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半导体超晶格

半导体超晶格半导体超晶格一种人造材料，由交替生长的两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，其薄层厚度的真气小于电子的平均自由层。生长超晶格的技术MBE,MOCVD理想超晶格结构弛豫当外延层的厚度超过临界厚度时，则外延层的应变消失，恢复原来的晶格常数。赝晶生长应变异质结的无界面失配应变层的生长模式。赝晶生长的临界厚度随生长温度的升高而减小，随赝晶组分的不同而改变。应变异质结的应用

扩展了异质结材料的种类

实现材料人工改性超晶格材料III-V/III-V,IV/III-V,II-VI/II-VI,IV-VI/IV-VI

化合物超晶格材料

元素半导体超晶格材料IV/IV

非晶态半导体超晶格材料超晶格材料的应用量子阱激光器、量子阱光电探测器、光学双稳态器件、调制掺杂场效应晶体管超晶格材料的分类成分超晶格：周期性改变薄层的成分。掺杂超晶格：周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型。Ga1-xAlxAs/GaAsGaAsGa1-xAlxAsGa1-xAlxAs/GaAs能带图bcECEVGaAsGa1-xAlxAszZ方向周期性势场为n为整数超晶格中电子运动的方程

硅：α=4.73×10-4eV/Kβ=636K

锗：α=4.774×10-4eV/Kβ=235KT=300K时，EgSi=1.12eV，EgGe=0.67eV

温度系数α和β分别为：所以Eg具有负温度系数。对半导体来说，导带底和价带顶的能量差，即禁带宽度Eg是十分重要的量.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的能带结构GaAs化合物半导体的能带结构导带极小值位于k=0处，等能面试球面，导带电子有效质量mn*=0.067m0,禁带宽度Eg=1.424eV,价带顶也位于k=0处，分

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