企业7S整理整顿的术语

基本分立元器件基本分立元器件电子技术

绪论从二十世纪初期第一代电子器件真空管问世以来,电子器件和电子技术得到了迅速的发展,尤其是八十年代以来发展更快.电子器件和电子技术的发展大大促进了通信技术,测量技术,自动控制技术及计算机技术的迅速发展.电子技术课程包括两大部分内容:模拟电路和数字电路.模拟电路:处理的信号是模拟信号,它是随时间连续变化的信号.

二极管、三极管、稳压管、绝缘栅场效应管;整流、滤波及稳压电路,三极管放大电路以及集成运算放大电路等.数字电路:处理的信号是数字信号,它是随时间不连续变化的信号.

各种数制码制,基本逻辑门、逻辑代数,组合逻辑电路和时序逻辑电路等内容.电子技术 绪论电子技术课程包括两大部分内容:模拟目录电阻电容电感一二极管、稳压管二半导体三极管三场效应管四目录目录电阻电容电感一二极管、稳压管二半导体三极管一、电阻电容电感

电阻器1

电容器2

电感器3一、电阻电容电感电阻器1电

1、电阻器1、电阻器分流限流分压负载滤波(与电容器配合)电阻器电阻器的作用分流限流分压负载滤波(与电容器配合)电阻器电阻器的作用固定电阻R可变电阻R敏感电阻：是指对温度、光、电压、外力、气体浓度等反映敏感的电阻。RTRU电阻器的种类电阻器固定电阻R可变电阻R敏感电阻：是指对温度、光、电固定电阻的种类⑴碳膜电阻RT

⑵金属电阻器RJ

特点:稳定性好,高频特性好，价廉等,但精度较低。应用比较广泛。性能优于碳膜电阻。电阻器固定电阻的种类⑴碳膜电阻RT⑵金属电阻器RJ特⑷片状电阻主要用于SMT技术中，它的优点是体积小，节约空间，例如：手机、MP3等里面的用的都是片状电阻。

⑶线绕电阻RX

特点：功率大，热稳定性好，耐高温，温度系数小，精度高，但高频特性差,不能用于高频电路。使用场合：低频，标准电阻等。

固定电阻的种类电阻器⑷片状电阻主要用于SMT技术中，它的优点是体积小，节约空间代表4.7Ω代表7.5kΩ⑵数字法4R77k5⑴直标法用三位数字表示阻值，它主要用于片状电阻中。223代表阻值22×1000=22×103Ω=22kΩ电阻器的识别电阻器代表4.7Ω代表7.5kΩ⑵数字法4R77k5电阻器的阻值单位有：

Ω

、kΩ、MΩ1kΩ=1000Ω1MΩ=1000kΩ电阻器的单位电阻器电阻器的阻值单位有：Ω、kΩ、MΩ电阻器的单位电阻器电阻器的识别电阻器⑶四色环法R=10×102±10%Ω棕黑红银棕红橙黄绿蓝紫灰白黑12345678901234有效数字倍率允许偏差

棕红金银无±1％±2％

±5％±10％±20％误差：电阻器的识别电阻器⑶四色环法R=10×102±10%Ω电阻器的识别电阻器

⑷五色环法

(第四、五位距离比较宽）

黄紫黑黄红有效数字12345倍率允许偏差R=470×104±2%Ω棕1±1％红2±2％橙3黄4绿5±0.5%蓝6±0.25%紫7±0.1%灰8±0.05%白9黑0金0.1银0.01电阻器的识别电阻器⑷五色环法黄紫黑黄红有效数字注意：1）不能用手同时捏住电阻引脚。用数字万用表电阻挡进行测量数字万用表在测电阻以前需进行一次零欧姆测试检查：将红、黑表笔相互短接，表头应显示“000”；将红、黑表笔开路，表头应显示“1”（超量程指示）。电阻器的检测电阻器2）不能在路检测电阻。3）数字万用表量程要大于被测电阻阻值。注意：1）不能用手同时捏住电阻引脚。用数字万用表电阻挡进行变阻器分压器

电位器13UiRUo2结构原理如图所示R132接1、2或2、3两端变阻器分压器电位器13UiRUo2结构原理如图所示R132电位器种类电位器123415带开关电位器数字电位器123123123电位器种类电位器123415带开关电位器数字电位器1231⑴机械结构判断注意：1）在量程正确情况下如出现“1”则内部开路

2）如出现“000”则内部短路

3）如读数时高时低，则内部损坏。⑵测量电位器的标称值选择合适量程，用数字万用表检测电位器两端阻值是否与标称值相符。将数字表红、黑表笔分别接中间端与电位器任何一端，然后缓慢旋转电位器旋柄，看读数是否平稳跳变。

表头读数应在0～标称值之间或标称值～0之间变化⑶检测阻值变化情况电位器电位器检测标称值读取与电阻类似⑴机械结构判断注意：1）在量程正确情况下如出现“1”则2、电容器2、电容器

加在电容两端的电压不能突变；

电路符号：C电路符号及特性电解电容、钽电容等电容器通高频，阻低频，对直流电流，相当于开路。能够充放电；主要参数：容量、额定工作电压特性：电容容量加在电容两端的电压不能突变；电路符号：C注意：使用时，电源的正极接电解电容的正极，负极接电解电容的负极。容量大，价格低但误差大，稳定性差。一般用于直流或低频电路如电源滤波，耦合，旁路等。优点：体积小，稳定性高，寿命长。一般用于要求较高的电路定时、延时。⑴电解电容：有正、负极之分钽电解电容铝电解电容常用电容器种类电容器不能用于高频电路。注意：使用时，电源的正极接电解电容的正极，负极接电解电容的负容量比较小,适用于超高频信号的旁路，耦合，滤波等。⑶涤纶电容⑵瓷介电容器

常用电容器种类独石电容器：具有耐高温，体积小，电容容量大，稳定性好等优点，广泛用于精密仪器中高频电路作谐振，耦合，滤波，旁路用。电容器（无极性电容）（无极性电容）用于中低频电路，如信号耦合，旁路，隔直等，不宜在高频电路中使用。容量比较小,适用于超高频信号的旁路，耦合，滤波等。⑶涤纶电电容器作用电容器根据电容在电路中的使用，有常见的五种功能

★滤波C1：电解电容：低频滤波C2：高频信号滤波uc电容器作用电容器根据电容在电路中的使用，有常见的五种功能电容器作用电容器★旁路作用+EcR2R1R4CNPN-R3★交流耦合（通交流隔直流）电容器作用电容器★旁路作用+EcR2R1R4CNPN-R★

RC定时作用根据电容两端的充电电压可以控制后面的电路。电容器作用电容器★RC定时作用根据电容两端的充电电压可以控制后面的电路。具体应用电容器低通滤波器fof0RLC二阶低通滤波器具体应用电容器低通滤波器fof0RLC二阶低通滤波器具体应用电容器高通滤波器具体应用电容器高通滤波器⑵数字法：适用于瓷介，涤纶电容例如：224表示电容容量为：⑴直标法：适用于电解电容把容量、耐压、精度直接标在电容体上容量识别电容器205=？224=22×104pF=220nF=0.22uF⑵数字法：适用于瓷介，涤纶电容例如：224表示电容容量为：常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：

1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）

1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）电容器的单位电容器常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮用数字RLC电桥可以直接测电容的容量

被测量工作方式频率

C并联电解电容100Hz

其他电容器10kHz电容容量直读RLC电桥表头左边读数,注意单位。电容器测量电容器按RLC按钮用数字RLC电桥可以直接测电容的容量

被测量3、电感器3、电感器电感器电感器外形及种类电感器电感器外形及种类电路符号空心电感器磁芯电感器可调电感器电感器电感器的电感大小与线圈的结构有关,线圈绕的匝数越多,电感愈大。在同样匝数情况下，线圈增加了磁芯后，电感量增大。电路符号空心电感器磁芯电感器可调电感器电感器电感器的电感大小电感器特性流过电感器的电流不能突变通低频信号，阻高频信号通直流信号，阻交流信号电感两端电压不能突变电感器通交流信号，阻直流信号通高流信号，阻低流信号电感器主要用于电源滤波电路,与电容构成LC谐振电路当流过线圈的电流大小发生变化时，线圈会产生一个感应电动势来维持原电流的大小不变。（储能）电感器特性流过电感器的电流不能突变通低频信号，阻高频信号通直⑴与C形成并联谐振电路Ud↑→Cd↓→f↑电感器电感器作用⑴与C形成并联谐振电路Ud↑→Cd↓→f↑电感器电感器⑵高频扼流：L2、L1，阻高频，通低频L2：磁环电感，测量时L1：色环电感电感量不能太小电感器电感器作用⑵高频扼流：L2、L1，阻高频，通低频L2：磁环电感，测量⑶滤波①与C形成高通滤波器76MHzfA电感器电感器作用⑶滤波①与C形成高通滤波器76MHzfA电感器电感器作用②与C形成二阶低通滤波器fo幅频特性电感器电感器作用②与C形成二阶低通滤波器fo幅频特性电感器电感器作用常用的的基本单位是亨利（简称亨），用字母"H"表示。常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH），它们之间的关系是：1H=1000mH；1mH=1000μH电感器的单位电感器常用的的基本单位是亨利（简称亨），用字母"H"表示。常用的单用RLC直流测试电桥直接测量电感器的电感量被测量工作方式频率

L(按LCR)串联10kHzRLC电桥调零开路清零表头显示SH(右边表)短路清零表头显示OP开路清零开始测量电感容量直读RLC电桥左边表头读数,注意单位。电感器电感器容量检测用RLC直流测试电桥直接测量电感器的电感量被测量电压和电流的关系电阻R电容C电感L功率PP=ui，电压和电流的关系电阻RP=ui，二、二极管二、二极管1、二极管简介PN阳极阴极D二极管是由一个PN结，引出两个电极，封上外壳而做成的半导体器件1、二极管简介PN阳极阴极D二极管是由一个PN各种二极管普通二极管1N4007发光二极管SMT二极管各种二极管普通二极管1N4007发光二极管SMT二极管二极管的两个电极分别成为正极（阳极）和负极（阴极）一般的二极管的电路图形，看下图。二极管的两个电极分别成为正极（阳极）和负极（阴极）一般的二极企业7S整理整顿的术语2、二级管的分类按材料分为两种：一是硅二极管，二是锗二极管。按制作工艺分为面接触二极管和点接角二极管。按用途分类有整流二极管、检波二极管、发光二极管、稳压二极管、光敏（光电）二极管、开关二极管和快恢复二极管。

硅管与锗管的区别：导通电压不一样，硅管的导通电压为0.7V，锗管的导通电压为0.3V（正向偏置电压）。2、二级管的分类按材料分为两种：一是硅二极管，二是锗二极管。3、二极管的特性单向导电特性正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压（正向偏置电压），只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。

反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压（反向偏置电压），二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。3、二极管的特性单向导电特性我们可以用个简单的比喻来描述二极管的正向导通反向截止的特性。我们把二极管看成一道平时关闭的但单方向向里开的们，当没有外力作用时，相当于二极管没有加偏压，二极管是关闭的，当给门一个相里推的力时，门打开，就像给二极管加上正向偏压一样，二极管导通。当给们一个向外拉的力时，门不能打开，就像给二极管加上反向偏置电压一样，二极管不能导通。二极管有一个对反向偏压的耐压值，当反向偏压太大时，二极管会被击穿损坏，就像门一样，当给它向外拉的力太大，门就会打开，但门也损坏了。我们可以用个简单的比喻来描述二极管的正向导通反向截止的特性。当给二极管加上外接电源时，我们说给二极管加上了偏置电压，偏置电压的概念非常重要，在后面的许多内容中经常涉及到，偏置有两种，正向偏置和反向偏置。

正向偏置就是给二极管的正极接电源的正极，负极接电源的负极。

反向偏置就是给二极管的负极接电源的正极，正极接电源的负极。当给二极管加上外接电源时，我们说给二极管加上了偏置电压，偏置二极管导通条件正极电压大于负极电压一定值（开启电压）

开启电压：硅管0.6V~0.7V锗管：0.2V~0.3V二极管导通条件正极电压大于负极电压一定值（开启电压）稳压二极管是负极大于正极电压一定值才导通的（它的稳压值）稳压二极管是负极大于正极电压一定值才导通的（它的稳压值）4、二极管的应用4.1半波整流4、二极管的应用4.1半波整流4.2桥式整流用四只二极管构成桥式整流，充分利用了交流电的正负两个周期。全波整流在交流电的正负两个周期时都有两个二极管导通将电压输出，这样经过整流后的波形等于是吧负半周的电压都转成正的了，在经过C1滤波以后就成了平滑的直流电。4.2桥式整流全波整流在交流电的正负两个周期时都有两个二极管企业7S整理整顿的术语4.3限幅4.3限幅5、稳压二极管

稳压二极管简称稳压管稳压二极管是利用二极管反向击穿的特性来工作的，正常工作时，稳压二极管是反向偏置的，即稳压二极管的正极接电源的负极。稳压二极管的负极接电源的正极，当反向偏置电压大于大于二极管的额定反向电压时，二极管被击穿导通，稳压二极管的电压基本不变，从而达到稳压的目的。5、稳压二极管576、发光二极管

发光二极管简称为LED发光二极管在手机中主要用作背景灯以及键盘灯，电容现在还有跑马灯等等，发光二极管一般分为红绿黄等等，它发光的颜色取决于它的制作材料，法官二极管对电流有要求，一般的为及毫安到几十毫安，发光二极管的发光强度一般分它的正向电流成线性关系，但如果流过反光二极管的电流太大，就会造成发光二极管的损坏实际运用中，一般在二极管的电路中串接一个限流电阻，用来防止大电流对二极管造成的损坏。发光二极管只工作在正偏状态，正常情况下，它的正向电压为1.5-3V之间。发光二极管图形符号看图576、发光二极管7、变容二极管

电容是一个存储电荷的原件，当其两端的电压变化时，其存储的电荷也发生变化，因此就出现充放电现象，PN结除了单向导电外，也具有上述特性，也就是说它具有电容效应，变容二极管是一种特殊的二极管，它利用了PN结的电容效应，为了使这种电容效应显著，给二极管加上反向偏置，当二极管两端的反向电压发生变化时，二极管的结电容也随之变大变小。二极管的结电容大小除了与本身结构和工艺外，还与外加的反向电压有关。变容二极管是利用PN结的电容效应，并采用特殊工艺使德、得结电容随反向偏压的变化比较灵敏的一种特殊二极管，变容二极管的图形符号看下图：7、变容二极管变容二极管的特性在手机电路中，变容二极管起着非常重要的作用，是一个非常重要的器件。与一般二极管不同的是变容二极管是反向偏压才能正常工作的，即变容二极管的负极接电源的正极，变容二极管的正极接电源的负极，在电路中，变容二极管的正极总是接地的看图当变容二极管的反向偏压增大时，变容二极管的结电容变小，当变容二极管的反向偏压减小时，变容二极管的结电容增大。变容二极管的特性

变容二极管是一个电压控制元件，通常用于振荡电路，与其他元件一起构成压控振荡器，VCO。在VCO电路中，主要利用它的结电容随反偏变化而变化的特性，通过改变变容二极管的两端的电压便可改变变容二极管两边的电容的大小，以改变振荡回路，从而改变振荡频率。一般情况下，我们从图纸上看到变容二极管的符号，不论是模拟手机GSM手机还是CDMA手机，基本都可以断定这2是一个压控振荡器。变容二极管是一个电压控制原件。那么它所存在的电路就一定有一个电压控制信号，在手机电路中，这个电压控制信号来自频率合成环路中的鉴相器的输出端，而变容二极管的负极就是VCO电路的频率控制端。变容二极管是一个电压控制元件，通常用于振荡电路，在VCO电路（即压控振荡器）中，从变容二极管的负极出发，只能经过电阻和电感，遇上电容就回头，这样我们找到的芯片的端口就是锁相环电路中鉴相器（PD）的输出端，从图中我们可以看出。在变容二极管的负极到PD输出端之间的电路就是一个低通滤波器（LPF)不管它的电路怎么变，在图中的箭头方向不能有电容，否则没这个线路不是VCO的控制信号线。在VCO电路（即压控振荡器）中，从变容二极管的负极出8、二极管的测量及好坏判断

8.1、二极管的测量

将万用表打到蜂鸣二极管档，红表笔接二极管的正极，黑笔接二极管的负极，此时测量的是二极管的正向导通阻值，也就是二极管的正向压降值。不同的二极管根据它内部材料不同所测得的正向压降值也不同。8.2、好坏判断

正向压降值读数在300--800为正常，若显示为0说明二极管短路或击穿，若显示为1说明二极管开路。将表笔调换再测，读数应为1即无穷大，若不是1说明二极管损坏。

正向压降值在200左右时，为稳压二极管；快恢复二极管的两读数都在200左右正常。

8、二极管的测量及好坏判断8.1、二极管的测量

将万9、二极管的代换原则9.1、主板上的二极管只要大小、模样相同即可代换，如红色的玻璃管。9.2、不同用途之间的二极管不能代用，硅二极管和锗二极管之间也不能代用。9.3、快恢复二极管中，RBYR1535、PBYR2045、PBYR2545这三种型号可互换使用，其它要原型号代换。9.4、更换二极管时要认清正负极，不能接反，否则电路不能正常工作。9.5、二极管为开路故障时可以先不拆下，直接用一个新的二极管并联上去（焊在原二极管的引脚焊点上）。9.6、怀疑二极管击穿或性能不良时，一定要将原二极管拆下，再焊上新的二极管。9、二极管的代换原则9.1、主板上的二极管只要大小、模样相同三、三极管三、三极管1、简介半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。1、简介2、工作原理

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。2、工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分3、封装形式指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。3、封装形式指定该管的外观形状，如果其它参4、三极管的分类晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。1）按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。2）按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。3）按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。4）按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。5）按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。6）按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。4、三极管的分类晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种5、三极管的基本结构5、三极管的基本结构6、三极管电极和管型的判别目测法

6.1、管型的判别一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部分标准，三极管型号的第二位（字母），A、C表示PNP管，B、D表示NPN管（A、B表示锗管（Ge)，C、D表示硅管（Si）），例如：

3AX为PNP型低频小功率管（Ge)3BX为NPN型低频小功率管（Ge)

3CG为PNP型高频小功率管（Si)3DG为NPN型高频小功率管（Si)

3AD为PNP型低频大功率管（Ge)3DD为NPN型低频大功率管（Si)

3CA为PNP型高频大功率管（Si)3DA为NPN型高频大功率三级管（Si)此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外，其余均为NPN型管。6.2、管极的判别常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装（半柱型）等外型。用万用表电阻档判别三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。6、三极管电极和管型的判别目测法①基极的判别判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时假定极就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏（电阻均较小）的情况下，红表笔接基极。实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好（与二极管PN结的测量方法一样），又可确认管型。②集电极和发射极的判别确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极（即用手指代替基极电阻Rb）。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。注：采用数字万用表测量三极管以NPN型为例，档位选择为“二极管”，黑表笔纺织在基极，红表笔分别放置在集电极和发射极，可以检测到600左右的PN结的数值；PNP型号把表笔反接即可。①基极的判别7、开关电路三极管工作状态有三种，放大、饱和、截止，其中又以放大状态最为复杂，主要用于小信号的放大领域，由于三极管搭建放大电路需要计算复杂，使用元件多，再加下现在集成电路的成本降低，使用方便，基本三极管放大电路已经没有人使用了，而三极管的里一个电路开关电路却被广泛使用。下表是三极管在各个工作状态需要满足的条件。7、开关电路三极管工作状态有三种，放8、三极管的作用晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，他是电子电路的核心元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。8、三极管的作用晶体三极管，是最常用的基本元器刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器，此外三极管还有稳压的作用。刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以三极管输出特性三个区域的特点:(1)放大区发射结正偏，集电结反偏IC=IB,且

△

IC=

△

IB(2)饱和区

发射结正偏，集电结正偏，即UCE≤UBE

，

IB>IC，饱和导通电压UCE0.3V

(3)截止区

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0

UCE≈UCC三极管输出特性三个区域的特点:(1)放大区(2)饱和区(四、场效应管四、场效应管1、简介场效应管（简称MOS管）是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。MOSFET分为P沟道增强型、P沟道耗尽型和N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型。增强型MOS具有应用方便的“常闭”特性（即驱动信号为零时，输出电流等于零）。在开关电源中使用的MOS管几乎全是N沟道增强型器件。MOS管主要具备较大的安全工作区、良好的散热稳定性和非常快的开关速度。1、简介场效应管（简称MOS管）是由加在输入端栅极的电压来控2、MOS管主要工作特性（优点）其工作频率可以达20KHz以上，有的甚至可以达到100KHz~200KHz~2MHz，从而可以选用小型化的磁性元件和电感；是一种电压控制元件，驱动电路设计比较简单；MOS管中大都集成有阻尼二极管，而三极管区没有这个阻尼二极管；体积小、重量轻；高速、大功率、高耐压（可以达到1400V以上NMOS）；高增益，存储时间不受限制，不会热击穿。2、MOS管主要工作特性（优点）其工作频率可以达20KHz以3、MOS管主要工作特性（缺点）导通电阻（Rds(on)）较大，具有正温度系数，用在大电流开关状态时，导通损耗较大；开启门限驱动电压较高（一般2~4V）；P沟道MOS管耐压还不是很高，很难找到与N沟道配对的“图腾柱”输出。3、MOS管主要工作特性（缺点）导通电阻（Rds(on)）较4、MOS管的符号和工作原理NMOS/PMOS的符号为：工作原理：N沟道：当UGS

大于导通电压时，D-S极导通；P沟道：当UGS

小于导通电压0时，D-S极导通；S(Source)：源极G(Gate)：栅极D(Drain)：漏极B(Substrate):衬底4、MOS管的符号和工作原理NMOS/PMOS的符号为：工作等效电路OFF，截止状态ON，导通状态等效电路OFF，截止状态ON，导通状MOS管原理MOS管是电压控制器件，为了在D极获得一个较大电流，在MOS管的G极和S极间必须加一个受控的电压，因MOS的栅极与源极在电气上是靠硅氧化层相互隔离的，管子加电后只有很少的一点漏电流从所