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文档简介

项目三芯片流片过程工艺3.5金属化与平坦化微电子技术与器件制造主讲人：秦英杰3.5金属化与平坦化引言

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INTRODUCTION让同学们认识金属化就是在组件制作完成的器件表面淀积金属薄膜，金属线在IC中传导信号，介质层则保证信号不受临近金属线的影响。平坦化就是将wafer表面起伏不平的介电层加以平坦的工艺。PART01

金属化PART02平坦化目录3.5金属化与平坦化3.5金属化与平坦化知识目标了解金属化3.5.1金属化3.5.1金属化

集成电路的各个组件制作完成后，需要按照设计要求将这些组件进行相应的连接以形成一个完整的电路系统，并提供与外电路相连接的接点，完成此项任务的就是金属布线。

金属化就是在组件制作完成的器件表面淀积金属薄膜，金属线在IC中传导信号，介质层则保证信号不受临近金属线的影响。3.5.1金属化3.5.1金属化3.5.1金属化3.5.1金属化3.5.1金属化最早用于集成电路制造的金属就是铝，室温下，铝的电阻率比铜、金、银的电阻率稍高，但是由于铜和银比较容易腐蚀，在硅和二氧化硅中的扩散率太高，这些都不利于它们用于集成电路的制造；另外，金和银的成本比铝高，而且与二氧化硅的粘附性不好，所以，也不常用。铝则能很容易的淀积在wafer上，而且刻蚀时分辨率较高，所以，铝作为首选金属用于金属化。

对于多层电极系统，由于铜具有更低的电阻率，已在逐步取代铝成为主要的互连金属材料。3.5.1金属化

多层金属布线使得金属化系统中出现很多通孔，为了保证两层金属间形成电通路，这些通孔需要用金属塞来填充。用于制作栓塞的材料有很多种，但实用性较高，且已被集成电路制造广泛应用的是钨塞和铝塞。金属填充塞3.5.1金属化3.5.1金属化知识总结金属化的作用以及金属填充塞3.5金属化与平坦化知识目标了解平坦化3.5.2平坦化3.5.2平坦化

平坦化就是将wafer表面起伏不平的介电层加以平坦的工艺。经过平坦化处理的介电层，没有高低落差，在制作金属线时很容易进行，而且光刻出的连线图形比较精确。3.5.2平坦化传统的平坦化技术分为三种

一、反刻

二、玻璃回流

三、旋涂膜层。3.5.2平坦化1.反刻3.5.2平坦化2.玻璃回流3.5.2平坦化3.旋涂膜层3.5.2平坦化化学机械平坦化（CMP）CMP是利用wafer和抛光头之间的运动来平坦化的。抛光头与wafer之间有磨料，利用加压使得磨料与wafer表面相互作用达到平坦化的效果。CMP的抛光精度比较高，是目前使用最广泛的平坦化技术。

传统的平坦化方法都只是局部化的平坦，如果是整个平面的介电层平坦则通常采用化学机械抛光法来完成。3.5.2平坦化3.5.2平坦化7.化学机械平坦化的特点3.5.1金属化知识总结

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