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第一节晶闸管认知一、选择题1.电力电子器件的主要特性表现在下述几方面(D)。A.电力电子器件要承受高电压和大电流B.电力电子器件处理的功率一般较大C.电力电子器件由信息电子电路来控制其通断D.以上都是2.晶闸管主要应用在(C)等方面。A.可控整流、无触点交直流开关、逆变和直流斩波B.可控整流、交流调压、逆变和直流斩波C.可控整流、交流调压、无触点交直流开关、逆变和直流斩波D.可控整流、交流调压、无触点交直流开关晶闸管由于其具有(A)等特点。A.体积小,效率高,操作简单和寿命长B.体积小,操作简单和寿命长C.体积小,效率高和寿命长D.效率高,操作简单和寿命长4.普通晶闸管属于(B)。A.全控型器件B.半控型器件C.普通型器件D.电流型器件5.电力电子半控型器件具有(D)。A.阳极B.阴极C.门极D.以上都是6.晶闸管有门极和(D)。A.阳极B.阴极C.A、B都不对D.A、B都是双向晶闸管有门极和(C)。A.主电极T1B.主电极T2C.A、B都是D.A、B都不是电力电子器件按开通、关断控制方式分为(D)。A.不可控型B.半控型C.全控型D.AC/DC型9.关于晶闸管应用的下列说法错误的是(C)。A.经逆变等环节实现直流调压B.可用做交流开关、实现交流调压C.仅仅用于可控整流D.常用于灯光调节的照明电路10.可控硅关断的条件是(B)。A.控制极电流小于维持电流B.阳极电流小于维持电流C.控制极加反向电压D.阳极加正向电压11.晶闸管具有(B)性。A.单向导电B.可控的单向导电C.电流放大D.负阻效应晶闸管整流电路输出电压改变是通过(A)实现的。A.调节控制角B.调节触发电压大小C.调节阳极电压大小D.调节触发电流大小13.晶闸管触发电路中,若改变(B)的大小,则输出的脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。A.同步电压B.控制电压C.脉冲变压器变化D.以上都不是14.电力电子器件按照能够被控制信号所控制的程度可以分为(C)。A.半控型器件和全控型器件B.不可控器件和全控型器件C.不可控器件、半控型器件和全控型器件D.不可控器件和半控型器件15.不用控制信号来控制其通断的电力电子器件称为(A)。A.不可控器件B.半控型器件C.全控型器件D.以上都不是通过控制信号控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件称为(B)。A.不可控器件B.半控型器件C.全控型器件D.以上都不是17.通过控制信号控制导通关断的电力电子器件称为(C)。A.不可控器件B.半控型器件C.全控型器件D.以上都不是18.不可控器件(A)驱动电路。A.不需要B.需要C.可能需要D.称为19.电力二极管没有控制极,只有两个端子,其基本特性与电子电路中的二极管一样,器件的(C)完全由其在主电路中承受的电压和流过的电流决定。
A.导通B.关断C.导通和关断D.导通或关断
20.控型器件主要是晶闸管系列器件(门极关断晶闸管除外),其关断情况与电力二极管(B)。
A.不完全相同B.完全相同C.相同D.部分相同属于全控型器件晶体管的是(C)。A.绝缘栅双极型晶体管B.绝缘栅双极型晶体管或电力场效应晶体管C.绝缘栅双极型晶体管和电力场效应晶体管D.电力场效应晶体管22.没有控制极的器件是(C)。A.半控型器件B.全控型器件C.不控型器件D.以上都不是23.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号的性质可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为(B)。A.电流驱动型B.电流驱动型和电压驱动型C.电压驱动型D.电流驱动型或电压驱动型24.电流驱动型器件要求从控制端注人或者抽出电流且达到一定的数量级才能实现(C)的控制。A.导通和关断B.导通C.导通或关断D.关断25.电压驱动型器件只要在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可以实现导通或关断的控制,需要的控制电流(C)。A.大B.很大C.很小D.小26.电力电子器件按照内部载流子的工作性质分类可分为(D)。A.双极型和复合型B.单极型和复合型C.单极型和双极型D.单极型、双极型和复合型27.单极型器件是导通时只有(A)一种载流子导电的器件。。A.空穴或电子B.空穴C.电子D.空穴和电子28.单极型器件具有(C)的特点。A.工作频率高和单个器件容量小B.工作频率高和导通压降大C.工作频率高、导通压降大、单个器件容量小D.导通压降大和单个器件容量小29.双极型器件是导通时的载流子有(A)导电的器件。。A.空穴又有电子B.空穴或有电子C.空穴D.电子30.属于双极型器件的有(B)等A.功率二极管、门极关断晶闸管、双极型功率晶体管B.功率二极管、晶闸管及其派生器件、门极关断晶闸管、双极型功率晶体管C.功率二极管、晶闸管及其派生器件、双极型功率晶体管D.功率二极管、晶闸管及其派生器件、门极关断晶闸管31.(C)具有功率高、工作频率低的特点。A.复合型器件B.单极型器件C.双极型器件D.以上都不是复合型器件的控制部和主功率部分别采用(A)。A.单极型结构和双极性结构B.双极性结构和单极型结构C.都是双极性结构D.都是单极型结构33.属于复合型器件的有(D)。A.绝缘栅双极型晶体管B.MOS控制晶闸管C.绝缘栅双极型晶体管或MOS控制晶闸管D.绝缘栅双极型晶体管和MOS控制晶闸管34.(A)具有卓越的电气性能,是电力电子器件的发展方向。A.复合型器件B.单极型器件C.双极型器件D.以上都不是35.(B)年美国贝尔实验室发明了晶闸管。A.1955B.1956C.1957D.195836.(C)年美国通用电气公司开发出世界上第一只晶闸管产品。A.1955B.1956C.1957D.195837.晶闸管主要封装结构有(D)。A.螺栓型B.平板型C.螺栓型或平板型D.螺栓型和平板型
38.晶闸管的驱动过程称为(A)。A.触发B.触动C.关断D.开通
39.根据晶体管工作原理的公式(C)分别是V1和V2共基极漏电流。
A.ICBO2和B.α1C.ICBO1和D.α2和40.根据晶体管工作原理的公式(B)分别是晶闸管V1和V2共基极电流增益。
A.ICBO2和B.α1C.ICBO1和D.α2和41.晶闸管阳极伏安特性分为两个区域,第Ⅰ象限和第Ⅲ象限分别是(B)。A.反向特区和正向特区B.正向特区和反向特区C.都是正向特区D.都是反向特区42.当晶闸管承受反向阳极电压时,随着反向电压的增加,反向漏电流(B)。A.减小B.增大C.变化D.不变43.晶闸管的门极触发电流是从门极流入晶闸管,从(C)流出的。A.阳极B.正极C.阴极D.门极44.(D)是晶闸管主电路与控制电路的公共端。A.门极B.阳极C.正极D.阴极45.(C)触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的。A.正极B.负极C.门极D.阳极46.(B)是指这个PN结上正向门极电压UG与门极电流IG间的关系。A.阳极伏安特性B.门极伏安特性C.正极伏安特性D.负极伏安特性47.晶闸管的动态特性给出了晶闸管(D)过程的波形。
A.开通B.关断C.开通或关断D.开通和关断48.晶闸管的动态特性是指器件上(A)随时间变化的关系。
A.电压和电流B.电压或电流C.电压D.电流49.提高阳极电压可以使正反馈过程(C)都可显著缩短。
A.延迟时间和上升时间B.加速和上升时间C.加速,延迟时间和上升时间D.加速和延迟时间50.普通晶闸管的关断时间约(A)微妙。
A.几百B.几十C.十几D.几千51.使用万用表的(B)电阻档测量单向晶闸管的阳极A与阴极K之间的正、反向电阻阻值,正常时均应接近无穷大。。A.R×2kB.R×1kC.R×3kD.R×4k单向晶闸管的阳极A与控制极G的正向阻值接近(A)。A.无穷大B.无穷小C.0D.153.使用万用表判断晶闸管电极,应将万用表拨至(C)档。A.R×100B.R×1kC.R×100或R×1kD.R×100和R×1k54.检查晶闸管的触发能有(B)。A.小功率晶闸管B.小功率晶闸管和中、大功率晶闸管C.中、大功率晶闸管D.小功率晶闸管或中、大功率晶闸管55.对于小功率的单向晶闸管,可用万用表的(A)电阻档测量。A.RX1B.RX2C.RX3D.RX456.晶闸管导通关断电路实验工具有(B)等。A.晶闸管、实验箱、导线、万用表B.晶闸管、电源、实验箱、导线、万用表C.晶闸管、电源、导线、万用表D.晶闸管、电源、实验箱、万用表57.判断晶闸管好坏的实验步骤说法错误的是(C)。A.取出数字万用表,选择电阻档,并对万用表进行校零,然后再进行测量B.将万用表红表笔连接晶闸管A端子,黑表笔连接K端子,进行测量,读取数值不导通C.将万用表红表笔连接晶闸管G端子,黑表笔连接K端子,进行测量,读取数值0.5千欧,导通D.将万用表红表笔连接晶闸管K端子,黑表笔连接A端子,进行测量,读取数值不导通58.晶闸管导通后流过晶闸管的电流决定于(C)。A.晶闸管阳极和阴极之间的电压B.晶闸管的电流容量C.电路的负载电荷D.晶闸管的额定电压59.额定电流为100A的晶闸管,允许通过电流的有效值为(D)。A.314AB.157AC.141AD.70.7A60.触发导通的晶体管,当阳极电流减小到低于维持电流时,晶闸管(C)。A.继续维持导通B.先关断后导通C.转为关断D.不确定61.晶闸管外部的电极数目为(B)个。A.4B.3C.2D.162.使导通的晶体管转变成阻断的条件是(D)。A.去掉触发电源B.使UAK=0C.使UAK≤0D.加负向触发电压63.双击型半导体器件是(B)。A.二极管B.三极管C.场效应管D.稳压管64.下列全控型电力电子器件中不属于双极性器件有(C)。A.GTRB.GTOC.SITD.SITH65.单极型半导体器件是(A)。A.二极管B.双极性二极管C.场效应管D.三极管66.以下属于双极性电力电子器件的是(C)。A.MOSFETB.GTOC.IGBTD.MCT67.晶闸管又称为(B)。A.晶体管B.可控硅C.晶闸D.晶管68.晶闸管的主要参数不包括(D)。A.额定电压B.额定电流C.维持电流D.通态平均电压69.晶闸管的外形大致分为三类,其中不包括(A)。A.屈形B.塑封形C.螺栓形D.平板形70.晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于(A)。A.电路的负载B.晶闸管的电流容量C.晶闸管阳—阴极之间的电压D.晶闸管的参数二、判断题1.电力电子器件,目前往往专指电力半导体器件,所用主要材料是硅。(√)2.双极型器件属于单极型器件的有功率场效应晶体管。(×)3.单极型器件具有功率高、工作频率低的特点。(×)4.不可控器件不需要驱动电路。(√)5.电力二极管没有控制极,只有两个端子,其基本特性与电子电路中的二极管一样,器件的导通和关断完全由其在主电路中承受的电压和流过的电流决定。(√)6.控型器件主要是晶闸管系列器件(门极关断晶闸管除外),其关断情况与电力二极管完全相同。(√)7.控型器件的品种很多,目前最常用的有绝缘栅双极型晶体管和电力场效应晶体管。(√)8.在处理兆瓦级大功率电能的场合,门极关断晶闸管的应用也较多。(√)9.1955年美国贝尔实验室发明了晶闸管。(×)10.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号的性质可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为电流驱动型和电压驱动型两类。(√)11.电压驱动型器件实际是通过在控制极上产生电场来控制器件的通断,所以又称为场控器件。(√)12.晶体管属于半控型电力电子器件。(√)13.复合型器件具有卓越的电气性能,是电力电子器件的发展方向。(√)14.1956年美国通用电气公司开发出世界上第一只晶闸管产品,并商业化应用。(×)15.20世纪80年代以来,晶闸管的地位开始被各种性能更好的全控型器件所取代。(√)16.晶闸管是一种3层半导体3个PN结的三端大功率电力电子器件。(×)17.晶体管价格低、工作可靠,因此在大容量、低频的电力电子装置中仍占主导地位。(√)18.晶闸管两种主要封装结构,有螺栓型和平板型。(√)19.平板型封装的晶闸管由两个散热器将其夹在中间,两个平面分别是阳极和阴极,引出的细长端子为门极。(√)20.晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管模型来解释。(√)21.晶闸管的静态特性是指器件上电压、电流随时间变化的关系。(×)22.对晶闸管的驱动过程称为触发。(√)23.晶闸管静态特性又称为晶闸管伏安特性,指是指晶闸管器件端电压与电流的关系。(√)24.晶闸管的门极触发电流是从门极流入晶闸管,从阴极流出的。(√)25.晶闸管的静态特性给出了晶闸管开通和关断过程的波形。(×)26.闸管阳极伏安特性分为两个区域。(√)三、填空题1.电力电子器件是电力电子技术发展的动力和基础。2.在电力电子装置中,直接实现电能的变换和控制的电路称为主电路。3.晶闸管是晶体闸流管的简称,早期称作可控硅整流器,简称为可控硅。4.晶闸管承受的电压耐量高电流容量大,工作可靠。5.电力电子器件是建立在半导体原理基础上的,因此又称为功率半导体器件。6.电力电子器件是指用于主电路中,承担电能的变换和控制任务的主要电子器件。7.根据电力电子器件被控程度、驱动电信号的性质、内部载流子的特性进行分类。8.电力电子器件按照能够被控制信号所控制的程度可以分为不可控器件、半控型器件和全控型器件3类。9.不用控制信号来控制其通断的电力电子器件称为不可控器件。10.晶闸管内部是PNPN四层半导体结构。11.电力电子器件按照内部载流子的工作性质分类,可分为单极型、双极型和复合型3类。12.电力电子器件能承受较高的工作电压,具有较高的放大倍数。13.通过控制信号控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。14.控制器件通断的信号称为驱动信号。15.通过控制信号控制导通关断的电力电子器件称为全控型器件。16.产生驱动信号的电路称为驱动电路。17.半控型器件和全控型器件都有控制极,称为可控器件。四、问答题1.晶闸管在几种情况下可能被触发导通答:①阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应;②阳极电压上升率du/dt过高;③结温较高;光直接照射硅片,即光触发。2.当晶闸管承受反向阳极电压时,会有哪些变化答:①由于J1和J3两个PN结处于反向偏置,器件处于反向阻断状态,只流过一个很小的漏电流;②随着反向电压的增加,反向漏电流略有增大;③一旦阳极反向电压超过一定限度,到反向击穿电压后,外电路如无限制措施,则反向漏电流急剧增大,导致晶闸管发热造成永久性损坏。3.晶闸管突加电压或电流时的工作状态,会有哪些影响答:突
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