MOOC 光电技术-武汉理工大学 中国大学慕课答案

MOOC光电技术-武汉理工大学中国大学慕课答案辐射度学与光度学基础作业辐射度学与光度学基础自测1、问题：当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐出射度所对应的波长的移动方向为（）选项：A、向短波方向移动B、向长波方向移动C、不移动D、均有可能正确答案:【向短波方向移动】2、问题：已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（）选项：A、3.31lxB、1.31lxC、3.31lmD、1.31lm正确答案:【1.31lm】3、问题：用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（）选项：A、阳光直射B、阴天室外C、工作台D、晨昏蒙影正确答案:【阴天室外】4、问题：已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（）选项：A、683lmB、341.5lmC、1276lmD、638lm正确答案:【341.5lm】5、问题：为了描述华为mate40手机屏幕的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐度量是（）选项：A、辐照度B、辐强度C、辐出度D、辐亮度正确答案:【辐亮度】6、问题：电磁波谱中可见光的波长范围为（）选项：A、0.38~0.78umB、0.38~1umC、1~3umD、8~12um正确答案:【0.38~0.78um】7、问题：100W标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为（）选项：A、1.592WB、27.223lm?C、3.184WD、27.223lm正确答案:【1.592W】8、问题：光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为（）选项：A、683lmB、0.683lm?C、278.2lmD、0.2782lm正确答案:【0.2782lm】9、问题：X射线的波长范围是（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】10、问题：辐强度的计量单位是（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】11、问题：辐亮度的计量单位是（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】12、问题：某半导体激光器发出波长为642nm的激光束，其功率为100mW。当时求此光束的辐通量是（）选项：A、?B、C、D、正确答案:【】13、问题：某半导体激光器发出波长为642nm的激光束，发出的光通量选项：A、B、C、D、正确答案:【】14、问题：波长为532nm（V（0.532um）=0.88）的绿光固体激光器输出功率为15W，均匀的投射到选项：A、B、C、D、正确答案:【】15、问题：绿光固体激光器均匀的投射到白色屏幕上的光照度为屏幕的反射系数是0.9，则光出射度为（）选项：，若A、B、C、D、正确答案:【】16、问题：一支白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面2m的高处，用照度计测得正下方地面上的照度为30lx，该白炽灯的光通量（）选项：A、375.5lm?B、375.5lx?C、1507.2lmD、1507.2lx正确答案:【1507.2lm】17、问题：直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌中心光照度为（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】18、问题：直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌边缘的光照度光照度为（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】19、问题：光纤通信之父是()选项：A、高琨B、博伊尔C、史密斯D、梅曼正确答案:【高琨】20、问题：太赫兹波的波长范围为（）选项：A、3mm~30μmB、3mm~3μmC、30mm~3μmD、30mm~30μm正确答案:【3mm~30μm】21、问题：下列选项中的参数与接收器有关的有（）选项：A、曝光量B、光通量C、亮度D、照度正确答案:【曝光量#照度】22、问题：余弦辐射体的主要特性包括（）选项：A、普朗克辐射定律B、斯忒藩—玻尔兹曼定律C、维恩位移定律D、其他正确答案:【普朗克辐射定律#斯忒藩—玻尔兹曼定律#维恩位移定律】23、问题：光电信息系统由那几部分组成？选项：A、A.光信息源B、B.光学系统C、C.光电探测器D、D.电子信息系统E、E.激光器正确答案:【A.光信息源#B.光学系统#C.光电探测器#D.电子信息系统】24、问题：光电对抗主要包括（）选项：A、A.光电侦查B、B.光电干扰C、C.反光电侦查D、D.抗光电干扰正确答案:【A.光电侦查#B.光电干扰#C.反光电侦查#D.抗光电干扰】25、问题：我国嫦娥系列1-4号上的光电载荷有（）选项：A、A.CCD立体相机B、B.干涉成像光谱仪C、C.激光高度计D、D.各类相机E、E.红外成像光谱仪正确答案:【A.CCD立体相机#B.干涉成像光谱仪#C.激光高度计#D.各类相机#E.红外成像光谱仪】26、问题：光电检测中的非光学量包括（）选项：A、A.几何参量B、B.电磁量C、C.表面形态参量D、D.机械量E、E.运动参量F、F.成分分析正确答案:【A.几何参量#B.电磁量#C.表面形态参量#D.机械量#E.运动参量#F.成分分析】27、问题：太赫兹波的主要应用有（）选项：A、A.波谱分析B、B.成像C、C.生物和医疗诊断D、D.射电天文探测E、E.环境与质量监测F、F.通信正确答案:【A.波谱分析#B.成像#C.生物和医疗诊断#D.射电天文探测#E.环境与质量监测#F.通信】28、问题：信息化时代信息的载体是()选项：A、A.光子B、B.电子C、C.多模光纤D、D.同轴电缆正确答案:【A.光子#B.电子】29、问题：电荷耦合器件CCD的发明人是()选项：A、A.高琨B、B.博伊尔C、C.史密斯D、D.梅曼正确答案:【A.高琨#B.博伊尔】30、问题：光通量的单位是坎德拉。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】31、问题：辐通量与光通量的单位是相同的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】32、问题：朗伯辐射体的辐出度等于他的辐亮度。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：被照明物体表面的辐照度和光源与物体表面的距离平方成反比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：辐出度Me与辐照度Ee的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积dA的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。?选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】35、问题：发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】36、问题：发光强度的单位是坎德拉（cd），其定义为：在给定方向上能发射选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题：在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：辐度量是生理（或主观）的计量方法。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】40、问题：光度量是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：辐度量是物理（或客观）的计量方法。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：太赫兹波具有低能量性，对人体基本上没有什么副作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】43、问题：辐出度Me与辐照度Ee意义相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】44、问题：光电检测技术的显著特点是接触式的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】光电探测器理论基础作业光电探测器理论基础自测1、问题：被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）选项：A、内光电效应B、外光电效应C、光生伏特效应D、丹培效应正确答案:【外光电效应】2、问题：半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。选项：A、价带，导带B、价带，禁带C、禁带，导带D、导带，价带正确答案:【价带，导带】3、问题：一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为（）选项：A、3nVB、4nVC、5nVD、6nV正确答案:【4nV】4、问题：已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（）选项：A、?个/秒B、?个/秒C、?个/秒D、?个/秒正确答案:【?个/秒】5、问题：某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能?为（）选项：A、0.095J?B、0.095eV?C、JD、eV正确答案:【0.095eV?】6、问题：已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为?，?，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）选项：A、甲厂灵敏度高B、乙厂灵敏度高C、甲乙两场灵敏度一样高D、无法比较正确答案:【乙厂灵敏度高】7、问题：光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）选项：A、B、C、1.82J?D、1.83eV?正确答案:【1.83eV?】8、问题：已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）选项：A、0.886JB、0.886eVC、886JD、886eV正确答案:【0.886eV】9、问题：对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）选项：A、电子为多子B、空穴为少子C、能带图中施主能级靠近于导带底D、能带图中受主能级靠近于价带顶正确答案:【能带图中受主能级靠近于价带顶】10、问题：有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）选项：A、半导体对光的吸收主要是本征吸收B、半导体对光的吸收主要是非本征吸收C、产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值D、产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值正确答案:【半导体对光的吸收主要是本征吸收】11、问题：对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）选项：A、费米能级靠近导带底?B、空穴为多子C、电子为少子D、费米能级靠近靠近于价带顶正确答案:【费米能级靠近导带底?】12、问题：一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为（）选项：A、个/秒B、?个/秒C、?个/秒D、个/秒正确答案:【个/秒】13、问题：某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）选项：A、0.496umB、0.496nmC、0.248umD、0.248um正确答案:【0.496um】14、问题：某型号硅APD光敏面直径为0.5mm，等效噪声功率为，电流灵敏度为77A/W，求该光电探测器的比探测率（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】15、问题：探测器的，探测器光敏面积的直径为0.5cm，用于选项：的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）A、B、C、?D、?正确答案:【】16、问题：温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电流为（）选项：A、B、?C、D、正确答案:【?】17、问题：温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电压为（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】18、问题：已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，该材料的禁带宽度为（）选项：A、0.886（eV）B、8.86（eV）C、88.6（eV）?D、正确答案:【0.886（eV）】19、问题：光电发射材料?的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）选项：A、1.82（eV）B、18.2（eV）C、D、0.182（eV）正确答案:【1.82（eV）】20、问题：已知本征硅材料的禁带宽度选项：A、1.216（um）B、C、1.03（um）D、正确答案:【1.216（um）】21、问题：温度为300K的本征硅半导体掺入硅半导体电子浓度为（）选项：的砷原子，计算掺杂后A、B、C、D、正确答案:【】22、问题：温度为300K的本征硅半导体掺入硅半导体空穴的浓度为（）选项：的砷原子，计算掺杂后A、B、C、D、正确答案:【】23、问题：温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入选项：硼原子后硅中电子浓度为（）A、B、C、?D、正确答案:【】24、问题：温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入选项：硼原子后硅中空穴浓度为（）A、B、C、D、正确答案:【】25、问题：光电探测器中的噪声主要包括（）选项：A、热噪声B、散粒噪声C、产生复合噪声D、1/f噪声E、温度噪声正确答案:【热噪声#散粒噪声#产生复合噪声#1/f噪声#温度噪声】26、问题：光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（）选项：A、本征吸收B、杂质吸收C、激子吸收D、自由载流子吸收E、晶格吸收正确答案:【本征吸收#杂质吸收】27、问题：比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】28、问题：探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】30、问题：1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W(nm)。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】34、问题：杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】35、问题：可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题：光生伏特效应能将光能转换成电能。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题：外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：热噪声存在于任何导体与半导体中，它属于白噪声。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：1/f噪声通常又称为电流噪声（有时也称为闪烁噪声或过剩噪声）。它是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】40、问题：在实际使用中，常用较低的调制频率可避免或大大减小电流噪声的影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】光电探测器常见光源作业光电探测器常见光源自测1、问题：低压汞灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【线状光谱】2、问题：高压钠灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【带状光谱】3、问题：白炽灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【连续光谱】4、问题：荧光灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【混合光谱】5、问题：某光源的发光效率为90~100lm/W，该光源可能是（）选项：A、普通荧光灯B、高压汞灯C、高压钠灯D、卤钨灯正确答案:【高压钠灯】6、问题：连续波半导体激光器输出功率约为（）选项：A、小于1mWB、几毫瓦到数百毫瓦C、几瓦D、几百瓦正确答案:【几毫瓦到数百毫瓦】7、问题：黑体是指（）选项：A、反射为1B、吸收为1C、黑色的物质D、不发射电磁波正确答案:【吸收为1】8、问题：普通荧光灯的发光效率约为（）lm/W选项：A、10~20B、35~60C、100~150D、60~100正确答案:【35~60】9、问题：常用的激光器有（）选项：A、气体激光器B、液体激光器C、固体激光器D、染料激光器E、半导体激光器正确答案:【气体激光器#固体激光器#染料激光器#半导体激光器】10、问题：按发光机理分类，常用光源有选项：A、发光二极管B、激光器C、气体放电D、热辐射E、太阳正确答案:【发光二极管#激光器#气体放电#热辐射】11、问题：光源的光谱功率分布通常可以分为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【线状光谱#带状光谱#连续光谱#混合光谱】12、问题：光电探测系统对光源选择的主要要求有（）选项：A、光谱特性要求B、发光强度要求C、光源稳定性要求D、发光效率要求正确答案:【光谱特性要求#发光强度要求#光源稳定性要求#发光效率要求】13、问题：发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：GaAs的开启电压约为1V。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50~100lm/W。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/W。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：LED的寿命通常小于小时。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：若辐射源辐射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：白炽灯发的光基本是连续光谱，造价低，发光效率高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】25、问题：发光二极管的外发光效率随温度的上升而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：发光二极管发光时，PN通常工作在反向工作状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】光电导探测器作业光电导探测器自测1、问题：光电导的单位（）选项：A、欧姆B、西门子C、流明D、勒克斯正确答案:【西门子】2、问题：氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200~365nmB、400~700nmC、700~1100nmD、1~7um正确答案:【200~365nm】3、问题：硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200~365nmB、400~700nmC、700~1100nmD、1~7um正确答案:【400~700nm】4、问题：常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200~365nmB、400~700nmC、700~1100nmD、0.4~3um正确答案:【0.4~3um】5、问题：常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200~365nmB、400~700nmC、1~7.5umD、0.4~3um正确答案:【1~7.5um】6、问题：设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2，且已知它在90~120lx范围内的。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为（）。选项：A、2224.6B、1999.9C、1873.8D、935.2正确答案:【1873.8】7、问题：假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW，光电导灵敏度，暗电导。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为（）。选项：A、150lxB、22500lxC、2500lxD、150lx和22500lx正确答案:【150lx和22500lx】8、问题：光电导探测器的特性受工作温度影响（）。选项：A、很小B、很大C、不受影响D、不可预知正确答案:【很大】9、问题：设光敏电阻GM20539在10lx的光照下的阻值为50K，且已知它在10~100lx范围内的。试求该光敏电阻在90lx光照下的阻值（）选项：A、8621.4B、862.14C、86.214D、8.6214正确答案:【8621.4】10、问题：设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW，光电导灵敏度S/lx，暗电导为零。试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的最大照度为（）选项：A、1406.25lxB、375lxC、37.5lxD、140.625lx正确答案:【1406.25lx】11、问题：设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW，光电导灵敏度S/lx，暗电导为零。试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的最小照度为（）选项：A、1406.25lxB、375lxC、37.5lxD、140.625lx正确答案:【375lx】12、问题：杂质型光敏电阻需要在（）下使用。选项：A、常温B、高温C、超高温D、低温正确答案:【低温】13、问题：下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（）选项：A、锗掺汞B、硫化镉C、锑化汞D、碲鎘汞E、硫化铅正确答案:【硫化镉#锑化汞#碲鎘汞#硫化铅】14、问题：光电导器件的噪声主要有（)选项：A、热噪声B、1/f噪声C、产生与复合噪声D、散粒噪声正确答案:【热噪声#1/f噪声#产生与复合噪声】15、问题：选用光电探测器的一般原则（）选项：A、考虑时间响应特性B、用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配C、考虑光电探测器的线性特性D、考虑光电探测器电阻大小正确答案:【考虑时间响应特性#用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配#考虑光电探测器的线性特性】16、问题：光电导内增益与哪些量有关（）选项：A、器件材料B、结构尺寸C、外加偏压D、负载电阻正确答案:【器件材料#结构尺寸#外加偏压】17、问题：由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光电导器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：本征光电导器件的长波限可以达到130um。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：弱辐射情况