数字电子技术基础第七章存储器

数字电路局部第七章存储器§7.1概述§7.2只读存储器(ROM)§7.3随机存储器(RAM)§7.4存储器容量的扩展学习要点只读存储器、随机存储器根本概念、性能指标存储器容量扩展的方法第七章半导体存储器7.1概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限二、分类1、从存/取功能分：①只读存储器(Read-Only-Memory〕②随机读/写〔Random-Access-Memory〕2、从工艺分：①双极型②MOS型7.2ROM7.2.1掩模ROM一、结构二、举例地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元〞，存储单元中有器件存入“1〞，无器件存入“0〞存储器的容量：“字数x位数〞掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，廉价，非易失性7.2.2可编程ROM〔PROM〕总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.2可编程ROM〔PROM〕总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同写入时，要使用编程器7.2.3可擦除的可编程ROM〔EPROM〕总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同一、用紫外线擦除的PROM二、电可擦除的可编程ROM〔E2PROM〕总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同三、快闪存储器〔FlashMemory〕为提高集成度，省去T2〔选通管〕改用叠栅MOS管〔类似SIMOS管〕1、某台计算机的内存储器设置有10位的地址线，16位并行数据输入/输出端，它的最大存储量是多少？举例2、某存储量为4K

8的ROM，共有

位的地址线，有

位并行数据线，它的十六进制寻址范围是

。总结7.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器〔SRAM〕一、结构与工作原理二、SRAM的存储单元六管N沟道增强型MOS管7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可例：用八片1024x1位→1024x8位的RAM7.4.2字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM000111011011101101111110000111011011101101111110本章重点课程内容只读存储器；随机存储器；存储器容量的扩展学习重点只读存储器、随机存储器的概念、功能、性能指标存储器容量扩展的方法本课程总结第一章：逻辑代数根底〔10%左右〕重点：数制与编码、逻辑函数的化简。第二章〔15%左右〕半导体导电机理的特点:热敏性、光敏性、掺杂性杂质半导体PN结具有单向导电性二极管的伏安特性曲线二极管的开关特性三极管输入输出特性曲线放大区.饱和区.截止区开关特性TTL电路与CMOS电路的结构与外部电气特性第三章：组合逻辑电路〔30%左右〕任何时刻的输出仅决定于当时的输入，而与电路原来的状态无关。它由根本门构成，不含存贮电路和记忆元件，且无反响线。根据已经给定的逻辑电路，描述其逻辑功能。〔１〕组合电路〔２〕组合电路的分析用加法器、译码器、编码器和数据选择器等设计特定电路。根据设计要求构成功能正确、经济、可靠的电路。〔３〕组合电路的设计〔４〕常用的中规模组合逻辑模块第四章：触发器(10%左右)〔1〕触发器的概念〔2〕RS、JK、D、T触发器的逻辑功能及其动作特点。第五章：时序逻辑电路(20%左右)时序电路由记忆电路和组合电路两局部组成，具有存储功能。同步时序电路的分析同步时序电路的设计任意进制计数器的构成方法第六章：脉冲波形的产生和整形(10%左右)1、555集成定时器的电路组成、工作原理和根本功能。2、555定时器构成的施密特触发器，单稳态触发器输入电压