微电子器件课件32_第1页
微电子器件课件32_第2页
微电子器件课件32_第3页
微电子器件课件32_第4页
微电子器件课件32_第5页
已阅读5页，还剩12页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

微电子器件课件32由于WB<<LB，根据2-2-6节薄基区二极管的近似结果，可得：以下用pB代表基区非平衡少子浓度

pn

。这里必须采用薄基区二极管的

精确结果，即：pB(0)x0WB近似式，忽略基区复合精确式，考虑基区复合pB(x)再利用近似公式(x很小时），得：根据基区输运系数的定义，得：静态下的空穴电荷控制方程为下面再利用电荷控制法来求。另一方面，由薄基区二极管的

近似公式，从上式可解出，代入Jpr中，得：BEC0WBJpEJpC式中，即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使WB↓，LB↑。上面只考虑了少子在基区体内的复合损失，但实际上少子在

基区表面

也会发生复合，使基区输运系数减小。生产中必须严格控制表面处理工艺，以减小表面复合。3.2.2基区渡越时间

定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的

基区渡越时间，记为

b

。可以设想，在

b期间，基区内的少子全部更新一遍，因此的物理意义：时间，代表少子在单位时间内的复合几率，因而就代表少子在基区停留期间被复合的几率，而则代表未复合掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。

b代表少子在基区停留的平均

注意

b

与

B

的区别

3.2.3发射结注入效率

定义：从发射区注入基区的少子形成的电流IpE与总的发射极电流IE之比，称为

注入效率（或

发射效率），记为，即：当WB

<<LB及WE

<<LE时，为提高，应使NE>>NB

，即（NB

/NE）<<1，则上式可近似写为将代入

中，得：再利用爱因斯坦关系，得：注意：DB、DE代表

少子

扩散系数，

B、

E代表

多子

迁移率。利用

方块电阻

的概念，

可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为

R口。对于均匀材料，对于厚度方向（x方向）上不均匀的材料，对于均匀掺杂的发射区与基区，中，可将表示为最简单的形式，代入前面得到的公式的典型值：R口E=10Ω，R口B1=1000Ω，γ=0.9900

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 作业报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论