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文档简介

场效应晶体管放大电路共源放大电路 1.自给偏压共源放大电路

2.分压式偏置共源放大电路共漏放大电路

本节内容

场效应晶体管放大电路增强型MOSFET2.工作原理（2）

导电沟道形成后uDS对iD的影响（uGS>UGS(th))uGD>UGS（th）沟道中没有任何一处被夹断，uDS增大，iD增大。uGD=UGS（th）沟道在d端被夹断——预夹断。uGD<UGS（th）夹断区向源极延伸,uDS增大,iD几乎不变,仅决定于uGS

。增强型MOSFET3.特性曲线与电流方程恒流区转移特性:.2耗尽型MOSFET1.结构与符号实线表示uGS=0时，导电沟道已存在小到一定值才夹断加正离子.2耗尽型MOSFET2.工作原理uGS≤UGS(off),沟道完全被夹断,iD=0——夹断区。当uGS＞UGS(off)

且为确定值,uDS对iD的影响:0<uDS<uGS-UGS(off)——可变电阻区;uDS=uGS-UGS(off)——预夹断;uDS>uGS-UGS(off)——恒流区,iD的趋于饱和,不随uDS而变..2耗尽型MOSFET3.特性曲线与电流方程

耗尽型MOS管在

uGS＞0、uGS

＜0、uGS

＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。恒流区转移特性方程与JFET完全相同MOS管的特性总结：N沟道增强型MOS管N沟道耗尽型MOS管开启电压夹断电压P沟道增强型MOS管P沟道耗尽型MOS管PMOSFET外加的uDS必须是负值，增强型PMOSFET的开启电压也是负值。箭头向外表示实际的电流方向为流出漏极，与通常的假定正好相反

工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？.3各种FET特性比较及使用注意事项.4FET的主要参数及低频小信号等效电路模型1.主要参数直流参数：

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