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文档简介

电性能参数对于运营现场人员来说,就如同人们到医院体检的检查结果一样,可以反映出制程过程中的各种问题,通过各种参数的对比分析、跟踪,来判断问题是否得到真正解决,今天"光伏技术”将介绍电性能异常分析方法,期待与您共同进步。1.电性能偏低原因分析1.1开路电压UOC偏低a.烧结烧穿;b.未扩散片;c.湿刻放反片;d.PE放反片;e.来料“黑心片”;f.污染片(工序卫生没搞好);g.合金不共融片;h.来料氧含量超标;i.微晶片。1.2短路电流ISC偏低a.烧结没烧透(接触电阻大);b.烧结烧穿;c.未扩散片;d.来料“黑心片”;e.PE放反片;f.背面绒面抛光效果差;g.正面绒面效果不理想;h.扩散方阻小;i.来料氧含量超标;j.丝印效果差(高宽比异常、断栅多、虚印严重);k.湿刻放反片;l.微晶片。1.3串联电阻RS偏大a.烧结没烧透;b.扩散方阻偏大;c.湿刻放反片;d.湿刻方阻上升过大;e.死层去除不够干净;f.测试探针接触不良;g.浆料过于干燥;h.丝印效果差(高宽比异常、栅线粗细不均、虚印严重);i.微晶片。1.4并联电阻Rsh偏小a.烧结烧穿;b.漏浆;c.湿刻边缘没完全干净;d.扩散污染;e.来料污染;f.湿刻过刻;g.PE放反片;h.微晶片。1.5暗电流Irev偏大a.烧结烧穿;b.漏浆;c.扩散污染;d.来料污染;e.湿刻边缘没完全干净;f.湿刻放反片;g.PE放反片;h.丝印返工片;i.湿刻过刻;j.微晶片。2.异常原因分析2.1烧结烧穿测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;2.2PE放反片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;2.3来料“黑心片”测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;2.4扩散污染片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;2.5正银浆料污染片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:四探针测试仪和EL-C。c.分析判断方法:1.首先用四探针测试电池片背面没有印上浆料的地方,看其方阻是否正常,当方阻在50左右时,可以判断为PE放反;2.如果方阻正常,则用EL进行正偏和反偏测试,根据图案形状来做判断,如果图像是以电池片中心,出现椭圆或近圆状暗色图形的,一般可判为来料“黑心”片;3.如果显示暗色的出现在印刷栅线重合地方,可认为是烧结烧穿或者是正银浆料污染;4.如果出现杂乱的,或者出现点状暗淡的图形或者在晶界边缘,一般可认为是扩散污染片。2.6

未扩散片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低;2.7氧含量超标测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用EL-C;c.分析判断方法:1.直接用EL-C测试电池片,如果正反偏图象显示为全黑的,可认为是未扩散片;2.如果图象均匀跟正常片没什么区别,只是颜色偏淡,一般认为是光谱响应不够,也可以用D8仪来测试其反射率;3.对于氧含量超标用专门检测设备来判定,不过由于缺乏设备,我们可以按上面的顺序来排查确定;2.8湿刻放反片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大、暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用EL-C;c.分析判断方法:用EL-C正偏测试,如果图象显示的是中间偏暗,而片子四周显示的偏亮,反片图象均匀,偏暗;(这是因为放反的片子四周有PN结,而中间没有)所以可判定为放反片;2.9合金不共融片测试指标表现为:开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用EL-C;c.分析判断方法:使用破坏测试,先沿着栅线处断开,然后用EL-C测试栅线与氮化硅膜接触面,利用图象来分析判断,如果栅线内部结合不紧凑有空洞,接触面能明显分离,没有紧密接触,可认为是烧结不透;2.10微晶片测试指标表现为:开路电压偏低;串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:WT-2000、EL-C;c.分析判断方法:用EL-C测试电池片,其图像一般都是在某个局部有一块地方出现偏暗的,(跟漏电图像大体相似)但仔细观察,里面分布不一样,如果是微晶片,其图像四周有一部分出现密集的星点分布状,而偏暗内部就几乎不出现星点出现。(漏电的则有稀疏的星点);2.11背面绒面抛光效果差测试指标表现为:短路电流偏低;2.12正面绒面效果不理想测试指标表现为:短路电流偏低;2.13扩散方阻小测试指标表现为:短路电流偏低;2.14丝印效果差(高宽比异常、栅线粗细不均、虚印严重)测试指标表现为:短路电流偏低;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用EL-Cc.分析判断方法:用EL-C进行测试,可以根据图像来判定其类型,如果背面图像的绒面刻粒过大可划为抛光效果差;如果正面图像的绒面大小,均匀性等不在我们工艺控制要求内的可作为效果不理想;如果看栅线图像可以判断印刷质量,就可以判断其丝印效果;对于方阻小的就要进行破坏测试,先去除氮化硅膜,然后测试方阻来确定;2.15湿刻过刻测试指标表现为:短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用EL-C;c.分析判断方法:用EL-C测试电池片,其正偏图像刚好跟放反片相反,中间偏亮,而四周偏暗(一般偏暗距离边缘的尺寸大于2mm);2.16死层去除不干净测试指标表现为:串联电阻偏大、短路电流偏低;2.17测试探针接触不良测试指标表现为:串联电阻偏大;短路电流偏低;2.18浆料过于干燥测试指标表现为:串联电阻偏大;短路电流偏低;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:其他设备(暂时没有)c.分析判断方法:根据我们工艺参数来测算我们的网版设计,和现场检查操作控制有无异常来做判断;2.19漏浆测试指标表现为:并联电阻偏小、暗电流偏大;2.20湿刻边缘没完全干净测试指标表现为:并联电阻偏小、暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变化相对小,异常是指指标变化相对大。b.使用检测设备:用冷热探针或者万用表c.分析判断方法:先观察片子四周有无明显的漏浆现象,二是用冷热探针或者万用表来测试片子四周边缘,看其是否有异常来判断;2.21丝印返工片测试指标表现为:暗电流偏大;a.备注说明:正常是指指标变

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