子霍尔效应;海森堡不确定效应等。材料工艺理论微电子器件高纯硅、锗、砷化镓光刻、掺杂、外延技术半导体物理纳电子器件无机/有机复合材料?分子尺度上的自组装和剪裁技术纳米电子学微电子和纳米电子器件的比较pnpecbmsgdnm微电子和纳电子三级管的结构示意图和符号未来的三种计算机1946年摩尔电子工程学院制造的第一台计算机1947年美国制造的实用计算机:30t,174kW,170m2FirstPersonalComputer计算机小型化Brain:Bottom-up(self-assemblybased)1.3kg10W>100teraflopsNECSupercomputer:Top-downtechnologyTons>500kW40teraflops1.量子计算机经典计算机:二进制位存储:非0即1<->开或关经典输入信号串行处理经典输出信号量子计算机:实现量子计算的装置,它是建立在量子力学的原理上工作的。利用量子位(qubits)存储信息,用量子态表示0和1(自旋向上或向下)。量子存储器可以不同的概率同时存储0或1,量子位可以是0和1的叠加。量子叠加态输入信息并行运算量子叠加态输出信息量子计算机的优点:(1)计算速度快:计算速度可提高10亿倍,1个400位长的数分解成质数乘积,采用巨型机需10亿年,用量子计算机只要一年;(2)量子位储存能力大大提高;(3)可完成一些传统计算机无法完成的计算。高效率模拟、模拟量子系统,40个自旋1/2粒子体系;(4)低能耗:量子计算机计算是么正变换,是可逆的。
量子计算机存在的问题受环境影响大,纠错复杂
消相干效应:量子信号与外部环境发生相互作用,导致量子相关性的衰减,使相干性很难维持。克服消相干效应是量子计算机要克服的主要困难。消相干还会导致运算结果出错,如何进行量子纠错是量子计算机要克服的另一困难。2.DNA生物计算机:DNA分子上包含大量的遗传密码,它能通过生化反应来传递信息,这些密码可以被看成是数据。DNA计算机是通过控制DNA分子之间的生化反应来完成计算,反应前的基因代码可作为输入数据,反应后的基因代码可作为运算结果,反应在瞬间完成,也意味着计算可以在瞬间完成。3.光子计算机:传统的计算机是利用电流来进行计算,而光子计算机是用光束来进行计算和存储,不同波长的光就代表不同的数据。其优点是信息处理速度快,光子不需要在导线中传播,只要不满足干涉条件,即使光线相交,也不会相互影响,因此能够大大缩小信息通道的空间。迎接碳时代名称时期/年石器时代30000铜器时代3200铁器时代1700硅时代40碳时代?作为微电子的下一代,纳电子器件有自己的理论、技术和材料。微电子的主要材料是硅,下一代电子器件的材料是什么?碳可能是21世纪的时代材料。C脚手架C60晶体管纳米变阻箱石墨烯石墨烯是2004年由曼彻斯特大学的科斯提亚•诺沃谢夫和安德烈•盖姆小组首先发现的。它是一种从石墨材料中剥离出的单层碳原子面材料,是碳的二维结构。它的厚度只有0.335nm,把20万片薄膜叠加到一起,也只有一根头发丝厚。石墨烯具有原子级的厚度、优异的电学性能、出色的化学稳定性和热力学稳定性:●石墨烯是世界上已知的最为牢固的材料,若用石墨烯制成包装袋,它将能承受大约两吨重的物品。●石墨烯还是目前已知的导电性能最出色的材料(电子通过率几乎达到100%),极有可能取代硅而成为未来的半导体材料WhatmakesCNT’sgood?EasilywithstandhighcurrentdensitiesofbillionA/cm2MadetobeconductorsorsemiconductorsCircumferenceisinverselyproportionaltothebandgapNocleanroomrequiredtomakethemNanoscalediameterStrengthHowtomakemetallicandsemiconducting
CNTsSaturationpointafterabout1.5or1.6degrees/section(4,0)碳管垂直生长在(11,11)碳管上组成的纳电子三极管f=0.33nmf=1nm门电极源极漏极
2001年7月6日出版的美国《科学》周刊报道,荷兰研究人员制造出的这种晶体管是首个能在室温下有效工作的单电子纳米碳管晶体管。他们使用一个单独的纳米碳管为原材料,利用原子作用力显微镜的尖端在碳管里制造带扣状的锐利弯曲,这些带扣的作用如同屏障,它只允许单独的电子在一定电压下通过。
用此方法制造的纳米碳管单电子晶体管只有1纳米宽、20纳米长,整体不足人的头发丝直径的500分一。
纳米碳管晶体管——只需一个电子就可实现开关状态
NanotransistorsfromCNTs●
纳米碳管的细尖极易发射电子,用于做电子枪和显示器单个碳纳米管的场发射碳纳米管FET显示Field-effecttransistorbasedonasingle1.6nmdiametercarbonnanotubeCarbonNanotubeEmission
Emittersgenerateelectronswhenasmallvoltageisappliedtobothrow(baselayer)andcolumn(toplayer).
用纳米碳管制成的的场发射显示面板Adisplaypanelonly
2.4nm
thick单根纳米线电驱动激光器
(Single-nanowireElectricallyDrivenLasers)Whenthecurrentisbigenoug
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 2024年广州移动外呼外包项目框架合同
- 个人信用贷款抵押合同
- 小产权二手房购房合同样本
- 户外广告牌制作施工合同
- 29基于AI智能的目标导向评改【基于智能测评的中小学学科作文教学】PDF版论文集
- 16《驱遣我们的想象》 公开课一等奖创新教学设计(表格式)
- 统编版语文三年级上册第五单元习作例文 公开课一等奖创新教学设计
- 《电厂热经济指标》课件
- 牛皮癣患者的护理
- 年产xx玻璃纤维套管项目建议书
- 自动化系统现场运行管理规定
- 欧盟最新农残标准
- 现代小说选读:鲁迅《风波》.ppt
- 河大版信息技术小学四年级上册教案全册
- 空调管道施工方案-
- 药学科研选题及实践经验PPT课件
- 随访平台解决方案.docx
- 康复科常见病的康复流程
- 信息数据查询审批表
- 二层式升降横移自动立体车库结构设计(机械CAD图纸)
- 关于爱好的中考作文800字5篇
评论
0/150
提交评论