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文档简介

低压集中应用于晶硅太阳电池的可行性工作总结报告一、立项背景世界各国的高度重视,而据国际能源署(IEA)和欧盟联合争论中心(JRC)的推测,到204020%以上。依据推测如图160%。图图1.世界能源使用现状及将来能源需求构造推测图PN结是晶体硅太阳电池PN结结深的差异性上,均匀性阳能电池的光电转换效率,我们提出将低压集中技术引入晶硅太阳能电池中。二、工程执行状况11、成立工程工作小组为确保本工程的顺当实施,公司已经形成了有来自浙江大学、湖南科技大学、10多名硕士组成的技术研发团队,共同致力于公司技术研发工作,公司以内部研发中心为依托,成立工程工作小组,该小组下设设备优化争论小组、工艺研发小组和试验生产小组,对研发工作进展了细化分解。各小组分工明确,责任到人,从组织上保证了工程的正常运行。各小组细化工作如下:工程工作小组工程工作小组设备优化小组工艺研发小组试验生产小组设备改造工艺研发和试试生产和品质2、工程进展报告〔1〕2023.3–2023.52所示。2.低压集中核心构造示意图23排出,7、8、9负责制造真空条件,泵出口连接排酸管道。33个月左右时间根本完成。

3.改造后集中炉炉门设计并优化初步得出一种高方阻的低压集中工艺。〔3〕2023.10–2023.12对中途消灭的问题不断排查缘由并改善,经过生产线近3个月的努力,已根本形成工艺的批量生产力量。3、工程总结202312低压集中应主要争论内容本工程提出承受低压集中工艺改善集中均匀性,它一种通过改善炉管气密性、平均自由程,提高集中均匀性、稳定性和成膜致密性;通过低压集中工艺,可以获说明该工艺可以改善集中的均匀性。4所示。进抽进抽升检通扩推充舟真温漏氧散进气舟4.低压集中工艺步骤低压集中工艺分如下三步进展:关闭放有硅片的集中炉炉门后,抽气使炉内压强至设定压强并用高温氧化硅SiO2;PN结:第一步低温预集中,其次步高温集中;,转变集中炉内部压强除去杂质;步骤(1)至(3)中设定的工艺参数如下:所述步骤(1)设定的工艺参数为:炉内压50~100mbar;氧化温度为780~800℃;氧化时间为200~800sec;大氮流工艺参数为:第一步低温预集中工艺参数为:炉内压强为50~100mbar;炉内温工艺参数为:炉内压强为50~100mbar;炉内温度为800~830℃;集中时间为~c0~n0~;氧气流量为500~2023ml/min;所述步骤(3)设定的工艺参数为:设定退火温度550~650℃、时间为1000~3000sec;炉内压强从设定的50~100mbar升至50~100mbar,2~4次,每个压强以内。105~115Ω,承受1所示。1.低压集中工艺所得硅片各位置方阻位置测1测2测3测4测5110103101104110炉103105112110108口10499109108103炉107106108112112中113117117112113炉119122127125125尾1113.60%低压集中由于分子的穿透力量变强,掺杂均匀性提高。承受密舟装载方式在炉500片/800片/PECVD和丝印,0.2%~0.3%。三、技术创点和技术解决方案集中设备改造。炉门系统为保证低压集中的密封效果,炉门承受双层密的工作。3个方面:反响管真空度的提升,分子平均自由行程加大,增加分子的穿透力〔见表2,使〔即硅片中间方阻值高,而四周方阻值低,提高了集中的均匀性。由于分子的穿透力量变强,石英舟槽间距设计可4.76mm2.38mm2mm不变的前提下产能得以大幅度提升。②削减紊流,提高气氛均匀性。集中炉的炉内压力越低越有利于气流的稳定。争论说明:炉内压力为10kPa100kPa100kPa时,集中炉管内湍流格外明显。由此可见,降低管内的压力可削减湍流产生,提高气氛均匀性,从而提高集中的均匀性。利于形成浅结,削减外表复合,适应高效晶体硅太阳能电池浅结高方阻集中的进展趋势,此外,在低压集中环境中,掺杂原子分压比大,降低掺杂源耗,降低本钱。表2不同真空度环境下的分子平均自由行程压压力/Kpa力常100压负30~1×10-1压

平均自由行程68nm0.1~100μm中 1×10-1~1×真空 10-3高 真空 10-8

0.1~100mm10cm~1km一套适合设备现状、生产实际和技术要求的工艺是本技术的创点。四、低压集中特点及应用状况1561000片的状况下其集中均匀性仍优于性。目前,国外先进的低压集中技术可使晶体硅电池在高至120Ω/sq的方块电阻2.38mm,这样带来的效果全标准,是将来集中工艺进展的趋势。投入状况。经绍兴兴业会计师事务全部限公司审计,工程投入技术开发经费合计万元,12月底完成以来,已应用于公司生产线,投入规模化权。经绍兴兴业会计师事务全部限公司审计,工程投入技术开发经费合计万元,包括:科研用材料费万元,人员经费万元,测试费万元,水电费万元。六、成果转化、产业化完成的技术和经济效益指标。包括:科研用材料费万元,人员经费万元,测试费万元,水电费万元。5~10%0.2~0.3%。关键材料和技术拥有自主学问产权

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