微机原理存储器部分

1某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器需______位就足够了。12在某一存储系统中，设有只读存储器10KB，随机存储器54KB，使用16位地址来寻址。其中，只读存储器位于低地址段，其地址范围为_______________。

0000～27FFH若256KB的SRAM具有8条数据线，则它具有________条地址线。

182设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成的最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是_________片。

128一个有16个字的数据区，它的起始地址为70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单元的物理地址为___________。

7E815H3设存储器的地址线有16条，存储基本单元为字节，若采用2K×4位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是_______。

64片

设某静态RAM芯片的容量为8K×8位，若用它组成32K×8的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是_____________。4片13根4用74LS138作译码器，如图所示，若将Y1接到存储器的片选信号上，则存储器的地址范围为______。Y0Y1Y7G1G2AG2BABC＋5VM/IOA15A14A13A124000H～4FFFH5某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为3000H～37FFH。试问该芯片的CS端应接到74LS138的_____。

Y0Y1Y7G1G2AG2BABC＋5VM/IOA15A14A13A12Y6612.

在如图所示的电路（与上题同一电路），假设Y5与电源Vcc短接，则以下四种现象中，肯定会发生的是_______。A)系统仍然正常工作。B)系统不能正常工作C)Y5端所选择的地址范围能被照常访问D)Y5端所选择的地址范围不能被访问D)Y5端所选择的地址范围不能被访问7在如图的译码电路中，为了使每个输出端接到存储器芯片的CS端时，可以选中的地址范围是4KB，则该图中C,B,A三端与CPU的地址线的对应连接可为_____。A)仅A14,A13,A12 B)仅A12,A13,A14C)仅A14,A12,A13 D)A12,A13,A14任意组合

Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12,A13,A14任意组合8若要求Y4寻址的存储器范围为8800H~8FFFH，则B，C端应分别接_______。

Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11上题中，若要求Y4寻址的I/O端口地址范围为0800H~0FFFH，则须相互调换的引脚信号应为______________。

M/IO，A159使用256KB×4的存储器芯片组成1MB的存储器系统，其地址线至少需要____条

20

在对存储器进行访问时，地址线有效和数据线有效的时间关系应为_____。A)同时有效同时无效

B)地址线较先有效C)数据线较先有效

B)地址线较先有效10如图是8片4K×8位的RAM构成的一个随机存取存储器，如果A14A13A12分别为000～111时，则分别被选中的存储区域（范围）的十六机制表示是_____。RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0～A11MEMRA14A13A12＝000地址为0000H～0FFFHA14A13A12＝001地址为1000H～1FFFH11现有4K×8位的RAM和ROM存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图P88所示。在正常情况下，ROM所占的地址空间为_________，RAM所占的地址空间为_____。

ROMCSA14A0～A11A15MEMRD0～D7A0A11RAMCSMEMRD0～D7A0A11数据总线MEMW4000H～7FFFH8000H～BFFFH12

PROM存储器是指_______。A)可以读写的存储器 B)可以由用户一次性写入的存储器C)可以由用户反复多次写入的存储器D)用户不能写入的存储器B)可以由用户一次性写入的存储器13在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器的刷新方法是_____。A)每次一个单元 B)每次刷新512个单元C)每次刷新256个单元

D)一次刷新全部单元

B)每次刷新512个单元14若用1片74LS138、1片6116RAM(2K×8)及2片2732EPROM(4K×8)组成存储器电路，试问：2732的片内地址线是_____根。

要求2片2732的地址范围为0000H～1FFFH，设高位地址线接至74LS138，此时A15及A12的状态是______。

存储器的总容量是________。A)A15=1,A12=0 B)A15=0,A12=0或1 C)A15=0,A12=1 D)A15=0,A12=010KB12B)A15=0,A12=0或115

下述EPROM的改写过程，正确的是_____。A)使WR信号有效就可以改写 B)先用高电压擦除，再改写新数据C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据D)先用紫外线擦除，再用＋5V电压写新数据

C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据16在进行RAM扩充实验时，某同学的接线出现____，但存储器还能正常读写。A)D1与D5交换 B)WR与CS线交换C)D1与A1交换

D)＋5V电源线与地线交换

A)D1与D5交换在进行EPROM扩充实验时，某同学发现读出的所有单元中的数据与原数据不一样，即D2位总是为1，这说明发生了______。

A)接至D2的线已断 B)电源没有接地C)D2接至A2 D)D2与A2交换

A)接至D2的线已断17某微机系统的部分接线如图，在8088系统中,（a）应接_____，（b）应接_______________，RAM芯片II的地址范围为_______________________。

M/IO经反相的M/IOFE800H～FEFFFH18若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为___________。

128片某电路用12根地址线连接4片RAM，第一片RAM至第四片RAM的地址分别为0000H～03FFH,0400H～07FFH,0800H～0BFFH,0C00H～0FFFH,后发现存往第二片的数据都被存入第四片，其原因之一是_____。A)A12断线

B)A11断线

C)A10断线

D)A9断线

B)A11断线19RAM的地址范围是____________________。为了使系统能够正常工作，27128芯片的A13引脚应接__________（高、低）电平。8255A口的地址是__________。D2000H～D3FFFH低电平1101111××××××××××0020已知6116RAM(2K×8)的地址范围为0000H～07FFH,发现其中低1K字节与高1K字节的每个对应单元内容相同(即0000H与0400H内容相同,其余依次类推),其原因是___.A)仅片内最高地址线与电源短路 B)仅片内最高地址线开路C)仅片内最高地址线与地短路D)以上三种情况都可能

D)以上三种情况都可能

21若某RAM芯片的地址线A0与地短路，则_____。A)该芯片不能读写数据B)会烧坏芯片C)只能读写偶地址单元D)只能读写奇地址单元

C)只能读写偶地址单元22用1K×4存储器芯片组成16K×8存储器子系统时，需用地址线总数量最少为________。

14根一个半导体存储器的芯片的引脚有A13~A0、D3～D0、WE、CE、CS、Vcc、GND等，该芯片的存储容量是_________，用该芯片组成一个64KB的存储器，需要____个独立的片选信号。

16K×4423一个SRAM芯片，有14条地址线和8