微纳加工技术智慧树知到期末考试答案章节答案2024年哈尔滨工业大学

微纳加工技术智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年哈尔滨工业大学离子在固体材料中散射，增大能量或减小离子质量，会增加离子穿透深度。（）

答案:对如果衬底材料是晶体，在某原子排列稀疏的方向上，离子可能“长驱直入”，这就是沟道效应。（）

答案:对雪花的形成过程是一种自组装形成过程。（）

答案:对投影式曝光包括1:1投影式曝光和缩小投影曝光系统。（）

答案:对沟道效应不仅发生在晶体衬底材料中，还常发生在非晶衬底材料中。（）

答案:错矢量扫描曝光的电子束不只在曝光图形部分扫描。（）

答案:错溶脱剥离的关键是光刻胶厚度远厚于沉积薄膜的厚度、侧壁沉积少和衬底不经历高温加热。（）

答案:对光学曝光是最早用于半导体集成电路的微细加工技术。（）

答案:对热压成型是直接将模板浮雕图形转移到聚合物衬底材料上。（）

答案:对刻蚀法图形转移的基本要求是能够将光刻胶掩模图形完好地转移到衬底材料中，并具有一定的深度和剖面形状。（）

答案:对CVD是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。（）

答案:对聚焦离子束曝光技术，由于离子质量远大于电子，在抗蚀剂中的散射范围远小于电子，几乎没有背散射效应。（）

答案:对模压指微米尺寸以上的图形转移，一般以热压为主。（）

答案:对一般来说，化学湿法腐蚀的设备成本大大低于干法刻蚀。（）

答案:对通过自组装过程形成的个体是疏松无序的状态。（）

答案:错大数值孔径是高分辨率成像的必要条件。（）

答案:对溶脱剥离法是最普通的图形转移技术之一，尤其适用于金属薄膜的制作。（）

答案:对压印的对准与传统接触式光学曝光的对准相似，但对准精度更高。（）

答案:对Bosch工艺就是交替进行衬底刻蚀和边壁钝化。（）

答案:对微纳加工过程对环境的要求不高，不需要特殊的洁净环境。（）

答案:错塑料微成型技术包括（）。

答案:热压###浇铸###注塑离子在材料中的碰撞包括（）。

答案:非弹性碰撞###弹性碰撞原子力显微镜工作模式包括（）。

答案:非接触模式###接触模式紫外光固化纳米压印技术的过程包括（）。

答案:清除残留层###压印###紫外固化###脱模刻蚀方法包括：（）。

答案:其他腐蚀###化学湿法腐蚀###等离子体干法腐蚀光刻胶的分类包括（）。

答案:负型光刻胶###正型光刻胶热蒸发式薄膜沉积方向性好，但沉积速率取决于（）。

答案:蒸发源与衬底的相对位置###蒸发源种类###蒸发源与衬底的距离光学曝光技术包括（）。

答案:投影式曝光###掩膜对准式曝光微纳加工的基本过程包含（）。

答案:光刻###薄膜沉积###刻蚀电子束曝光的邻近效应校正包括（）。

答案:图形尺寸补偿###背景曝光补偿###剂量校正电子束与固体间的主要相互作用为（）。

答案:弹性碰撞和非弹性碰撞极紫外光刻技术使用（）在真空环境下产生紫外波长。

答案:激光等离子体刻蚀在微纳加工领域的主要应用是（）。

答案:去除光刻胶未遮挡的衬底每立方英尺内0.5μm颗粒数量小于（）的为百级超净间。

答案:100垂直抽减法利用的是SOI的（）的各向异性化学腐蚀和另一面的反应离子深刻蚀。

答案:正面（）技术可用于制备透射电镜样品。

答案:FIB纳米球阵列法利用的是纳米小球的（）。

答案:间隙h线曝光波长比i线曝光波长（）。

答案:长电子束曝光是通过抗蚀剂聚合物分子对电子能量的（）实现的。

答案:吸收“电子邻近效应”的产生是由于电子（）对曝光图形的影响造成的。

答案:散射硫醇类分子在表面形成SAM后可以实现固体表面功能化。（）

答案:对氢键是一种特殊的键，它具有一定的共价键特性即具有饱和性和方向性，但键合力远小于共价键。（）

答案:对目前，分子自组装纳米加工的优势是（）。

答案:组装结构为分子尺度###低成本传统的平面集成电路加工技术是（）技术，分子自组装是（）技术。

答案:top-down;bottom-up横向添加法用来获得窄间隙结构，横向抽减法用来获得窄线条结构。（）

答案:对侧壁沉积法中，沉积时应选择各向同性沉积，而刻蚀时应选择方向性好的各向异性刻蚀。（）

答案:对侧壁沉积法获得侧壁时用到了（）

答案:刻蚀清除顶部和底部的二氧化硅###光刻和刻蚀制作支撑结构###热氧化或CVD沉积薄膜氧化削尖工艺依赖于氢氟酸能腐蚀（）而不能腐蚀（）。

答案:二氧化硅，硅垂直抽减法制作纳米通道和氧化横向抽减法的氧化削尖都用到了热氧化的工艺。（）

答案:对湿法腐蚀二氧化硅的特点是（）。

答案:各向同性传统机械加工中的喷粉工艺一般喷的是（）粉末。

答案:氧化铝反应离子刻蚀是离子轰击辅助的化学反应过程，其主要过程可以概括为（）。

答案:离子反应###物理溅射###产生自由基###自由基反应飞秒激光加工是热加工。（）

答案:错与等离子体刻蚀不同，离子溅射刻蚀方法中等离子体产生区和样品刻蚀区是分开的。（）

答案:对薄膜沉积方法有（）等。

答案:物理气相沉积###分子束外延###化学气相沉积图形转移分为（）。

答案:刻蚀法图形转移###沉积法图形转移沉积合金薄膜时，溅射法更优于热蒸发法。（）

答案:对溅射法成膜质量好，而且衬底温升较低，但方向性不如热蒸发沉积。（）

答案:对溶脱剥离是薄膜沉积方法的目的之一。（）

答案:对正坡度印模结构最适于脱模，零坡度视印模侧壁的表面粗糙度而定。（）

答案:对紫外光固化纳米压印一般采用透明的印模。（）

答案:对便于脱模，最易实施的方法是（）。

答案:模板内涂镀高抗粘连的材料热压纳米压印技术工艺流程为（）。

答案:反应离子刻蚀去残胶###脱模###压印纳米压印包括阳模压印和阴模压印，阴模压印相对容易。（）

答案:错与STM相比，用AFM进行扫描探针局部氧化加工更合适。（）

答案:对STM通过（）对抗蚀剂曝光。

答案:场致发射电子蘸笔纳米探针加工受（）等因素影响。

答案:表面化学吸附性###探针驻留时间###表面晶粒尺寸###环境湿度当AFM以STM方式工作时，也可以用AFM实现对抗蚀剂的曝光。（）

答案:对扫描探针显微镜工作模式包括（）。

答案:恒定电流模式###恒定间距模式离子源按工作原理可分为（）。

答案:场致电离型离子源###液态金属离子源###电子轰击型离子源###气体放电型离子源垂直入射的离子可以获得最大的离子溅射产额。（）

答案:错聚焦离子束系统的聚焦系统与电子束系统大致相同。（）

答案:对LMIS稳定发射的关键是液态金属与钨丝的良好浸润。（）

答案:对聚焦离子束系统存在空间电荷效应，可利用较小的发射电流来比避免该问题。（）

答案:对先进的电子束曝光机主要适用于（）以下的超微细加工。

答案:0.5微米电子枪包括发射电子的阴极和对发射电子聚束的电子透镜。（）

答案:对曝光平面电子束斑包含各种像差，（）为主要像差。

答案:色差###球差电子束曝光的曝光效率（）光学曝光。

答案:远小于光栅扫描是对整个曝光场扫描，但电子束曝光快门只在曝光图形部分打开。（）

答案:对接触式曝光分为（）。

答案:软接触###硬接触光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到（）上。

答案:光刻胶分辨率就是能够清晰分辨出间隔很近的特征图形的能力。（）

答案:对软接触通过调整（）实现。

答案:压力大小正胶在感光时，使聚合物发生交联。（）

答案:错光刻工艺的基本要素主要包括（）。

答案:光刻胶###对准系统###光源间接加工技术能够绕过现有设备加工