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三星GalaxyS9将使用第二代10纳米LPP处理器之前传闻三星GalaxyNote9将会采用7nm芯片组，但是根据今日最新消息，或将不在采用7nm芯片组，同时三星宣布GalaxyS9智能手机将使用第二代10纳米LPP处理器，并且10纳米LPP芯片已经进行批量生产了。根据最新消息，三星近日宣布将在最新的GalaxyS9智能手机，使用的第二代10纳米LPP处理器已经进入大规模生产阶段。三星还同时表示，10纳米LPP芯片已经在韩国新建的工厂进行生产，EUV（极紫外线）7nmFinFET工艺技术也将会进行生产，但可能要更晚时候才能进入大批量生产。三星电池表示：“今年第一季度，随着今年旗舰智能手机第二代10纳米工艺产品的增长，预期盈利将会增长。然而，就低生产节点而言，7nm今年已经超出了大规模生产战略。2018年，三星将提供8纳米和11纳米工艺来满足客户的需求，并开始7纳米的风险生产。”台积电去年开始了7nm的风险生产，主要原因是希望进入苹果即将推出A12芯片组的代工商，除非三星GalaxyNote9能够搭载8nm芯片组，否则今年iPhone9，iPhoneXS，iPhoneXSPlus可能会超过三星GalaxyNote9，而且很大概率会采用台积电的7nm芯片组。根据行业分析师预计，三星的8nm节点，是使用多重阵列技术的7nm版本的升级版，简单来说，三星开始大规模生产7nm芯片组时，与其他代工厂的7nm芯片相比，三星可能拥有更高的功耗和性能比，而同样8nm也将如此。在10nm之后处理器的生产因为非常小变得非常危险，因为技术的原因，三星的EUV光刻技术比台积电的传统光学制程更为先进，接近其性能的极限。我们并不排除

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