MOOC 集成电路设计基础-华中科技大学 中国大学慕课答案

MOOC集成电路设计基础-华中科技大学中国大学慕课答案知识点1-3摩尔定律随堂测试1、问题：摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。选项：A、MoreMooreB、MorethanMooreC、BeyondCMOSD、SoC正确答案:【SoC】2、问题：摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。选项：A、12B、18C、24D、36正确答案:【18】第一部分第一次测验1、问题：题1-1-1中国高端芯片联盟正式成立时间是：。选项：A、2016年7月B、2017年7月C、2016年9月D、2017年9月正确答案:【2016年7月】2、问题：题1-1-2如下不是集成电路产业特性的是：。选项：A、资本密集B、技术密集C、低风险D、高风险正确答案:【低风险】3、问题：题1-1-3摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。选项：A、12B、18C、24D、36正确答案:【18】4、问题：题1-1-4摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。选项：A、MoreMooreB、MorethanMooreC、BeyondCMOSD、SoC正确答案:【SoC】5、问题：题1-1-5单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。选项：A、LSIB、VLSIC、ULSID、SoC正确答案:【VLSI】6、问题：题1-1-6年发明了世界上第一个点接触型晶体管。选项：A、1947B、1948C、1957D、1958正确答案:【1947】7、问题：题1-1-7年发明了世界上第一块集成电路。选项：A、1957B、1958C、1959D、1960正确答案:【1958】8、问题：题1-1-8FinFET等多种新结构器件的发明人是：。选项：A、基尔比B、摩尔C、张忠谋D、胡正明正确答案:【胡正明】9、问题：题1-1-9集成电路代工产业的缔造者：。选项：A、基尔比B、摩尔C、张忠谋D、胡正明正确答案:【张忠谋】10、问题：题1-1-10世界第一块集成电路发明者：。选项：A、基尔比B、摩尔C、张忠谋D、胡正明正确答案:【基尔比】第二部分第一次测验1、问题：MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。选项：A、夹断B、反型C、导电D、耗尽正确答案:【夹断】2、问题：MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是。选项：A、反型B、夹断C、耗尽D、导通正确答案:【耗尽】3、问题：在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。选项：A、亚阈值区B、深三极管区C、饱和区D、三极管区正确答案:【饱和区】4、问题：PMOS管的导电沟道中依靠导电。选项：A、电子B、空穴C、正电荷D、负电荷正确答案:【空穴】5、问题：载流子沟道在栅氧层下形成，源和漏之间“导通”。选项：A、夹断层B、反型层C、导电层D、耗尽层正确答案:【反型层】6、问题：下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。选项：A、截止区B、深三极管区C、三极管区D、饱和区正确答案:【饱和区】7、问题：在NMOS中，若选项：,会使阈值电压。A、增大B、不变C、减小D、可大可小正确答案:【增大】8、问题：题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越，输出电流越理想。选项：A、大B、小C、近似于WD、精确正确答案:【大】9、问题：表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。选项：A、B、C、D、正确答案:【】10、问题：MOS管的小信号输出电阻B、在一定程度上，与该MOS管的过驱动电压成反比C、与MOS尺寸无关D、与MOS管电流无关正确答案:【与MOS管电流无关】5、问题：下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。选项：A、亚阈值区B、深三极管区C、三极管区D、饱和区正确答案:【饱和区】6、问题：工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。选项：A、恒压源B、电压控制电流源C、恒流源D、电流控制电压源正确答案:【电压控制电流源】7、问题：MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】8、问题：模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。选项：A、增益B、输出电阻C、输出摆幅D、输入电阻正确答案:【输出摆幅】9、问题：模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。选项：A、增益B、电压净空C、输出摆幅D、输入偏置正确答案:【增益】10、问题：画小信号等效电路时，恒定电流源视为。选项：A、电阻B、受控电流源C、短路D、开路正确答案:【开路】第四单元第一次测验1、问题：题4-1-1、随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压通常会（）。选项：A、不断提高B、不变C、可大可小D、不断降低正确答案:【不断降低】2、问题：题4-1-2、在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。选项：A、MOSB、CMOSC、BipolarD、BiCMOS正确答案:【CMOS】3、问题：题4-1-3、最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。选项：A、MOSB、CMOSC、BipolarD、BiCMOS正确答案:【CMOS】4、问题：题4-1-4、电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。选项：A、增大器件宽长比B、增大负载电阻C、降低输入信号直流电平D、增大器件的沟道长度L正确答案:【增大器件的沟道长度L】5、问题：题4-1-5、下面几种电路中增益线性度最好的是（）。选项：A、电阻负载共源级放大器B、电流源负载共源级放大器C、二极管负载共源级放大器D、源极负反馈共源级放大器正确答案:【二极管负载共源级放大器】6、问题：题4-1-6、下面放大器的增益错误的是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：题4-1-7、下图中的选项：A、B、C、D、正确答案:【】8、问题：题4-1-8、不能确定输出直流电压的共源极放大器是（）的共源极放大器。选项：A、电阻负载B、二极管连接负载C、电流源负载D、二极管和电流源并联负载正确答案:【电流源负载】9、问题：题4-1-9、下面放大器的小信号增益为（）。选项：A、B、C、1D、理论上无穷大正确答案:【】10、问题：题4-1-10、下面放大器的小信号增益为（）。选项：A、B、C、D、1正确答案:【】第四单元第二次测验1、问题：题4-2-1、源极跟随器通常不能用作（）。选项：A、缓冲器B、放大器C、电平移动D、驱动器正确答案:【放大器】2、问题：题4-2-2、小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。选项：A、共源级放大器B、源级跟随器C、共栅级放大器D、共源共栅级放大器正确答案:【源级跟随器】3、问题：题4-2-3、电流源可以起一个电阻的作用，而且不消耗（）的电压余度。选项：A、过高B、过低C、恒定D、变化正确答案:【过高】4、问题：题4-2-4、下图电路中，源极跟随器的作用是（）。选项：A、信号放大B、信号变换C、电平转移D、输出缓冲正确答案:【输出缓冲】5、问题：题4-2-5、小信号输入电阻最小的放大器是（）。选项：A、共源级放大器B、源级跟随器C、共栅级放大器D、共源共栅级放大器正确答案:【共栅级放大器】6、问题：题4-2-6、P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：题4-2-7、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。选项：A、低B、一般C、高D、很高正确答案:【很高】8、问题：题4-2-8、下图放大电路的小信号增益为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】9、问题：题4-2-9、图中元器件和电压均相同时，下面两个电路的增益关系是（）。选项：A、两个相等B、左边的比右边的大C、左边的比右边的小D、无法比较正确答案:【左边的比右边的小】10、问题：题4-2-10、（）放大器的电源抑制比最好。A．电阻负载的共源极放大器B.电流源负载的共源极放大器D.共源共栅极负载的共源共栅极放大器C．共栅极放大器答案：C选项：A、共源共栅极负载的共源共栅极放大器B、电阻负载的共源极放大器C、电流源负载的共源极放大器D、共栅极放大器正确答案:【共源共栅极负载的共源共栅极放大器】第四单元第三次测验1、问题：题4-3-1、差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。选项：A、尾电流源输出阻抗为有限值B、输入MOS管不完全对称C、负载不完全对称D、输入对管工作在饱和区正确答案:【输入对管工作在饱和区】2、问题：题4-3-2、下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。选项：A、为放大器管提供固定偏置B、为放大管提供电流通路C、减小放大器的共模增益D、提高放大器的增益正确答案:【提高放大器的增益】3、问题：题4-3-3、有源电流镜负载差分放大器中，（）时其小信号增益最大。选项：A、输入差分信号几乎相同B、输入差分信号相差较大C、共模增益为0D、忽略非理想因素正确答案:【输入差分信号几乎相同】4、问题：题4-3-4、下面电路的差模小信号增益为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：题4-3-5、基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。选项：A、尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B、负载不匹配C、输入MOS不匹配D、电路制造中的误差正确答案:【输入MOS不匹配】6、问题：题4-3-6、模拟电路中，精度最高的电阻是（）。选项：A、金属电阻B、比例电阻C、多晶硅电阻D、阱电阻正确答案:【比例电阻】7、问题：题4-3-7、图中电路不能正常工作的最重要原因是（）。选项：A、MOS管可能截止B、输出端可能出现严重失真C、输入信号的共模电平影响电路性能D、电路不对称正确答案:【输入信号的共模电平影响电路性能】8、问题：题4-3-8、下列电路的输出直流电平不能确定的是（）。选项：A、电阻负载共源极放大器B、电流源负载共源极放大器C、二极管负载共源极放大器D、电阻负载的源极跟随器正确答案:【电流源负载共源极放大器】9、问题：题4-3-9、理想电流源负载的差分放大器，当差分对和负载均有理想的匹配时，则共模抑制比为（）。选项：A、无穷大B、0C、某一个确定值D、无法确定正确答案:【某一个确定值】10、问题：题4-3-10、在差分放大器中，我们最关心的是（）的增益。选项：A、共模输入到共模输出B、共模输入到差模输出C、差模输入到共模输出D、差模输入到差模输出正确答案:【差模输入到差模输出】第四单元第四次测验1、问题：题4-4-1、下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：题4-4-2、下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：题4-4-3、下列结构中不可以采用密勒效应进行分析的电路是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：题4-4-4、下图电路中与X结点相关联的极点频率为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：题4-4-5、下列结构中密勒效应最显著的是（）。选项：A、共源级放大器B、源级跟随器C、共栅级放大器D、共源共栅级放大器正确答案:【共源级放大器】6、问题：题4-4-6、密勒效应是（）。选项：A、有害的B、有利的C、可以被我们利用来解决电路设计中的问题D、实际不起作用正确答案:【可以被我们利用来解决电路设计中的问题】7、问题：题4-4-7、伯特图的频率坐标采用（）刻度。选项：A、10进制B、线性C、对数D、指数正确答案:【对数】8、问题：题4-4-8、假定A1为理想运放，下图的传递函数是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】9、问题：题4-4-9、电阻负载的共源极放大器的主极点在（）。选项：A、输入节点B、输出节点C、既可能是输入节点，也可能是输出节点D、取决于电路的具体情况E、MOS上正确答案:【既可能是输入节点，也可能是输出节点#取决于电路的具体情况】10、问题：题4-4-10、为达到较好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。选项：A、30B、60C、90D、180正确答案:【60】第四单元第五次测验1、问题：题4-5-1、镜像电流源一般要求相同的（）。选项：A、制造工艺B、器件宽长比C、器件宽度WD、器件长度L正确答案:【器件长度L】2、问题：题4-5-2、某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：题4-5-3、下图电流镜的输出电压最小值为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：题4-5-4、共源共栅电流镜是为了（）。选项：A、利用衬偏效应B、消耗较低的电压余度C、抑制沟长调制效应D、降低电路漏电流正确答案:【抑制沟长调制效应】5、问题：题4-5-5、下图电流镜的输出电压最小值为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】6、问题：题4-5-6、下图中电路的小信号增益是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：题4-5-7、共源共栅电流源具有高的（）。选项：A、输出小信号电阻B、输出电压余度C、小信号增益D、信噪比正确答案:【输出小信号电阻】8、问题：题4-5-8、下图电路中，存在（）组电流镜。选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【3】9、问题：题4-5-9、下图电路中，M3管的电路组态是（）。选项：A、共源管B、共栅管C、共漏管D、共源共漏管正确答案:【共栅管】10、问题：题4-5-10、下图是改进型WilsonMOS电流镜，满足的条件是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】第五单元第一次测验1、问题：5-1-1、如下不是数字信号的主要特点的是：。选项：A、易于存储B、易于传输C、易于处理D、抗干扰能力差正确答案:【抗干扰能力差】2、问题：5-1-2、数字集成电路自上而下的设计流程中，如下最底层的设计是：。选项：A、系统级B、门级C、晶体管级D、模块级正确答案:【晶体管级】3、问题：5-1-3、数字集成电路设计中，不属于高端工艺对高性能设计的挑战的是：。选项：A、低电压电源分布网络B、系统级建模技术C、ESD/闩锁等可靠性问题D、高频时钟互联网络正确答案:【系统级建模技术】4、问题：5-1-4、下图所示的晶体管级电路是：。选项：A、反相器B、传输门C、与非门D、或非门正确答案:【反相器】5、问题：5-1-5、按功能划分，通常一个数字信号处理系统都不包括：。选项：A、数据通路B、控制模块C、存储器D、传感器正确答案:【传感器】6、问题：5-1-6、集成电路成本中，如下不属于固定成本的是：。选项：A、研发成本B、IP及EDA成本C、封装成本D、掩膜成本正确答案:【封装成本】7、问题：5-1-7、集成电路成本中，如下不属于可变成本的是：。选项：A、研发成本B、测试成本C、封装成本D、掩膜成本正确答案:【研发成本】8、问题：5-1-8、如下不是控制集成电路成本直接措施的是：。选项：A、缩小面积B、增加片内测试PADC、减少工艺复杂性D、提高良率正确答案:【增加片内测试PAD】9、问题：5-1-9、如下不是数字设计的质量评价的指标是：。选项：A、成本B、性能C、功耗D、管脚数量正确答案:【管脚数量】10、问题：5-1-10、不是CMOS反相器的基本特性的是：。选项：A、是有比电路B、是无比电路C、有上拉网络和下拉网络D、输出反相正确答案:【是有比电路】第五单元第二次测验1、问题：题5-2-1：如下反相器电路中，当0≤Vin≤VTN，则：。选项：A、NMOS管工作在线性区B、PMOS管工作在线性区C、NMOS管工作在饱和区D、PMOS管工作在饱和区正确答案:【PMOS管工作在线性区】2、问题：题5-2-2：如下反相器电路中，当Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN，则：。选项：A、NMOS饱和，PMOS饱和B、NMOS饱和，PMOS截止C、NMOS截止，PMOS饱和D、NMOS截止，PMOS截止正确答案:【NMOS饱和，PMOS饱和】3、问题：题5-2-3：数字逻辑门的高电平噪声容限的表达式是。选项：A、VIH-VOHB、VOL-VOHC、VOH-VOLD、VOH-VIH正确答案:【VOH-VIH】4、问题：题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是。选项：A、MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBPB、下级电路的输入电容CinC、MOS管的结电容D、互连线引起的寄生电容Cl正确答案:【MOS管的结电容】5、问题：题5-2-5：反相器的传播延时为。选项：A、tpLHB、tpHLC、tpLH+tpHLD、0.5*（tpLH+tpHL）正确答案:【0.5*（tpLH+tpHL）】6、问题：题5-2-6：如果将反相器的转换阈值Vit做为允许的输入高电平和低电平极限，则如下关于反相器的噪声容限的表述错误的是。选项：A、VNLM与VNHM中较小的决定最大直流噪声容限B、VNLM=VitC、VNHM=VDD-VitD、VNLM与VNHM中较小的决定最大直流噪声容限正确答案:【VNLM与VNHM中较小的决定最大直流噪声容限】7、问题：题5-2-7：如下不是CMOS数字电路中功耗来源的是：。选项：A、电容充放电过程中的动态功耗B、电源与地间的直流通路引起的短路功耗C、MOS管漏电的静态功耗D、热电子运动正确答案:【热电子运动】8、问题：题5-2-8：按照功耗性质不同分类来看，开关功耗属于。选项：A、静态功耗B、动态功耗C、平均功耗D、短路功耗正确答案:【动态功耗】9、问题：题5-2-9：如下不属于CMOS数字电路低功耗设计技术方案的是。选项：A、降低工作电压B、减少逻辑门的开关频率C、提高工作电压D、降低工作电压正确答案:【提高工作电压】10、问题：题5-2-10：如下不是减少CMOS数字电路漏电流功耗的途径的是。选项：A、降低电源电压VDDB、提高阈值电压VTC、减少晶体管数目nD、提高电源电压VDD正确答案:【提高电源电压VDD】第五单元第三次测验1、问题：题5-3-1：以下不是组合逻辑电路的特点的是。选项：A、输出总是由布尔函数决定B、输出状态可以记忆C、稳态输出，但只与输入的当前值有关D、输出不反馈到输入正确答案:【输出状态可以记忆】2、问题：题5-3-2：以下不是静态组合逻辑电路的是。选项：A、互补CMOS组合逻辑B、传输管逻辑C、有比逻辑D、多米诺逻辑正确答案:【多米诺逻辑】3、问题：题5-3-3：CMOS静态互补组合逻辑门的正确的布尔表达式是。选项：A、A与B相或非B、A与B相或C、A与B相与非D、A与B相与正确答案:【A与B相或非】4、问题：题5-3-4：如下关于CMOS静态互补组合逻辑门的特性描述错误的是。选项：A、输出高电平为VDDB、输出低电平为GNDC、VDD与GND之间有直流通路D、无静态功耗正确答案:【VDD与GND之间有直流通路】5、问题：题5-3-5：对于大扇入静态CMOS组合逻辑门，如下不是其优化设计技术的是。选项：A、逐级减小晶体管尺寸B、合理安排输入信号C、插入缓冲器隔离扇入与扇出D、逻辑结构重组正确答案:【逐级减小晶体管尺寸】6、问题：题5-3-6：如下关于逻辑努力的描述不正确的是。选项：A、逻辑努力随着门的复杂度而加大B、逻辑努力与门的复杂度无关C、静态CMOS组合逻辑门中，反相器具有最小的逻辑努力D、静态CMOS组合逻辑门中，反相器具有最小的本征延时正确答案:【逻辑努力与门的复杂度无关】7、问题：题5-3-7：如下关于本征延时的描述不正确的是。选项：A、静态CMOS组合逻辑门中，反相器具有最小的本征延时B、本征延时与门的类型有关C、本征延时与门的尺寸无关D、本征延时与门的类型无关正确答案:【本征延时与门的类型有关】8、问题：题5-3-8：以下关于逻辑努力方法的优点描述不正确的是。选项：A、易于植入分析优化软件（Matlab）B、易于增加功耗/能量方面的考虑因素C、逻辑优化问题易于转换为一组解析表达式D、考虑了速度饱和、衬偏效应等正确答案:【考虑了速度饱和、衬偏效应等】9、问题：题5-3-9：以下关于逻辑努力方法的不足之处描述错误的是。选项：A、没有考虑输入信号速率B、难于考虑互连延时的影响C、简单逻辑优化问题难于转换为一组解析表达式D、难以分析分支情况复杂的路径正确答案:【简单逻辑优化问题难于转换为一组解析表达式】10、问题：题5-3-10：CMOS逻辑门的功耗与如下选线中无关的是。选项：A、门的逻辑类型（如或非门、与非门等）B、器件尺寸C、输入输出上升下降时间D、器件阈值与温度正确答案:【门的逻辑类型（如或非门、与非门等）】11、问题：题5-3-11：如下措施中不能降低CMOS逻辑门的开关活动性的是。选项：A、逻辑重组B、均衡信号路径减少毛刺C、输入排序D、增大器件尺寸正确答案:【增大器件尺寸】12、问题：题5-3-12：如下不是静态互补CMOS逻辑门的优点的是。选项：A、高噪声容限B、有静态功耗C、低输出阻抗D、高输入阻抗正确答案:【有静态功耗】第五单元第四次测验1、问题：题5-4-1：如下不是有比逻辑中伪NMOS逻辑的特点的是。选项：A、N输入伪NMOS逻辑门的晶体管数目为N+1B、输出低电平为GNDC、输出高电平为VDDD、输出低电平不为GND正确答案:【输出低电平为GND】2、问题：题5-4-2：如下折中设计有比逻辑中伪NMOS逻辑门的方法中，错误的是。选项：A、减少静态功耗，负载PMOS管要大B、减少静态功耗，负载PMOS管要小C、减小tpLH,负载PMOS管要大D、获得较大的NML，负载PMOS管要小正确答案:【减少静态功耗，负载PMOS管要大】3、问题：题5-4-3：如下不是有比伪NMOS逻辑改进目标的是。选项：A、消除静态电流B、提高输出摆幅，降低VOLC、降低输出摆幅，提高VOLD、减小tpLH正确答案:【降低输出摆幅，提高VOL】4、问题：题5-4-4：如下不是差分串联电压开关逻辑（DCVSL）的特点的是。选项：A、互补输入，互补输出B、不需要专门的负载器件C、有比逻辑，全摆幅D、无动态功耗正确答案:【无动态功耗】5、问题：题5-4-5：如下关于传输门/传输管的描述错误的是。选项：A、NMOS传输管传输低电平性能好，传输高电平有阈值损失；B、PMOS传输管传输高电平性能好，传输低电平有阈值损失；C、PMOS传输管传输低电平性能好，传输高电平有阈值损失；D、CMOS传输门传输高低电平都没有阈值损失，性能更接近理想开关；正确答案:【PMOS传输管传输低电平性能好，传输高电平有阈值损失；】6、问题：题5-4-6：如下不是互补传输晶体管逻辑的特点的是。选项：A、互补数据输入；B、实现加法器或异或门需要较多晶体管；C、属于静态逻辑，有较好的噪声抑制能力；D、差分输出特性，减少了多与的反相器；正确答案:【实现加法器或异或门需要较多晶体管；】7、问题：题5-4-7：如下图所示的互补传输管逻辑功能是。选项：A、A与B相异或；B、A与B相同或；C、A与B相与非；D、A与B相或非；正确答案:【A与B相异或；】8、问题：题5-4-8：如下不是CMOS动态逻辑的特点的是。选项：A、仍是CMOS逻辑，为无比逻辑；B、比静态CMOS逻辑快，比类NMOS逻辑功耗低；C、比CMOS静态逻辑晶体管数少，减小了芯片面积；D、CMOS静态逻辑电路工作速度慢；正确答案:【CMOS静态逻辑电路工作速度慢；】9、问题：题5-4-9：如下CMOS动态逻辑门的特点描述，错误的是。选项：A、时钟功耗大；B、晶体管少，CL小；C、较低的开关活动性；D、每个周期最多只能翻转一次；正确答案:【较低的开关活动性；】10、问题：题5-4-10：如下不是动态CMOS多米诺逻辑的特点的是。选项：A、只能实现非反相逻辑；B、可以实现互补输出逻辑；C、多米诺逻辑门是无比逻辑；D、速度快；正确答案:【可以实现互补输出逻辑；】第五单元第五次测验1、问题：题5-5-1：如下不是CMOS动态逻辑门信号完整性问题的产生原因是。选项：A、电荷泄露；B、电荷分享；C、时钟馈通；D、电感耦合；正确答案:【电感耦合；】2、问题：题5-5-2：如下不是CMOS动态逻辑的特点的是。选项：A、CMOS静态逻辑电路工作速度慢；B、比静态CMOS逻辑快，比类NMOS逻辑功耗低；C、比CMOS静态逻辑晶体管数少，减小了芯片面积；D、仍是CMOS逻辑，为无比逻辑；正确答案:【CMOS静态逻辑电路工作速度慢；】3、问题：题5-5-3：如下关于时序电路的描述错误的是。选项：A、按触发器状态转换的步调分，可以分为同步时序电路与异步时序电路；B、同步时序电路的缺点是时钟偏移带来时序问题；C、同步时序电路的优点是时钟偏移带来时序优势；D、按电路输出信号的特点分，可以分为Mealy时序电路和Moore时序电路；正确答案:【同步时序电路的优点是时钟偏移带来时序优势；】4、问题：题5-5-4：如下关于异步时序电路的描述错误的是。选项：A、没有统一的时钟脉冲信号；B、异步时序电路一个时刻允许多个输入发生变化；C、状态变化的时刻是不固定的；D、输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化；正确答案:【异步时序电路一个时刻允许多个输入发生变化；】5、问题：题5-5-5：如下关于动态寄存器的描述不正确的是。选项：A、不易受噪声电源干扰；B、漏电，难于实现低功耗；C、内部节点电压不跟踪电源电压，降低了噪声容限；D、内部动态节点高阻抗；正确答案:【不易受噪声电源干扰；】6、问题：题5-5-6：如下不是时序电路时序参数的是。选项：A、建立时间；B、保持时间；C、时钟周期；D、静态功耗；正确答案:【静态功耗；】7、问题：题5-5-7：如下关于时钟同步CMOS电路（C2MOS）工作过程描述错误的是。选项：A、工作方式两段式：预充电-求值；B、工作方式两段式：求值-保持；C、时钟同步CMOS电路存在电荷共享问题；D、时钟同步CMOS电路（C2MOS）构成的锁存器能够避免时钟偏移的影响；正确答案:【工作方式两段式：求值-保持；】8、问题：题5-5-8：如下关于时钟同步CMOS电路（C2MOS）的特点描述错误的是。选项：A、保持了静态CMOS电路的对称和互补性能；B、输出可与任何电路的输入端级联；C、没有存在电荷共享问题；D、输入可接受任何电路的输出信号；正确答案:【没有存在电荷共享问题；】9、问题：题5-5-9：对下图所示电路描述正确的是。选项：A、可以实现时钟同步CMOS电路功能；B、不可以实现时钟同步CMOS电路功能；C、具有预充电-求值工作模式；D、不能判断；正确答案:【可以实现时钟同步CMOS电路功能；】10、问题：题5-5-10：如下关于动态锁存器的描述错误的是。选项：A、比静态锁存器简单；B、由于漏电需要周期刷新；C、需要输入高阻抗器件；D、比静态锁存器复杂；正确答案:【比静态锁存器复杂；】第五单元第六次测验1、问题：题5-6-1：如下关于真单相时钟电路（TSPC）的描述错误的是。选项：A、TSPC电路避免了两相时钟偏移的问题；B、简化了电路与时钟信号；C、TSPC逻辑电路把富NMOS块和富PMOS块交替级联；D、TSPC逻辑电路只含有NMOS块；正确答案:【TSPC逻辑电路只含有NMOS块；】2、问题：题5-6-2：如下关于无动态竞争电路（NORA）的描述错误的是。选项：A、无动态竞争电路（NORA）不受时钟偏移的影响；B、无动态竞争电路（NORA）受时钟偏移的影响；C、其结构有机结合了预充-求值的动态逻辑电路和C2MOS锁存器电路；D、其工作过程包括了预充―求值和求值―保持；正确答案:【无动态竞争电路（NORA）受时钟偏移的影响；】3、问题：题5-6-3：如下不是施密特触发器的功能的是。选项：A、分频；B、鉴幅；C、整形；D、去噪；正确答案:【分频；】4、问题：题5-6-4：如下关于施密特触发器的描述错误的是。选项：A、是一种非双稳态的再生电路；B、DC特性具有滞环特性；C、开关阈值可变但只有一个逻辑阈值电平；D、开关阈值可变且具有两个逻辑阈值电平；正确答案:【开关阈值可变但只有一个逻辑阈值电平；】5、问题：题5-6-5：如下关于单稳态电路的描述错误的是。选项：A、单稳态电路只有一个稳定状态，并且经常处于此稳定状态；B、单稳态电路只有一个稳定状态，并且状态经常变化；C、单稳态电路又称为单稳态多谐振荡器，或单脉冲电路；D、一个触发事件可以是一个信号翻转或是一个脉冲，使其暂时进入另一个准稳定状态；正确答案:【单稳态电路只有一个稳定状态，并且状态经常变化；】6、问题：题5-6-6：如下关于无稳态电路的描述错误的是。选项：A、无稳态电路是指具有一个稳定状态，只是其稳定状态不确定而已；B、无稳态电路是指没有稳定状态的电路；C、输出在两个亚稳态之间来来回回的振荡，周期由电路参数决定；D、环形振荡器就是无稳态电路；正确答案:【无稳态电路是指具有一个稳定状态，只是其稳定状态不确定而已；】7、问题：题5-6-7：如下关于现代集成电路互连技术的发展趋势描述错误的是。选项：A、互连线层数越来越多；B、互连的电阻率越来越小，如铜完全取代铝；C、互连层之间的介质介电常数越来越小；D、互连层之间的介质介电常数越来越大；正确答案:【互连层之间的介质介电常数越来越大；】8、问题：题5-6-8：现代集成电路指标不受互连导线影响的是。选项：A、性能；B、功耗；C、逻辑转换阈值；D、可靠性；正确答案:【逻辑转换阈值；】9、问题：题5-6-9：如下关于互连导线的描述错误的是。选项：A、互连电阻增加，互连