电子技术基础(模拟部分)第五版-第5章-康华光

第五章

场效应管放大电路耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管的分类：场效应管

场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。

按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。金属-氧化物-半导体场效应管

绝缘栅型场效应管MetalOxideSemiconductor——MOSFET

分为增强型

N沟道、P沟道

耗尽型

N沟道、P沟道增强型：没有导电沟道，耗尽型：存在导电沟道，N沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET5.1.5MOSFET的主要参数5.1.2N沟道耗尽型MOSFET5.1.3P沟道MOSFET5.1.4沟道长度调制效应5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox

：绝缘层厚度通常W>L5.1.1N沟道增强型MOSFET剖面图1.结构（N沟道）符号N沟道增强型场效应管动画演示mosfet场效应管结构N沟道增强型场效应管的工作原理（1）栅源电压VGS的控制作用

当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压,在D、S间也不可能形成电流。

当0＜VGS＜VT(开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。1.

栅源电压VGS的控制作用

当VGS＞VT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。ID

形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压VDS，就能产生漏极电流

ID，即管子开启。

VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样VDS

电压作用下，ID

越大。这样，就实现了输入电压VGS

对输出电流ID

的控制。1.

栅源电压VGS的控制作用2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响

当VGS＞VT且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压VDS则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID，当ID从D

S流过沟道时，沿途会产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大，为VGS

，由此感生的沟道最深；离开源极端，越向漏极端靠近，则栅—沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；

直到漏极端，栅漏间电压最小，其值为：

VGD=VGS-VDS

,由此感生的沟道也最浅。可见，在VDS作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。若VDS进一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。A2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响

当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS

基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响

当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响

当VDS增加到使VGD

VT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始，ID基本不随VDS增加而变化。2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用动画演示mosfet场效应管工作原理3.

V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程①截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。3.

V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程②可变电阻区

vDS≤（vGS－VT）由于vDS较小，可近似为rdso是一个受vGS控制的可变电阻3.

V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程②可变电阻区

n：反型层中电子迁移率Cox：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容本征电导因子其中Kn为电导常数，单位：mA/V23.

V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程③饱和区（恒流区又称放大区）vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT时的iDV-I特性：3.

V-I特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性MOSFET的特性曲线1.漏极输出特性曲线2.转移特性曲线—VGS对ID的控制特性

转移特性曲线的斜率

gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。其量纲为mA/V，称gm为跨导。

gm=

ID/

VGS

Q

（mS)

ID=f(VGS)

VDS=常数增强型MOS管特性小结绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型耗尽型MOSFET

N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小ID逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS值为夹断电压VP

。5.1.2N沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理（N沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流5.1.2N沟道耗尽型MOSFET2.V-I特性曲线及大信号特性方程

（N沟道增强型）5.1.3P沟道MOSFET耗尽型MOSFET的特性曲线绝缘栅场效应管

N沟道耗尽型P沟道耗尽型5.1.5MOSFET的主要参数一、直流参数NMOS增强型1.开启电压VT

（增强型参数）2.夹断电压VP

（耗尽型参数）3.饱和漏电流IDSS

（耗尽型参数）4.直流输入电阻RGS

（109Ω～1015Ω

）二、交流参数1.输出电阻rds

当不考虑沟道调制效应时，

＝0，rds→∞

5.1.5MOSFET的主要参数2.低频互导gm

二、交流参数考虑到则其中5.1.5MOSFET的主要参数end三、极限参数1.最大漏极电流IDM

2.最大耗散功率PDM

3.最大漏源电压V（BR）DS

4.最大栅源电压V（BR）GS

各种场效应管所加偏压极性小结FET放大电路组成原则及分析方法(1)静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，FET的偏置电路相对简单。(2)动态：能为交流信号提供通路。组成原则：静态分析：估算法、图解法。动态分析：小信号等效电路法。分析方法：5.2MOSFET放大电路由FET组成的放大电路和BJT一样,要建立合适的静态工作点。所不同的是,FET是电压控制器件,因此它需要有合适的栅极-源极电压。现在以N沟道增强型MOSFET为例说明如下:(1)简单的共源极放大电路若计算出来的若计算出来的则说明NMOS管工作在饱和区则说明NMOS管工作于可变电阻区(2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路P沟道MOS管电路的分析与N沟道类似,但要注意其电源极性与电流方向不同。场效应管（FET）放大电路FET放大电路的直流偏置及静态分析1.直流偏置电路FET为电压控制器件，因此用FET组成放大电路，需要设置合适的栅极电压（简称栅压，为Q点电压）。工程中常用的FET放大电路的偏置方式有两种，现以N沟道耗尽型MOSFET为例介绍如下：

（1）自给偏压电路如图2-28a所示。因为在FET的源极接入了Rs，所以即使uGS=0，也有漏源电流ID流过Rs，而栅极经RG接地，UG=0V，故在静态时负栅压UGS=UG-US=0V-IDRS。可见该电路的直流偏压是靠本身源极电阻Rs上的压降设置的，故名自给偏压式电路。另电路种Cs对Rs起交流旁路作用，Cs为源极旁路电容。a）自给偏压式电路+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVT+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVT

RG2

RG1b）分压式偏置电路

（2）分压式偏置电路这种直流偏置电路类同于自举式射极输出器的偏置电路，见图2-28b。电源电压VDD经RG1、RG2分压后，经RG提供栅压同时ID在Rs上也产生直流压降Us=IDRs。因而FET的栅—源电压为2.Q点的确定

（1）估算法对于图示自给偏压式FET放大电路，联立求解以下两式，便可确定该电路的Q点两式中IDSS、UGS(off)和Rs为已知，iD、uGS为未知，两个方程式两个未知数，可联立求出。对于图示分压式偏置FET放大电路，则可联立以下两式来估算Q点

例（1）图电路，设RG=10MΩ，Rs=2kΩ，RD=18kΩ，VDD=20V，N沟道耗尽型MOSFET输出特性如图2-29b所示，试用图解法确定该电路的Q点；（2）图电路，设RG1=2MΩ，RG2=47kΩ，RG=10MΩ，RD=30kΩ，Rs=2kΩ，VDD=18V，FET的UGS(off)=-1V，IDSS=0.5mA。试用估算法确定Q点。

（2）图解法

下面用例题来说明图解法确定FET放大电路的Q点。解：（1）图解法步骤如下：1）在输出特性上作直流负载线由原电路图输出回路有根据此方程就可在输出特性上作直流负载线MN，如图所示。2）在iD

~uGS坐标系中作负载转移特性见图，由直流负载线MN与各支输出特性曲线之交点a、b、c、d和e相应的iD、uGS值，在iD~uGS坐标平面上分别得到a、b、c、d和e各点，连接这些点，就可得到负载转移特性iD=f（uGS），这是求出Q点所要用的曲线①。3）仍在iD~uGS坐标系中作源极负载线对应图示自给偏压放大电路，iD、uGS还需满足式（2-47），即

这是一个在iD~uGS坐标系上过原点的直线方程，作出该直线段OL：iD=-uGS/Rs，由于其斜率为-1/Rs，所以称之为源极负载线（见图中曲线②）。4）确定Q点源极负载线OL与负载转移特性曲线之交点，即曲线②与曲线①之交点，就是静态工作点Q。5）截出Q点的电压、电流值UGS≈-0.75V，ID≈0.37mA，UDS≈12.5V。整理以上方程式，可得将uGS式代入iD式中，并整理得解之得iD=（0.95±0.64）mA。因IDSS=0.5mA，iD=ID应小于IDSS，故取ID=0.31mA，从而UGS=0.4-2ID=-0.22V，UDS=VDD-ID（RD+RS）≈8.1V。

（2）

对于图2-28b放大电路，将FET转移特性式与式联立，有§5.2FET放大电路的动态分析1.FET的交流低频小信号模型

与BJT的H参数模型的建立过程相类同，将FET看作是一个双口网络，如图所示。因FET的栅极电流iG=0，故应为iD与uGS、uDS成函数关系，即+-uGS+-uDSGSDVTiDa）共源接法时的双口网络图2-30场效应管的微变等效电路对上式求全微分，得令和在低频小信号条件下，FET在Q点附近小范围内，可以直代曲，即可认为此时特性曲线线性，gm及rds为常数，并且式中各微变量也可用有限的正弦有效值表示，即式可表示为UgsrdsgmUgsUds+-+-SDGIdb）低频小信号模型图2-30场效应管的微变等效电路据此式，可画出2-30b的FET低频小信号模型。因FETIg=0，故输入端可开路表达。gm是跨导，由式定义，gmUgs表示压控电流源；输出电阻rds由式定义，它与BJT的rce意义相同。2.应用微变等效电路分析FET放大电路（1）共源电路

例2.8FET共源放大电路如图所示，现重画于下方，试导出其Au、Ri和Ro的计算式。+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVTa）电路图解：画出该放大电路的微变等效电路，如图b所示。图中rds未画出，是因为rds//RD，而rds>>RD,，故可将rds开路处理。UiRDgmUgsUo+-+-SDGIdRGUgs+-RLRL′b）微变等效电路图图2-31自给偏压式电路1）电压放大倍数Au

由图写出式中RL=RD//RL，负号说明共源电路的Uo与Ui反相。2）输入电阻Ri

由图得出3）输出电阻Ro

根据求Ro的定义（2-55）（2）共漏放大电路（源极输出器）

例图为FET共漏放大电路。因为其分压式偏置电路与图电路一样，所以这里不再赘述。试用微变等效电路法对这一共漏电路作出动态分析。+-Ui

RG

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RSGSDVT

RG2

RG1a）电路图IoUiRSgmUgsUo+-+-SDGRGUgs+-RL′RiRG1RG2IRSRob）微变等效电路图2-32场效应管共漏放大电路解：1）电压放大倍数先画出如图b所示的微变等效电路图，由图可推导出式中RL=RS//RL。因gmRL>>1，故Au≈1，且Uo与Ui同相，Uo≈Ui，故其又名源极跟随器，与射极跟随器特性相仿。所以3）输出电阻

将Ui短路，RL开路，则Ugs=-Uo，且图中显然，共漏放大电路的Ro比共源放大电路的要小一些。2）输入电阻由图2-32b可知，因栅极开路，故4.4FET的交流参数和小信号模型

4.4.1

FET的主要交流参数

1）

低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。2）漏极内阻rds：很大，可忽略。

4.4.2

FET的小信号模型GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds场效应管放大电路小结(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。(3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。输出电阻：

三种基本放大电路的性能比较BJTFET输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：

三种基本放大电路的性能比较组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：结型场效应管1.结构2.工作原理

N沟道PN结N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。

在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。①栅源电压VGS对iD的控制作用

当VGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；VGS更负，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。②漏源电压VDS对iD的影响

在栅源间加电压VGS＞VP，漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP

时，在紧靠漏极处出现预夹断点，

随VDS增大，这种不均匀性越明显。当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。JFET工作原理

（动画2-9)（动画2-6）(3)伏安特性曲线①输出特性曲线恒流区：(又称饱和区或放大区）特点:(1)受控性：

输入电压vGS控制输出电流(2)恒流性：输出电流iD

基本上不受输出电压vDS的影响。用途:可做放大器和恒流源。条件:(1)源端沟道未夹断

(2)源端沟道予夹断

可变电阻区特点:(1)当vGS为定值时,iD是

vDS的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受

vGS控制。

（2）管压降vDS很小。用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件：源端与漏端沟道都不夹断

夹断区

用途：做无触点的、接通状态的电子开关。条件：整个沟道都夹断

击穿区

当漏源电压增大到

时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD

剧增的区域。其值一般为（20—50）V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。特点：②转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制结型场效应管的特性小结结型场效应管

N沟道耗尽型P沟道耗尽型场效应三极管的参数和型号一、场效应三极管的参数

1.

开启电压VT

开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。

2.夹断电压VP

夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。3.饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。4.

输入电阻RGS

结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω；绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。

5.低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，

gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS

(毫西门子)。

6.最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM=VDSID决定，与双极型三极管的PCM相当。(2)场效应三极管的型号

场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。几种常用场效应三极管的主要参数双极型三极管与场效应三极管的比较

双极型三极管场效应三极管结构与分类NPN型结型N沟道P沟道绝缘栅增强型N沟道

P沟道PNP型绝缘栅耗尽型

N沟道

P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移

输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源电压控制电流源噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，且有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型

N沟道P沟道场效应管放大电路（1）偏置电路及静态分析分压式自偏压电路直流通道VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGS=VG－VS=VG－IDRID=IDSS[1－(VGS/VP)]2VDS=VDD－ID(R+Rd

)

由此可以解出VGS、ID和VDS。(1)直流分析小信号分析法低频模型高频模型(2)交流分析小信号等效电路①电压放大倍数②输入电阻

③输出电阻常用元器件电阻电容半导体器件电阻电阻是最常用、最基本的电子元件之一。其在电路中的主要用途是：分压、限流和充当负载。电阻的分类绕线电阻（RX）:用电阻丝绕成，误差小、精度高、功率大。但分布电感大，不易获得高阻值。薄膜电阻：在陶瓷管表面覆以电阻薄膜。敏感电阻碳膜电阻（RT）：稳定性好；阻值范围宽，造价低。金属膜电阻（RJ）：体积小，稳定性好。电位器电阻的参数电阻最主要的参数是阻值和额定功率。额定功率为电阻在电路中允许消耗的最大功率（P＝UI）一个电阻，它所标称的阻值称为标称阻值，单位为Ω。标称值严格按照国际或国家标准标注。按不同的误差大小，其标称值在1～10之间的数量也不一样。误差为±5％时，1～10之间有标称值24个。（E24系列）误差为±10％时，1～10之间有标称值12个。（E12系列）误差为±20％时，1～10之间有标称值6个。（E6系列）阻值标示方法直接法：用数字和单位直接标示阻值的方法，通常Ω可省略。如4.7K。文字符号法：用数字与特殊符号组合，常见符号有M、K、R。如4K7，1R9。数字表示法：常见于贴片电阻，用3～4位整数表示阻值，单位为Ω。（前2～3位表示有效值，末位表示倍率）如102＝1000Ω，1001＝1000Ω色环表示法：用不同颜色的色环在电阻表面上标志出电阻主要参数的方法。5位色环在读色环电阻时，应正确识别第一色环，一般第一色环距电阻头较近。17510-1

±1％4位色环27103

±5％如果只有3条色环，则代表此电阻的允许误差为±20％电容电容也是最常用、最基本的电子元件之一。电容在电路中，可用于隔直流、通交流，滤波、旁路或与电感线圈组成振荡回路。电容的分类根据介质的不同，分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容几种。陶瓷电容：体积小，自体电感小。云母电容：性能优良，高稳定，高精密。纸质电容：价格低，容量大。薄膜电容：体积小，但损耗大，不稳定。电解电容：容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）电容的参数识别和选用主要参数是容量和耐压值。常用的容量单位有μF（10-6F）、nF（10-9F）和PF（10-12F），标注方法与电阻相同。电容的选用应考虑使用频率、耐压。电解电容还应注意极性，使+极接到直流高电位，还应考虑使用温度。当标注中省略单位时，默认单位应为PF电容大小的表示方法（一）标有单位的直接表示法：有的电容的表面上直接标志了其特性参数，如在电解电容上经常按如下的方法进行标志：4.7u/16V，表示此电容的标称容量为4.7uF，耐压16V。不标单位的数字表示法：许多电容受体积的限制，其表面经常不标注单位。但都遵循一定的识别规则。当数字小于1时，默认单位为微法,当数字大于等于1时，默认单位为皮法。电容大小的表示方法（二）p、n、u、m法：此时标识在数字中的字母：p、n、u、m即是量纲，又表示小数点位置。如某电容标注为4n7表示此电容标称容量为4.7×10-9F=4700pF。色环(点)表示法：该法同电阻的色环表示法,单位为pF。半导体器件半导体器件是电子元器件中功能和品种最为复杂的一类器件。由于历史发展的原因，各国对其功能分类及命名的方法各不相同。二极管三极管基本元件的安装与使用

下面将就以上介绍的基本元件在实际电路中的安装进行一些介绍。元件的安装固定方式

根据外壳大小、数量等可分为直立式和横卧式两种，可按照要求排列。下图也是各种不同的元件固定形式一般来说，元件安装时要与线路板留出一

定距离，避免出现问题。比较几种元件的安装3瓦以上电阻的安装正确不正确正确不正确普通电阻的安装电容的安装高度不齐不规范未成型且管脚高度高

元器件命名法1、国产半导体分立元件标准（国标）2、国产半导体集成电路标准（国标）1、国产半导体分立元件标准（国标）

中国国家标准（GB—249—74）规定的中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性第三部分：用汉语拼音字母表示器件的

类型第四部分：用数字表示器件序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号第一部分用数字表示器件的电极数目符号和意义2二极管3三极管第二部分用汉语拼音字母表示材料和极性第二部分（二极管）

AN型锗材料BP型锗材料CN型硅材料DP型硅材料第二部分（三极管）APNP型锗材料BNPN型锗材料CPNP型硅材料DNPN型硅材料E化合物材料第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型P普通管V微波管W稳压管C参量管第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管第三部分X低频小功率管（f

<3MHz,Pc<1W）G高频小功率管（f

≥3MHz,Pc<1W）D低频大功率管（f

<3MHz,Pc≥1W）A高频大功率管（f

≥3MHz,Pc≥1W）第三部分T闸流管（可控整流器）Y体效应器件B雪崩管J阶跃恢复管CS场效应管BT特殊器件FH复合管PINPIN型管JG激光器件第三部分注：有些半导体器件（如场效应管、特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件等）的型号第三部分只有其中的三、四、五部分第四部分用数字表示器件序号第五部分用汉语拼音字母表示规格号示例锗PNP型高频小功率三极管

3AG11C

规格号序号高频小功率

PNP型锗材料

三极管

示例CS2B

规格号

序号场效应器件日本半导体型号标准日本工业标准（JIS-C-7012）规定的日本半导体分立器件型号命名方法由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及意义见实验讲义。示例

2SA495

JEIA登记号

PNP高频管

JEIA注册产品三极管示例2SC502A

2SC502改进型

JEIA登记号

NPN高频管

JEIA注册产品

三极管欧洲半导体器件型号命名法欧洲各国（德国、法国、意大利、荷兰等和匈牙利、罗马尼亚、波兰等国家），大都是用国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名法。这种命名法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义见实验讲义。示例

BTX64—200

最大反向峰值电压200伏

专用器件登记号

大功率可控硅

硅材料

美国半导体型号命名方法美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号由五部分组成。第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及其意义见实验讲义。示例JAN2N3553

登记号

注册标志

三极管

军用品示例2N1050C2N1050的C档

EIA登记号

EIA注册标志非军用品

2、国产半导体集成电路标准

第一部分：用字母表示器件符号（国标）

第二部分：用字母表示器件类型

第三部分：用阿拉伯数字表示器件系列和品种代号

第四部分：用字母表示器件的工作温度范围

第五部分：用字母表示器件的封装

第一部分

C（中国制造）

第二部分

用字母表示器件类型TTTLHHTLEECLCCMOS第二部分（续）F线性放大器D音响电视电路W稳压器J接口电路B非线性电路M存储器μ微机电路

第三部分第三部分：用阿拉伯数字表示器件系列第四部分用字母表示器件的工作温度范围C0～70ºC

E－40～85ºC

R－55～85ºC

M－55～125ºC

第五部分

用字母表示器件的封装

W陶管扁平

B塑料扁平

F全密封扁平

D陶瓷直插

P塑料直插

J黑陶瓷直插

K金属菱形

T金属圆形

------------

实例CF0741CT线性通用运放

0～70ºC

金属圆形封装实例

CC14512MF

CMOS8选一数据选择器－55～125ºC

全密封扁平封装

欧洲集成电路型号命名法欧洲各国生产的集成电路绝大部分按欧洲电子联盟规定命名。欧洲集成电路型号基本规律型号由三部分组成。第一部分由三个字母组成，第一个字母表示无线电类；第二个字母表示使用范围，如表示0~70℃，表示—55~125℃，表示

—25~70℃。第三个字符没有特殊规定。第二部分由阿拉伯数字组成，表示器件的序号及类型。第三部分是尾标，表示封装形式。通常有两种：一种是用一个字母表示。如：表示圆柱型；表示塑料双列；表示陶瓷双列；表示四列引线；表示扁平；表示芯片。

另一种用两个字母表示，第一个字母表示封装形式，如表示柱行；表示双列引线；表示功率双列引线；表示扁平双列引线；表示扁平四列引线；表示菱形；表示多重引线；表示带散热片国率性四列引线；表示三列引线。第二个字母表示封装材料，如：C表示金属—陶瓷；P表示塑料；G表示玻璃—陶瓷。实例TDA0161DP

塑料双列封装(第三部分)

感应开关集成电路(第二部分)

法国汤姆逊公司生产(第一部分)

国外厂家型号

美国仙童公司μA、F

美国国民半导体公司LF、LM、LH

美国模拟器件公司AD

日本松下AH

日本东