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文档简介
半导体中的可擦除可编程
半导体中的可擦除可编程
1.可擦除可编程ROM(EPROM)
EPROM的存储单元采用叠层栅注入MOS管。图7-4-4
EPROM的一个存储单元WiYj位线GSDWiYj×(a)EPROM叠层栅存储单元(b)阵列图符号由于EPROM的存储单元是可擦除可编程的,为了区别于固定ROM,在EPROM阵列图的或阵列中,用“×”表示所存储的信息“1”。
EEPROM只需在高电压脉冲或工作电压下就可以进行擦除,不需要借助紫外线的照射,而且还具有字擦除功能,所以更加灵活、方便。
一般EEPROM集成片允许擦写100~10000次,擦写共需时间20ms左右,数据可保存5~10年。图7-4-6
EEPROM存储单元WiYj字线G1S1D1位线T1T2
EEPROM的存储单元由门控管T2和叠层栅MOS管T1组成。其中T1称为浮栅隧道氧化层MOS管,在一定电压条件下,将产生隧道效应,以实现电擦除操作。2.电可擦可编程ROM(EEPROM)工作机理与叠栅MOS管相同结构:浮栅与漏极N区延长区有一点交迭并且交迭处的绝缘层厚度很小。写入:控制栅上加高电压,漏极接地即可对浮栅充电,电子穿透绝缘层积累在浮栅上。擦除:控制栅接地,漏极接高电压即可对浮栅放电,即为电擦除。
读出:G1=3V,Wi=5V
擦除:G1=Wi=21V
写入:G1=0,Wi=Yj=21VSiO2PS1G1D1擦写栅
(多晶硅)浮栅
(多晶硅)N+N+SiO2极薄层0+21V图7-4-6
EEPROM存储单元WiYj字线G1S1D1位线T1T2
可擦除单个存储单元芯片内部带有升压电路
正常工作:擦写栅加+3V电压,浮栅积有电子电荷时,T1不能导通;浮栅无电子电荷时,T1导通。PSGD浮栅图7-4-8
快闪存储器N+N+(a)(b)DSG位线WiVSSYj隧道区
不具备字擦除功能。写入:利用雪崩击穿产生的大量高能电子在浮栅上积累
读出:Wi=5V,Vss=0V
写入:Wi=6V,Gc=12V脉冲,Vss=0
擦除:G=0V,Vss=12V
整片或分块擦除电路形式简单、集成度高、可靠性好结构:快闪存储器MOS管的浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄擦除:控制栅接地、源级接高电压,利用隧道效应放电工作机理与叠栅MOS管相同3.快闪存储器(闪光记忆)7.4.4用ROM实现组合逻辑函数
依据:ROM是由与阵列和或阵列组成的组合逻辑电路。
1.将与阵列地址端A0~当作逻辑函数的输入变量,则可在地址译码器输出端(即字线)上产生全部最小项;2.或阵列的输出(位线)是将与之相连字线上的信息相或以后作为输出的,因此在数据输出端可获得有关最小项相或的表达式。
结论:ROM有几个数据输出端,即可获得几个逻辑函数的输出。方法:列出函数的真值表,直接画出存储矩阵的阵列图。?回顾与思考:译码器实现组合逻辑函数的方法及步骤?用ROM实现逻辑函数一般按以下步骤进行:
①根据逻辑函数的输入、输出变量数目,确定ROM的容量,选择合适的ROM。②写出逻辑函数的最小项表达式,画出ROM的阵列图。③根据阵列图对ROM进行编程。存储器与PROM阵列对应关系输入地址信号为电路的输入逻辑变量。地址译码器产生2n个字线为固定与阵列产生2n个乘积项。
存储矩阵为或阵列把乘积项组合成m个逻辑函数输出。用可编程只读存储器PROM实现逻辑函数1、代码转换例:用ROM实现4位二进制到格雷码的转换。ABCDWXYZ00000001001000110100010101100111100010011010101111001101111011110000000100110010011001110101010011001101111111101010101110011000①列状态转换真值表:②由真值表写出最小项之和表达式。W=∑m(8~15)X=∑m(4~11)Y=∑m(2~5、10~13)Z=∑m(1~2、5~6、9~10、13~14)③根据最小项画出与、或点阵图☆
先画地址译码器,四变量,八输入,十六个最小项,8X16阵列。☆再画或阵列,只有四输出,每个输出按最小项加表示。共4X16阵列。ROM的应用:0123456789101112131415W=∑m(8~15)X=∑m(4~11)Z=∑m(1~2、5~6、9~10、13~14)全部最小项把需要的最小项相加★
与阵列存储容量:16X8=128★
或阵列存储容量:16X4=64★
总存储容量=128+64=192点阵图相当于将真值表存入PROM。与阵列:不可编程,所有最小项都必须全部画出。或阵列:可编程,根据要求选用。PROM选用PROM实现:令:PROM地址码A3~A0=ABCD则PROMQ3~Q0=WXYZY=∑m(2~5、10~13)2、用ROM实现组合逻辑函数例:用ROM实现一位全加器全加器真值表:ABCiSCO0000010100111001011101110110100100010111最小项之和表达式S=∑m(1、2、4、7)C0=∑m(3、5、6、7)画点阵图:01234567ROM的应用:AB0001111001AB0001111001AB0001111001解:
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