第1章.绪论-哈工大-第三版-材料分析测试

绪

论第

一篇材料X射线衍射分析第一章

X射线物理学基础第二章

X

射线衍射方向第三章

X射线衍射强度第四章多晶体分析方法第五章物相分析及点阵参数精确测定第六章宏观残余应力的测定第七章多晶体织构的测定本教材主要内容2第二篇材料电子显微分析第八章电子光学基础第九章透射电子显微镜第十章电子衍射第十一章晶体薄膜衍衬成像分析第十二章高分辨透射电子显微术第十三章扫描电子显微镜第十四章电子背散射衍射分析技术第十五章电子探针显微分析第十六章其他显微分析方法本教材主要内容3■

本课程的特点：以分析仪器和实验技术为基础■本课程的内容主要包括：

X

射线衍射仪、电子显微镜等分

析仪器的结构与工作原理、及与此相关的材料微观组织结

构和微区成分的分析方法原理及其应用■本课程的意义在于：通过材料微观组织结构和微区成分分

析，揭示材料组织结构与性能的关系，即组织是性能的内

在根据，性能是组织的对外表现

；确定材料加工工艺和组

织结构的关系，以实现微观组织结构控制■本课程的基本要求：了解常用的现代分析仪器的基本结构

和工作原理；掌握常用的实验分析方法；能正确选用合适

的分析方法解决实际工作中的问题绪

论4第

一

篇材料X射线衍射分析■

1895年德国物理学家伦琴发现了X

射线，随后医学界将其

用于诊断和医疗，后来又用于金属材料和机械零件的探伤■

1912年德国物理学家劳埃发现了X

射线在晶体中的衍射现象，为物质结构研究提供了一种崭新的方法，后来发展成

为X

射线衍射学■1912年英国物理学家布拉格提出了晶面“反射”X

射线的概念，推导出至今被广泛应用的布拉格方程■1914年莫塞来发现特征X

射线波长和原子序数有定量的对应关系，这一原理应用于材料成分检测■X

射线衍射分析研究内容很广，主要包括相分析、精细结构研究和晶体取向测定等

5第一章

X

射线物理学基础第二章

X

射线衍射方向第三章

X

射线衍射强度第四章多晶体分析方法第五章物相分析及点阵参数精确测定第六章宏观残余应力的测定第七章多晶体织构的测定第

一

篇材料X射线衍射分析6本章主要内容第一节

X射线的性质第二节

X射线的产生及X射线谱第三节

X

射线与物质的相互作用第一章

X

射线物理学基础7●

X射线是一种波长很短的电磁波●

X射线的波长范围为0.01~10nm,用于衍射分析的X

射线波长为0.05~0.25nm●

X射线一种横波

，由交替变化的

电场和磁场组成●

X射线具有波粒二相性

，因其波

长较短，其粒子性较为突出，即

可以把X射线看成是一束具有一

定能量的光量子流，E=hv=hclλ

(1-2)式

中

，h是普朗克常数；c是

光

速

；v

是X射线的频率，λ是X射线的波长8第一节X射线的性质1MHz

10°1kHz图1-1

电磁波谱●X

射线穿过不同介质时，折射系数接近1,几乎不产生折射现象●

X射线肉眼不可见，但具有能使荧光物质发光、能使照相底板感光、能使一些气体产生电离的现象●X

射线的穿透能力大，能穿透对可见光不透明的材料，特别是波长在0.1nm

以下的硬X

射线●X

射线照射到晶体物质时，将产生散射、干涉和衍射等现象，与光线的绕射现象类似第一节X射线的性质●

X射线具有破坏杀死生物组织细胞的作用9●

图1-2所示的X

射线管是产生

X

射线的装置●

主要由阴极(W

灯丝)和用

(Cu,Cr;Fe,Mo)

等纯金属制

成的阳极(靶)组成●

阴极通电加热，在阴、阳

极之间加以直流高压(约数mA

万伏)●阴极发射的大量电子高速飞

向阳极，与阳极碰撞产生X

射线连续X射线和特征X射线x

射线A

e

CUX射线kV-O

O图1-2

X

射线管结构示意图第二节X

射线的产生及X射线谱220V10i一、连续X射线谱强度随波长连续变化的谱线称连续X

射线谱

，见图1-3第二节X射线的产生及X射线谱图1-3管电压、管电流和阳极靶原子序数对连续谱的影响a)管电压的影响b)管电流的影响c)阳极靶原子序数的影响

11x射线的强度(相对单位)λ/nma)b)c)第二节X射线的产生及X射线谱一、连续X

射线谱由图1-3可见，连续X射线谱的特点是，

X射线的波长存在最小值λswr,

其强度在λ,.处有最大值●

当管电压U

升高时，各波长X

射线的强度均提高，

短波限

hswL和强度最大值对应的波长λ,减小●

当管电流i

增大时，各波长X射线的强度均提高，但Asw.和λ,保持不变●

随阳极靶材的原子序数Z

增大，连续X

射线谱的强度提高，

但AswL

和λ.保持不变12第二节X

射线的产生及X射线谱一、连续X

射线谱连续谱强度分布曲线下的面积即为连续X

射线谱的总强度，其取决于X射线管U

、i

、Z

三个因素I连=K₁iZU²

(1-4)式中，K₁是常数。

X射线管仅产生连续谱时的效率ηη=I连1iU=K₁ZU可见，

X

射线管的管电压越高、阳极靶原子序数越大，X射线管的效率越高。因K₁

约(1.1~1.4)x10-°,

即使采用钨阳极(Z=74)、

管电压100kV,η≈1%,

效率很低。电子击靶时大部分能量消耗使靶发热13第二节X

射线的产生及X射线谱一、连续X射线谱为什么连续X射线谱存在短波限Asw.?用量子理论可以解释连续谱和短波限，若管电压为U,则电子到达阳极靶的动能为eU,

当电子在一次碰撞中将全部能量转化为一个光量子，可获得最大能量hvmx,

其波长即

为λswL,eU=hvmax

=hc

IAswtλswt=K

/U

(1-5)式

中

，K=1.24nm·kV

。

而绝大部分电子到达阳极靶经多次碰撞消耗其能量，因每次能量消耗不同而产生大于λswi的不同

波长的X射线，构成连续谱14二、特征(标识)X

射线谱当

X射线管压高于靶材相应的某一特征值Ux时

，在某些特定波长位置上，将出现一系列强度很高、波长范围很窄的线状光谱，称为特征谱或标识谱，见图1-4;其波长与阳极靶材的原子序数有确定关系，见式(1-6),

故可作为靶材的标志和特征，式

中

，K₂

和σ是常数。表明阳极靶材的原子序数越大，同一线系的特

征谱波长越短15第二节X

射线的产生及X射线谱图1-4

特征X射线谱X射线的强度(相对单位)(1-6)A/nm原子处于高能的不稳定状态，必然自发地向稳态过

渡。若L

层电子跃迁到

K

层填补空位，原子由K

激

发态转为L激发态，能量

差以X

射线的形式释放，

这就是特征X射线，称为K

。

射线二、特征(标识)X

射线谱特征X射线的产生可以用图1-5示意说明，冲向阳极的电子若具有足够能量，将内层电子击出而成为自由电子，此时第二节X

射线的产生及X射线谱图1-5

特征X射线产生示意图16第二节X

射线的产生及X射线谱二、

特征(标识)X射线谱由于L层内还有能量差别很小的亚能级，不同亚能级的电子跃迁将辐射K。和Ka₂射线。若M层电子向K层空位补充，则

辐射波长更短的

Kg射线。特征

X射线的频率可由下式计算

hv=W₂-W₁=(-En₂)-(-E₁)(1-8)式

中

，W₂

、W₁

分别为电子跃迁前后原子激发态能量，

E₂和E,

是所在壳层上的电子能量。根据经典原子模型，原子

内电子分布在一系列的壳层上，最内层(K层)能量最低，按

L、M、N、…

顺序递增17其中R

称为里德伯常数，R=1.0974×107m-1;n₁

和n₂是电子跃迁前后壳层的主量子数，如K

层

n=1,L

层n=2,M

层

n

=3等，

…在K

激发态下，L层电子向K

层跃迁的几率远大于M

层跃迁的几率，所以K

谱线的强度是

Kg的

5

倍

；Ka₁

和Ka₂

谱线的关系为λka₁<λkaz,Ika₁≈

2lkat。

几种元素的特征波长和K

系

谱线的激发电压见表1-1第二节X射线的产生及X射线谱二、

特征(标识)X

射线谱在莫塞莱定律(1-6)式中，18靶

材ZK系列特征谱波长/0.1nmK吸收限λk/0.1nmIJUK/kVU适宜/kVKa₁K₄₂KaK₈Cr242.289702.293612.291002.084872.070205.4320~25Fe261.936041.939981.937361.756611.743466.4025~30Co271.788971.792851.790261.720791.608156.9330Ni281.657911.661751.659191.500141.488077.4730~35Cu291.540561.544391.541841.392221.280598.0435~40Mo420.709300.713590.717300.632290.6197817.4450~55第二节X射线的产生及X射线谱二、特征(标识)X射线谱表1-1

几种阳极靶材及其特征谱参数注：λka=(2λkai+λka2)/3

19第二节X

射线的产生及X射线谱二、

特征(标识)X

射线谱由表1-1中的数据可见，欲获得波长更短的特征X

射线，需要选用原子序数更大的物质作为阳极。表中Ux

是

K

系特征谱的临界激发电压，阳极靶材原子序数越大，所需临界激

发电压越高。特征谱的强度随管电压U和管电流增大而提高I标=K₃i(U-U₁)”

(1-10)式中

，K₃为

常

数

；U,,为特征谱的临界激发电压，对于K系

，U=Ux;m为常数(K系m=1.5,L

系m=2)为了提高特征谱的强度，应采用较高的管电压，当U/U=4时，I特连最大，所以X射线管适宜的电压为，U

=(3~5)UR20式中，μ是常数，称线吸收系数I=l₀e~4₁t

(1-12)IlI₀

称为透射系数，μ是X

射线通过单位厚度(即单位体积)物质的强度衰

减量，图1-7表示强度随透入深度的

指数衰减关系一、衰减规律和吸收系数如图1-6,强度为I₀的X射线照射厚度为t的均匀物质上，穿过深度为x处的dx厚度时的强度衰减量dII

与dx成正比

，第三节X射线与物质的相互作用图1-6X

射线通过物质

后的衰减(1-11)21第三节X射线与物质的相互作用一、衰减规律和吸收系数单位体积内物质量随其密度而异，因此对于一确定的物质μ₁并不是常量，为表达物质本质的吸收特性，采用质量吸收系

数μ=μ₁lp(p

是吸收物质的密度),代入式(1-12)可得I=I₀e~⁴mP¹=l₀e~"

(1-14)m

为单位面积厚度为t

的体积中物质的质量。因此，L

的物理意义是X射

线通过单位面积单位质量物质的强度衰减量它避开了密度的影响，可以作为反映物质本身对X

射线吸收性质的物理量X

射线强度随透入

深度的变化图1-722第三节X射线与物质的相互作用一、衰减规律和吸收系数●复杂物质的质量吸收系数对于多元素组成的复杂物质，如固溶体、化合物和混合物等，其质量吸收系数仅取决于各组元的质量系数μ,;及各组●

连续谱的质量吸收系数连续X射线穿过物质时，其质量吸收系数相当于一个

有效波长λ有效值(A有效=1.35Aswi)所对应的μm元的质量分数w;,

即(1-15)23第三节X射线与物质的相互作用一、衰减规律和吸收系数●

质量吸收系数与波长λ和原子序数Z

的关系质量吸收系数取决于X

射线的波长λ和吸收物质的原子序数Z,

其关系的经验式如下式

中

，K₄为常数。上式表明，

物质的原子序数越大，对X射线的吸收能力越强；对于一定的吸收体，

X

射线波越短，穿

透能力越强，吸收系数下降。但随波长减小，μ,并非单调下

降

，见图1-8(1-16)Hm≈K₄λ³Z³24一、衰减规律和吸收系数●质量吸收系数与波长λ和原子序数Z

的关系如图1-8所示，吸收系数在某些波长位置突然升高

，

所对应的波长称为吸收限每种物质都有其特定的一系列吸收限，

吸收限是吸

收元素的特征量，将这种

带有特征吸收限的吸收系

数曲线称该物质的吸收谱为什么会存在吸收限?第三节X射线与物质的相互作用图1-8

质量吸收系数与波长的关系曲线25二、

X

射线的真吸收●光电效应当入射X

射线光量子能量等于或略大于吸收体原子某壳层电

子的结合能时，电子易获得能量

从内层逸出，成为自由电子，称

为光电子，这种光子击出电子的

现象称为光电效应。将消耗大量

入射能量，导致吸收系数突增光电效应引起的入射能量消耗为真吸收，真吸收还包括热效应-K

K光电效应、荧光效应和俄歇效

应过程示意图第三节X射线与物质的相互作用荧光X射线

hv

俄歇电子

e4LI.II

L,mhy—K光电子发射LIl,I26二、

X

射线的真吸收●荧光效应因光电效应处于相应的激发态的原子，将随之发生如前所述

的外层电子向内层跃迁的过程，

同时辐射出特征X

射线，称

X

射

线激发产生的特征辐射为二次特

征辐射，称这种光致发光的现象

为荧光效应-K—K光电效应、荧光效应和俄歇效

应过程示意图第三节

X射线与物质的相互作用hv

俄歇电子LjI.IⅢ光电子发射Li,men,m—Lie-K荧光X

射线hy27第三节

X射线与物质的相互作用二、

X

射线的真吸收●荧光效应欲激发原子产生K、L、M

等线系的荧光辐射，入射X

射线光量子的能量必须大于或至少等于从原子中击出一个K、L、M层电子所需的能量W,、W₁

、Wy,

如

，Wx=hvx=hclλk

(1-17)式

中

，vx、λx是产生K系荧光辐射时，入射X射线须具有的频率和波长的临界值。荧光辐射将导致入射X

射线的大量吸

收，故称λ、λ、

λy

等为被照射物质的吸收限对于同一元

素

，λx<λp

<λx

a,

此为同一元素的X

射线

发射谱与其吸收谱的关系28二、

X

射线的真吸收●

俄歇效应原子K

层电子被击出后，L层一个电子跃入K

层填补空位，

而另一个L层电子获得能量逸出

原子成为俄歇电子，称这种一个

K层空位被两个L

层空位代替的

过程为俄歇效应荧光X射线和俄歇电子均为物质的化学成分信号。

荧光X

射线用

于重元素的成分分析，俄歇电子

用于表面轻元素分析-K

K光电效应、荧光效应和俄歇效

应过程示意图29第三节

X射线与物质的相互作用rv

俄歇电子LI.IIhy-K光电子发射Li,me4Lln,mLi荧光X

射线二、

X

射线的真吸收●吸收限的应用如图1-9所示，可利用吸收限两侧吸收系数差别很大

的现象选用滤波片，用以

吸收不需要的辐射，而得

到基本单色的X

射线第三节X射线与物质的相互作用滤波的Mo辐射曲线λ/nm图1-9

滤波片原理示意图相对强度相对吸收30第三节X射线与物质的相互作用二、

X

射线的真吸收●吸收限的应用参照图1-9,可选择一种合适的材料，使其吸收限恰好位于特征谱的K。和Kg波长之间，且尽可能靠近K。线波长。把这

种材料制成薄片—滤波片，置于入射线光路中，将强烈吸收

Kβ线，而对Kα线吸收很少，可以获得基本上为单色的辐射常用靶材的滤波片选择见表1-2,滤波片比靶材的原子序数小1~2,通过调整滤波片厚度，使滤波后Ig

/Ika~1/600当

Z靶<40时，Z

滤=Z

靶-1当

Z

靶>40时，Z

滤=Z

靶-231阳

极

靶滤波片(使Ikp=1/600IlI₀元

素

ZλKg/nmλkg/nm元

素

Zλx/nm厚

度

/

mmpt/g·cm-2(K₀)银470.05610.0497铑

4

50.05340.0790.0960.29钼

4

20.07110.0632锆400.06880.1080.0690.31铜290.15420.1392镍

2

80.14880.0210.0190.40钴

2

70.17900.1621铁260.17430.0180.0140.44铁

2

60.19370.1757锰250.18950.0160.0120.46铬

2

40.22910.2085钒

2

30.22680.0160.0090.50二、

X

射线的真吸收●吸收限的应用表1-2

与几种常用的阳极靶及及配用的滤波片参数第三节X

射线与物质的相互作用32二、X

射线的真吸收●

吸收限的应用在衍射分析时，希望试样对

X

射线的吸收尽可能少，以获得高的衍射强度和低的背底。

因此应按图1-10所示选用靶材，入射线波长λ略大于或远小于试样的λ,即根据样

品选择靶材的原则是，Z靶≤Z样

+

1或

Z

靶

>

>Z

样33第三节X射线与物质的相互作用λ/nm图1-10

X射线管靶材的选择dlo/(cm2.g-1)第三节X射线与物质的相互作用三、X

射线的散射●X

射线穿过物质后强度产生衰减●强度衰减主要是由于真吸收消耗于光电效应和热效应●强度衰减还有一小部分是偏离了原来的入射方向，即散射●

X射线的散射包括与原波长相同的相干散射与原波长不同的不相干散射34第三节X射线与物质的相互作用三、X

射线的散射1.相干散射●

当入射

X

射线与受原子核束缚较紧的电子相遇，使电子在

X

射线交变电场作用下发生受迫振动，像四周辐射与入射

X射线波长相同的辐射●因各电子散射的X

射线波长相同，有可能相互干涉，因此

称相干散射，亦称经典散射●

物质对X

射线的散射可以认为只是电子的散射●相干散射波仅占入射能量的极小部分●

相干散射是X

射线衍射分析的基础35式中，I₀为入射线强度；I。为一个电子的相干散射强度；R为电子到空

间一点P

的距离；20为散射角；电子散射因数fa²=7.94x10-30m²,说明一个电子的相干散射强度很小；(1+cos²20)/2称偏振因数，表明相干三、X

射线的散射1.相干散射X

射线是非偏振光，如图1-11,电子在空间P点的相干散射强度第三节X

射线与物质的相互作用散射线是偏振的，强度随26而变化36图1-11

一个电子的

相干散射(1-18)三、X

射线的散射1.相干散射定义原子散射因数为一个原子中所有电子相干散射波合成振幅与一个电子相干散射波振幅的比，则有f=ʃvp(r)eiýdV(1-21)式中

，p(r)

是原子中总的电子分布密度；

dV

是位矢r

端

点周围的体积元，φ是相位

差

，α是r与(k'-k)间夹角(图1-12)第三节X射线与物质的相互作用图1-12一个原子中电子

的相干散射37令

则

φ=Krcosa

(1-19)

(1-22)见图1-13,当θ=0时，f=z

;

当θ≠0时，f<z,

且随sinθa增大迅速

衰减

38三、X射线的散射1.相干散射若原子中电子云相对原子核呈球形对称分布，U(r)为其径向分布函数(半径为r

的球面上的电子数),

U(r)=4πr²p(r),第三节X射线与物质的相互作用图1-13

f

随sinθIλ的变化第三节X射线与物质