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文档简介

金属和半导体的接触主要内容§7.1金属和半导体接触及其能级图§7.2金属和半导体接触整流理论

§7.3少数载流子的注入和欧姆接触掌握阻挡层与反阻挡层的形成，肖特基势垒的定量特性，欧姆接触的特性。

一、功函数1.金属的功函数Wm金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。E0(EF)mWmE0为真空中电子的能量，又称为真空能级。§7.1金属和半导体接触及其能级图金属中的电子在势阱中运动2.半导体的功函数WsE0与费米能级之差称为半导体的功函数。χ表示从Ec到E0的能量间隔：称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。Ec(EF)sEvE0χWsEn式中：N型：半导体Ec(EF)sEvE0χWsEnP型半导体：设想有一块金属和一块N型半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即：二、金属与半导体的接触及接触电势差1.阻挡层接触接触前：E0xWsEFsEcEnWmEFmEv半导体中的电子金属—+Vms称为金属与半导体接触电势差。接触后：（间隙大）E0xWsEFsEcEnWmEFmEvVms半导体电势提高，金属电势降低，直到二者费米能级相平紧密接触：EcEFEnqVdEvWsxq（Vs，—Vm）空间电荷区E表面形成空间电荷区,内部产生自建电场。表面势Vs：空间电荷区两端的电势差。忽略间隙中的电势差时的极限情形半导体一边的势垒高度为：金属一边的势垒高度为：EcEFEnqVdEv（Vs<0）金属与N型半导体接触时，若Wm>Ws，半导体表面形成表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称

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