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文档简介

本征半导体的能隙Nipi结构产生空间间接跃迁,能隙远小于本征半导体的能隙.极值点附近的势能为抛物带（谐振子）,因此不论是电子还是空穴的能级都是等间隔的.另外，由于n层和p层之间夹着本征半导体i层，因而电子和空穴的空间重叠程度小，载流子的寿命长,这就使得Nipi结构制作的光电探测仪反应较慢.△

MQW势垒足够厚,相邻势阱中的波函数不发生叠加.SL势垒比较薄,相邻势阱中的波函数发生叠加.●多量子阱MQW与超晶格SL△分类Ⅰ型:电子和空穴在同一种材料中量子化；

Ⅱ型:电子和空穴在不同种材料中量子化；

Ⅲ型:其中一种材料为半金属.△制作Ⅰ和Ⅱ两种材料晶格常数相近,但禁带不同.Ⅲ-Ⅴ化合物GaAs/

(对任何y,

两者都具有相同的晶格常数).当y=0.5,GaAs与都是直隙材料.GaAs/可制作Ⅱ型SL.（在InP上生长）:

能隙间跃迁对应的光波长

适用于玻璃光纤中长距离信号传输.△制作应变层SL.为了避免产生位错,势阱和势垒都不能做的很厚.

超晶格折叠的直隙能带结构可以取代间隙的能带结构.用于有效的光发射材料.调制掺杂MQW与超晶格SL仅由一种半导体组成,n与p掺杂层由本征半导体层隔开.因为所以空间产生施主阳离子层和受主阴离子层.求解满足泊松方程的电子

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