贵州某煤业公司员工安全知识手册及富士igbt模块应用手册-外文翻译

员工安全知识手册 贵州xx山煤业有限公司 忠诚敬业勤奋创新 忠诚—严谨、求实的工作作风，立足本职、爱岗敬业。敬业—慎微、严肃的工作态度，一丝不苟、精益求精。勤奋—积极、高涨的工作热情，任劳任怨、勤于奉献。创新—科学、超前的工作思路，突破自我、锐意进取。前言“安全”二字的字意解释为：无危为“安”，完美为“全”。安全是生产的伴生品（就如孪生兄弟），没有生产的安全是空谈，没有安全的生产则是灾难，所以说安全保障生产，生产必须安全。“无危则安，无缺则全”，“安全是企业的生命线，安全是职工的幸福源”，“安全成为常唱的歌，生命才有长长的河”¨¨¨安全，是我们永恒的主题。“高高兴兴上班、平平安安回家”是我们共同的希冀，安全与个人、与家庭、与企业有着密切相关的联系。天空因晴朗、明亮而美丽，生命因安全而灿烂，企业因安全而腾飞，为做到“安全为天，警钟长鸣”，促进企业长治久安，根据公司党政部署，由安监部组织编写了《安全知识手册》，充分体现出上级组织对安全工作的高度重视，体现出广大职工群众对安全生产的热切关注和需求,让我们积极行动起来，关注安全，关爱生命。安全知识党的安全生产方针安全第一、预防为主。党的安全生产政策安全第一，预防为主，综合治理，总体推进。煤矿安全工作方针安全第一、质量第二、生产第三。煤矿安全工作政策安全第一、质量为本。煤矿安全目标先于一切、重于一切、高于一切、影响一切。安全管理机制主体基层单位是安全生产中主体。安全管理机制两个重点强化瓦斯治理、强化各线安全责任制落实。加强矿井“双基”建设抓好矿井基层建设和基础建设。岗位安全两条守则岗位安全职责、安全技术操作规程。安全管理机制三个基础安全投入、质量标准化、职工培训。安全工作主体“三步走”明确安全工作主体、强化安全工作主体、尊重安全工作主体。干部职工的安全意识和安全素质“三转变”实现从“要我安全”到“我要安全”、“我会安全”的转变。员工“三懂四会”懂本单位、本工种、本岗位危险源辨识、懂危险因素的预防措施、懂事故应急处理救援的方式方法。会处理事故、会正确的调度汇报程序、会组织现场人员正确避灾和自救、会正确使用安全设施、设备。“三为六预”理念坚持“以人为中心”的安全管理，突出贯彻落实“安全第一”的指导方针，抓住“预防为主”这一安全工作核心，促进矿井安全形势稳固发展。“三为六预”要素预教、预测、预想、预报、预警、预控。三不生产原则不安全不生产，隐患不处理不生产，措施不落实不生产。施工生产“三不准”无施工负责人不准施工，无安全技术措施不准施工，无施工组织措施不准施工。煤矿“三大员”安监员、瓦检员、防突员。煤矿安全“三保”自保、互保、联保。抓安全的“三铁”精神铁面孔、铁手腕、铁心肠。“三违”现象违章指挥、违章作业、违反劳动纪律。夏季“三防”防洪、防汛、防雷电。冬季“三防”防寒、防冻、防火。“一通三防”一通：通风。三防：防火、防矿尘（煤岩）、防瓦斯。加强瓦斯管理“三道防线”瓦斯检查员检查瓦斯形成第一道防线。便携式瓦检仪对瓦斯进行连续监测形成第二道防线。矿井通风安全监测监控系统对瓦斯进行连续监测监控形成第三道防线。排放瓦斯“三原则”停电、撤人、限量。三专两闭锁三专指专用变压器、专用开关、专用线路。二闭锁指风电闭锁，瓦斯电闭锁。爆破作业“一炮三检”制装药前、放炮前、放炮后对爆破地点瓦斯浓度各检查一遍。危及信号工作安全的“三害”违章、蛮干、抢点。井下供电线路“三无”无鸡爪、无羊尾巴、无明接头。井下供电“三全”防护装置全，绝缘用具全、图纸资料全。井下供电“三坚持”坚持使用检漏继电器、坚持照明和信号综合保护、坚持瓦斯电、风电闭锁。班中作业杜绝“三乎”马虎、凑乎、不在乎。安全管理杜绝“三惯”干惯了、看惯了、习惯了。三查三反查思想，反松懈、查措施，反三违、查隐患，反事故。三反四严反隐患、反三违、反松懈、严管理、严纪律、严落实、严作风。全员培训教育“三同时”工人干部同时参加培训、同时考试、同时接受奖惩。处理设备、设施故障必须做到“三清”、“三及时”三清时间清、地点清、原因清。三及时1、接到故障通知后，及时赶赴现场按“故障处理程序和注意事项”分析、处理故障。2、若不能立即修复或原因一时不清时应及时登记停用。3、及时向上级汇报。三级安全教育公司（厂级）、部门级（车间级）、班组级（工段级）安全教育。三项行动安全生产执法、治理、宣传教育行动。三项建设法制体制机制建设、安全保障能力建设、安全监管队伍建设。登高作业安全“三宝”安全帽、安全带、安全网。劳保用品“三标记”厂名、商标及型号；制造年月；许可证编号。劳保用品“三证件”生产销售资格证、生产销售许可证、产品检验合格证。生产与安全三统一的原则谁主管，谁负责的原则；管生产必须管安全的原则；搞技术必须搞安全的原则。班、组长任用三原则使用一批、备用一批、培养一批。安全管理做到“四个凡事”凡事有章可循、凡事有据可查、凡事有人负责、凡事有人监督。班组管理做到“四不伤害”不伤害别人、不伤害自己、不被别人伤害、保护别人不受伤害。员工自律实现“四无”个人行为无“三违”、操作无失误、岗位无隐患、安全无事故。施工作业“四到位”领导到位，人员到位，技术到位，措施到位。设备操作人员要做到“四懂”、“四会”四懂懂设备结构，懂设备性能，懂设备原理，懂规章制度。四会会使用，会维修，会排除故障，会标准化作业。解决问题“四不推”个人能解决的不推给班组；班组能解决的不推到部门；部门能解决的不推到公司；公司能整改解决的不推到上级部门。上岗作业“四不准”不经培训不准上岗、考试不合格不准上岗、不落实专人传帮带不准上岗、身体不适者不准上岗。消防安全四懂、四会四懂懂得火灾的危险性、懂得火灾的预防措施、懂得火灾的扑救方法、懂得火灾的逃生方法。四会会报警、会使用灭火器、会灭初期火、会逃生。井下供电“四有”有过流和漏电保护装置，有螺钉和弹簧垫的密封圈和挡板，有接地装置。安全工作“四严”严纪律、严制度、严程序、严奖惩。安全生产日常管理“四多”多看一眼、多防一步、多查一处、多支一招。对待事故坚持“四个一”的原则坚持发生一件，分析一件，定责一件，处理一件的原则。处理事故坚持“四不放过”的原则事故原因没查清不放过，责任者没严肃处理不放过，员工没受到教育不放过，防范措施没落实不放过。企业安全工作检查做到“四个一流”一流队伍、一流作风、一流管理、一流素质。“四位一体”防突措施突出危险性原则，防治突出措施，防治突出措施效果检验，安全防护措施。领导干部抓安全生产要做到“四亲自”亲自组织传达上级关于安全生产的命令、指示，亲自参加安全检查，亲自组织分析事故或性质严重的事故苗子，亲自总结安全生产的经验教训。大通防体系的四个方面地质为基础、机电为保障、通防为核心、采掘为目的。瓦斯综合治理方针先抽后采、监测监控、以风定产。通风可靠的四个基本要求系统合理、设施完好、风量充足、风流稳定。抽采达标的四个基本要求多措并举，应抽尽抽，抽采平衡，效果达标。监控有效的四个基本要求装备齐全、数据准确、断电可靠、处置迅速。管理到位的基四个本要求责任明确、制度完善、执行有力、监督严格。职工技能培训四原则分级培训、队为基础、教考分离、注重实效。提高安全执行力做到“五自”矿井自主、系统自控、区队自治、班组自理、员工自律。安全工作的“五化”模式宣传教育多元化、示范劝导行为化、监督检查规范化、安全信息网络化、技能培训专业化。精细化管理“五化”模式思想人本化、行为军事化、岗位程序化、工作标准化、管理制度化。隐患排查的“五定原则”定项目、定资金、定措施、定时间、定责任。全员培训教育实行“五个一”一日一题、一周一案例、一月一考核、一月一评比、一月一奖惩。安全工作和安全生产“五同时”同时计划、同时布置、同时检查、同时总结、同时评比。施工生产把“五关”规划设计图纸的完善关、材料的验收使用关、施工实体质量关、安全文明生产关、工程的日常检查验收关。施工作业人员“五清楚”作业时间清楚，地点清楚，内容清楚，安全措施清楚，技术标准清楚。煤矿五大自然灾害瓦斯、煤尘、水灾、火灾、顶板。避灾自救五字原则灭、护、撤、躲、报。煤矿安全生产“五个须知”知道本单位安全重点部位、知道本单位安全责任体系和管理网络、知道本单位安全技术操作规程和标准、知道本单位存在的事故隐患和防范措施、知道并掌握事故抢险预案。本质安全型矿井创建目标五内容行为规范、装备先进、环境可靠、管理精细、安全领先。安全标准化操作六规范工程质量优、安全生产好、员工操作精、编码标识准、文化要素全、品牌形象美。安全避险“六大系统”监测监控系统、人员定位系统、紧急避险系统、压风自救系统、供水施救系统、通信联络系统。建设安全避险“六大系统”要求系统可靠、设施完善、管理到位、运转有效。完善一通三防隐患排查治理制度“七个步骤”信息收集、发布、认领、落实、验收、考核、通报。安全隐患“七级排查”岗位、班组、区队（车间）、科室（部室）、矿处、专业公司（能化公司）、集团公司。班组长任用条件七标准思想好、业务精、作风正、懂安全、会管理、敢负责、强执行。领导干部抓安全必须做到的八条必须坚持安全第一、做到“四亲自”、“五同时”，对安全生产负第一位责任。2、贯彻上级安全文件，不拖不压，严肃认真，不打折扣，原原本本，不漏一人。3、执行规章制度，要严字当头，条条落实，做到“一点不差，差一点也不行”。4、摆正安全与生产、安全与效益的关系，在安全与生产发生矛盾时，决不放弃安全第一的原则。5、对违章现象，敢抓敢管，不当好人主义，不心慈手软，宁听骂声，不听哭声。6、亲自检查安全，抓小防大，消除隐患；安全无保证，宁可不干，也不蛮干。7、要求工人不违章作业，自己决不违章指挥，率先垂范，给群众做出表率。8、开好日、周、月安全分析会，对存在问题，认真制定对策，落实责任，整改问题要及时、坚决。克服十大不安全心理因素侥幸，麻痹，偷懒，逞能，莽撞，心急，烦躁，赌气，自满，好奇。执行一工程一措施严把“十关”措施编制、审批、传达、学习、考试、补课、签字、实施、复查、补充、再贯彻。“十荣十耻”安全荣辱观以安全第一为荣，以重产轻安为耻；以超前防范为荣，以事故不断为耻；以落实责任为荣，以失职渎职为耻；以遵章守纪为荣，以违章违纪为耻；以真抓实干为荣，以虚假飘浮为耻；以自保互保为荣，以伤人害已为耻；以应知应会为荣，以愚昧无知为耻；以令行禁止为荣，以自行其事为耻；以敢抓敢管为荣，以心慈手软为耻；以安全生产为荣，以发生事故为耻。瓦斯治理“十六字”方针通风可靠，抽采达标、监控有效、管理到位。二、安全理念1、安全方针 安全第一，预防为主，综合治理。2、安全誓言 我向全体员工和家属宣誓，在工作时间内，严守法规制度，严格按照安全规程、操作规程、工艺规程作业，履行职责，勤奋优质的工作。3、安全核心理念 按部就班抓生产，正规操作保安全；以人为本，关爱生命；无情制度，有情管理。4、安全基本理念(1)安全第一、生产第二。 (2)制度化管理，程序化监察。(3)注重过程控制，突出结果考核。(4)细之又细，严之又严，消除隐患，确保安全。(5)三老四严：当老实人、说老实话、做老实事；严格的要求、严密的组织、严肃的态度、严明的纪律。(6)生命与健康同在，我与企业共发展。(7)安全为生命承诺。(8)发现不了问题就是问题，不解决问题就是严重问题。(9)实现四无：管理无缝隙，思想无杂念，事故无大小，现场无隐患。(10)四个没有：没有安全就没有干部的政治生命，没有安全就没有职工的家庭幸福， 没有安全就没有企业的经济效益，没有安全就没有企业的稳定发展。(11)四个贵在：安全第一贵在坚持，安全管理贵在到位，安全责任贵在落实，安全监督贵在公心。5、安全原则任何事情都不能冲击安全；任何时候都不能放松安全；任何地点都不能忽视安全；任何人员都必须抓好安全。6、安全责任(1)谁主管谁负责，谁决定谁负责，谁签字谁负责，谁施工谁负责。(2)管理就是责任，责任重于泰山。7、安全措施抓三基：基础、基层、基本功；树三心：事业心、责任心、良心；严三铁：铁面孔、铁手腕、铁心肠。8、安全行为管理理念(1)制度决定管理，细节决定成败。(2)六严：严干部、严细节、严流程、严制度、严标准、严奖惩。(3)六反：反三违、反松懈麻痹、反骄傲自满、反低标准作业、反工作不负责、反说得多做的少。(4)安全工作三步曲：一看作业环境是否安全，二看规程措施如何要求，三看确保安全才能干。(5)终端问题是干部的问题，不抓安全的干部就是不合格的干部。(6)抓安全无功就是过，抓质量不前进就是错。(7)抓安全永远战战兢兢、永远如履薄冰、永远如临深渊。(8)安全是碗、效益是饭，不抓安全就是砸自己和别人的饭碗。(9)高点当起点，弱点当重点。(10)管理零距离，安全零隐患。(11)一举一动，规章至上。(12)安全管理靠理念，理念贯彻靠机制，机制运行要从严，从严关键在落实。9、安全行为控制理念(1)三不：违章的话不听，冒险的活不干，违纪的事不办。(2)四个有心：抓安全要有决心，抓质量要有恒心，抓三违要有狠心，抓帮教要有耐心。(3)善用四面镜子：安全检查用显微镜，责任追究用放大镜，制定措施用望远镜，事故分析用透视镜。(4)叫响三句话：绝对服从，绝对执行，绝对到位。(5)轻微“三违”不轻视，帮教“三违”不歧视。(6)“三违”就是对企业的不忠，就是对父母的不孝，就是对家庭和社会的不负责任。(7)安全工作五坚持坚持安全学习，做安全生产的明白人；坚持自主保安，做安全生产的放心人；坚持按章作业，做安全生产的有心人；坚持排查隐患，做安全生产的细心人；坚持管理制度，做安全生产的带头人。10、现场安全管理理念(1)安全是干出来的，是管出来的，不是碰出来的。(2)五个百分之百：以百分之百的时间、百分之百的空间、百分之百的过程、百分之百的人员、百分之百的培训来保证安全。(3)大事皆从小事出，抓好小事无大事，细微之处见精神。(4)多看一眼，安全保险；多防一步，不出事故。(5)安全规程血写成，不要用血再验证。11、质量标准化理念(1)质量存生命，产品见人品。(2)开工必优，质量为本。(3)事事有标准，处处有标准，人人有标准。(4)今天的低标准就是明天的大隐患。12、员工生命价值理念(1)生命是棵树，安全是沃土。(2)生命高于一切，安全重于泰山。(3)珍惜生命，热爱生活。(4)四个就是：违章作业就是自杀，违章指挥就是杀人，对违章作业不制止就是见死不救，对违章指挥不惩处就是纵容杀人。(5)安全是福，抓安全就是造福。三、安全警句警钟长鸣条条规章血写成，人人必须严执行.半分疏忽生事端，一丝不苟保安全。简化作业痛快一阵子，酿成事故痛苦一辈子。凭侥幸，耍大胆；出事故，后悔晚。一人违章，众人遭殃。隐患不除，危机四伏。“严”是生命的呼唤，“松”是自杀的开端。当安全教育鸣金收兵之际，便是事故偷营劫寨之时。羊圈一破狼就钻，制度一松事故欢。安全来自长期警惕，事故源于瞬间麻痹。讲安全时闭上眼，出事故时傻了眼。不讲卫生要生病，不讲安全要送命。炸弹的脾气一引就爆，事故的性格一松就冒。分析事故走过场，扯了枝叶留下根。忽视安全抓生产是火中取栗，脱离安全求效益是水中捞月。事故在瞬间发生，安全从点滴做起。班前没有休息好，事故专门把你找。困难欺软人，事故找懒人。快刀不磨会生锈，安全不抓出纰漏。毛毛细雨湿衣裳，小事不防上大当。良药苦口利于病，忠言逆耳利于行。安全不好活不了，效益不好活不好。生命与安全一线牵，安全与幸福两相连。爱妻爱子爱家庭，不守规程等于零。一身安危系全家，全家幸福在一人。安全生产全家福，出了事故全家苦。哲理启示小洞不补，大洞难堵；隐患潜伏，事故难除。严是爱，松是害，马马虎虎是祸害。没有规矩不成方圆，没有制度难保安全。上梁不正下梁歪，中梁不正倒下来。千里长堤溃与蚁穴，小小隐患招致大祸。愚者以流血作为教训，智者以教训制止流血。骄傲出于浅薄，鲁莽出自无知。隐瞒一次事故隐患，等于埋下定时炸弹。绊人的桩不在高，违章的事不在小。大事化小教训难找，小事化了后患不少。管理基础打得牢，安全大厦层层高。事故隐患如水下暗礁，规章制度似行船航标。天下难事做于易，天下大事做于细。要想把好安全关，思想工作要领先。宁烦十次保安全，不省一事去冒险。安全思想不牢靠，事后难买后悔药。安全来自严谨，事故出于松散。安全支出不是费用而是投资，为安全投资是对员工最大的幸福。现场管理抓的松，“三违”、事故必发生。与其事故后哭断肠，不如事故前早预防。联劳协作安全工作要搞好，联劳协作是个宝。众人防范不嫌多，一人麻痹要砸锅。万众一心，众志成城；处处设防，事故难逞。众人拾柴火焰高，人人把关基础牢。一人安全孤单单，众人安全金灿灿。人人把关安全好，处处设防漏洞少。一人把关一处安，众人把关稳如山。专管成线，群管成网；上下结合，事故难藏。价值情操宁为安全操碎心，不让事故害人民。宁流一身汗，不流一滴血。宁为安全憔悴，不为事故流泪。抓安全坚定不移，管安全理直气壮。在岗一分钟，安全六十秒。知心话语高高兴兴上班，愉愉快快工作，平平安安回家。上有老，下有小，出了事故不得了。违章蛮干铸成终身遗憾，遵章守纪伴你一生平安。事故害人害己，安全利国利民。与其为昨天的失职而痛苦，不如用今天的尽职来弥补。唠唠叨叨为你好，千叮万嘱事故少。安全在于心细，事故出在大意。安全警钟长鸣，幸福伴君同行。回避事故隐患，等于放虎归山。省工省劲一阵子，事故害你一辈子。严为安全之本，松为事故之源。安全法规血写成，违章害己害亲人。不顾安全只图快，人身设备遭危害。心中多一点警惕，家里少一分担忧。千忙万忙，安全莫忘。心中有规程，安全伴我行。为了员工家庭美满幸福，为了企业的繁荣兴旺，请您注意安全！关心安全！抓好安全！做好安全！忽视安全就是毁灭幸福。一人上班全家挂念，按章作业牢记安全。你对违章讲人情，事故对你不留情。隐患猛于虎，麻痹虎伤人。安全生产挂嘴上，不如现场跑几趟。班前讲安全，思想添根弦。父母心、妻子心、孩子心、心心相印。安全关、质量关、效益关、关关相连。抓违章、心太软、出事故、落埋怨。安全在于长期警惕，事故出于瞬间麻痹。聪明人把安全寄托在遵章上，愚蠢者把安全依赖在侥幸上。最大的节约是安全，最大的浪费是事故。安全与幸福相连，“三违”与血泪相伴。安全生产大如天，安全责任重于山。幸福来自安全生产，灾祸源于违章蛮干。安全连着你我他，靠你靠我靠大家。安全在我心中，质量在我手中。安全工作只有起点，没有终点。宁让制度约束人，不让“三违”伤害人。安全是职工的生命线，职工是安全的负责人。安全是幸福的保障，安全是效益的源泉。违章就是你对妻儿父母的犯罪。水漫河堤要泛滥，违章蛮干要遭难。挣金山，挣银山，保证安全是靠山。自保互保联联保，你好我好人人好。斤斤计较抓效益，面红耳赤抓安全，严深细实抓管理。事故出于麻痹，安全源于警惕。宁叫工人骂红脸，不叫家属哭肿眼。安全是生命的基石，安全是欢乐的阶梯。自主保安铺下通天路，安全生产架起幸福桥。安全帽是个宝，大家一定要戴好。马虎凑乎不在乎，出了事故吃大苦。安全就是节约，安全就是生命。用汗水谱写一曲幸福之歌，用安全铺出一条幸福之路。只有消除思想上的隐患，才能保证工作中的安全。安全编织幸福的花环，违章酿就悔恨的苦酒。责任心是安全之魂，标准化是安全之本。凭侥幸，闯大胆，出了事故后悔晚。安全在于心细，事故出自大意。工作称职不称职，安全生产作标尺。好人主义害死人，发生事故坑了人。安全一万天，事故一瞬间。治病要趁早，安全要抓小。安全天天讲，生产有保障。无人故意出事故，事故出于无意中。事故教训是镜子，安全经验是明灯。处处要为安全着想，事事要用规程衡量。宁在严中求平安，勿在松中找灾难。轻轻松松当不好干部，舒舒服服抓不好安全。一切为了安全，一切服从安全，一切服务于安全。安全重于一切，安全高于一切，安全压倒一切。规律探秘责任心是安全之魂，标准化是安全之本。安全来自长期警惕，事故源于瞬间麻痹。心中有了规章，遇事不会惊慌。鱼恋鱼，虾恋虾，违章与事故结亲家。做事不靠众，累死也无用。山雨欲来风满楼，事故发生有兆头。绳子总在最脆弱处断开，事故易在“关键人”中发生。斩草要除根，安全须治本。有备，安全保险；无备，事故难免。与其事后痛心疾首，不如事前细心把守。事前不预防，出事徒悲伤。防患未然能主动，防微杜渐少过失。纵然千日无事故，不可一日稍马虎。打井防旱，严查防患。不怕千日紧，只怕一时松。有一万的把握，也要做防万一的准备。苍蝇专叮有缝蛋，事故专找蛮干汉。有章不循闯大祸，事故早晚找上门。谨慎小心是安全的保险带，麻痹大意是事故的导火索。四、安全歌谣安全“十想”歌一想个人安全歌，按章操作莫急躁。二想国家损失少，大家都是安全哨。三想爱妻恩爱情，安全之钟常警鸣。四想子女年幼小，安全尤似千斤挑。五想年迈父母亲，质量为本放在心。六想美满幸福家，生产安全人人抓。七想争创安全年，质量搞好保安全。八想劳动贡献多，安全换来丰硕果。九想经济效益高，安全为天最重要。十想领导教诲语，保障安全创佳绩。职工安全“十个想”上班之前想一想，乘车赶路不要慌。横穿马路想一想，先看是否有车辆。上岗之前想一想，防护用品穿戴齐。班前会上想一想，思想包袱全丢光。接班之时想一想，岗位存在啥危险。作业之中想一想，按规操作不违章。维护检修想一想，换牌挂牌重确认。作业之后想一想，场地是否清通畅。交班之时想一想，安全事项交对方。事事处处想一想，安全生产有保障。人身安全“十不干”遵章学技术，不干违章活。守纪听指挥，不干冒险活。教训莫蛮干，不干玩命活。安全忌凑合，不干侥幸活。团结要齐心，不干赌气活。劳逸休息好，不干疲劳活。施工勤检查，不干粗心活。心专莫闲谈，不干分心活。照应多招呼，不干溜号活。问题找组织，不干包袱活。安全十忌一忌规程不落实，说是说来做是做。二忌遇事乱指挥，不顾安全蛮干活。三忌有错顾脸面，违章行为怕人说。四忌干活想自己，上下左右不配合。五忌安全无措施，冒险蛮干事故多。六忌习惯性操作，安全观念太淡薄。七忌责任不落实，发生事故乱推诿。八忌检查留死角，隐患不除终是祸。九忌领导当好人，管理考核不严格。十忌无事享太平，麻痹滋生要不得。安全生产增效益，大显身手有收获。劝君自爱多珍重，愿你一生都欢乐。白国周班组管理法歌谣说安全，道安全安全理念最关键经验警句要记牢一人一句要提炼班前班后好机会安全理念要宣贯视频读书多形式事故案例经常看定期组织讨论会教训绷紧安全弦遵章守纪重践行内化外化言行间安全管理三字经说安全，第一经，何第一，爱生命，生命在，岗位兴，爱情萌，建家庭，人丁旺，乐无穷，家幸福，国安宁；事故出，祸端生，轻者伤，伤者痛，先付钱，医伤病，责追究，管者蒙，派护理，岗位停，接官查，得人迎，陪笑脸，自责痛，欲平息，吃喝请，酒斟罢，罚款送，笔笔款，惹心疼，出了钱，落了痛，赔夫人，又折兵；真情唤，众员工，爱生活，惜生命，四不伤，严规程，心存畏，责任重，不做古，不盲动，敬畏岗，辨险情，重防范，措施定，出方案，标准明，重实际，专业成，细交底，是先行，现场查，看实用，查什么，细说清，查标示，要分明，查堆放，要齐整，查设备，不带病，无漏缺，无松动，查电器，别漏空，一机闸，接地零，装保护，绝缘层，敷地埋，明架空；特殊活，办票证，登高空，要系绳，不抛接，绳提送；要破土，先查明，地下物，须标清，胸有竹，方可行；要吊装，起重工，查物重，查索绳，定指挥，信号明，栓引绳，防游动，吊物下，人莫行；进容器，先通风，查无毒，氧量盈，设监控，专人盯，限时间，保畅通，必要时，系腰绳，戴面具，不盲动，防擦伤，范围定，设标志，拉警绳；要拉运，路况明，有方案，措施定，捆扎牢，车速控，挂警示，办三证；三伏天，水保证，避高温，时调整，凉药备，盐补充，三九天，要防冻，设备停，水放净，冰雪天，防滑重，干冷天，防火重；要试压，辨风险，定措施，编方案，细交底，工作前，细检查，严把关，头咋封，口咋焊，气咋排，管咋安，压力表，是否验，危险区，派警员，咋增压，表咋看，谁记录，谁监管；带班者，职责关，技术员，技术关，安全员，监控关，纠三违，敢黑脸，对责任，如针毡，各就位，同把关，管理者，把啥关，建网络，配资源，机完好，本质安，定规章，制度全，抓培训，是本源，定职责，分明担，重监控，保带班，严考核，真兑现，常分析，不怕烦，治隐患，不隔天，管一方，保平安，企业兴，人康健。后记“教育为本，防患未然”。编写《员工安全知识手册》的目的在于让安全警钟常敲，让安全意识常增，让企业发展常安。各单位、各部门要把《员工安全知识手册》作为安全教育的学习材料，组织干部职工认真学习领会，力求熟记于心，长记于脑，进而增强安全意识，丰富安全文化，搞好自主保安，建设平安xx山，确保企业平安，职工平安。愿我们团结起来，“关爱生命，关注安全”！愿我们同心同德，“与安全牵手，让幸福常伴”！贵州xx山煤业有限公司安全监察部二0XX年六月二十二日附录AFujiIGBTModulesApplicationManualPowerconverters,suchasvariable-speedmotordrivesanduninterruptiblepowersuppliesforcomputers,wererevolutionizedwiththeintroductionofbipolarpowertransistormodulesandpowerMOSFETs.Thedemandforcompact,lightweight,andefficientpowerconvertershasconsequentlyalsopromotedtherapiddevelopmentoftheseswitchingdevices.BipolartransistormodulesandMOSFETshowever,cannotfullysatisfythedemandsofthesepowerconverters.Forexample,whilebipolarpowertransistormodulescanwithstandhighvoltagesandontrollargecurrents,theirswitch-ingspeedisratherslow.Conversely,powerMOSFETsswitchfast,buthavealowwithstandvoltageandcurrentcapacity.Therefore,tosatisfytheserequirements,theinsulatedgatebipolartransistor(IGBT)wasdeveloped.TheIGBTisaswitchingdevicedesignedtohavethehigh-speedswitchingperformanceandgatevoltagecontrolofapowerMOSFETaswellasthehigh-voltage/large-currenthandlingcapacityofabipolartransistor.ComparesthebasicstructureofanIGBTandapowerMOSFET.TheIGBTischaracterizedbyap+-layeraddedtothedrainsideofthepowerMOSFETstructure.Itisthisp+-layerthatenablesthevariousIGBTfeaturesexplainedinthismanual.AsshowninFig.1-2,theidealIGBTequivalentcircuitisamonolithicBi-MOStransistorinwhichapnpbipolartransistorandapowerMOSFETaredarlingtonconnected.Applyingapositivevoltagebetweenthegateandtheemitter,awitchesontheMOSFETandproducealowresistanceeffectbetweenthebaseandthecollectorofpnptransistor,therebyswitchingiton.Whentheappliedvotagebetweenthegaateandtheemitterissetto”0”ThismeansthatanIGBTcanbeswitchedonandoffusingvoltagesignalsinthesamewayasapowerMOSFET.LikethepowerMOSFET,apositivevoltagebetweenthegateandtheemitterproducesacurrentflowthroughtheIGBT,switchingiton.WhentheIGBTison,positivecarriersareinjectedfromthep+-layeronthedrainsideintothen-typebaseslayer,therebyprecipitatingconductivitymodulation.ThisenablestheIGBTtoachieveamuchloweron-resistancethanapowerMOSFET.TheIGBThasaverylowonresistanceforthefollowingreasons:ApowerMOSFETbecomesasingle-layersemiconductor(n-typeinthediagram)whenitisintheon-state,andhasresistorcharacteristicsbetweenthedrainandthesource.Thehigherthebreakdownvoltageandthedevice,thethickerthen-layerhastobe,butthisresultsinanincreaseddrain-to-sourceresistance.Thus,asthebreakdownvoltageincreasessodoestheon-resistance,makingitdifficulttodeveloplargecapacitypowerMOSFETs.UnlikethepowerMOSFET,then-baselayerresistanceoftheIGBTbecomesnegligibleduetotheeffectofthepndiodeformedbythejunctionoftheaddedp+-layerandn-typebaselayerwhenviewedfromthedrainside.AstheidealequivalentcircuitinFig.1-2shows,theIGBTisamonolithiccascade-typeBi-MOStransistorthatconsistsofapnpbipolartransistorandapowerMOSFETconnectedinDarlingtonform.Thedevicecanbecomparedtoahybridcascade-typeBi-MOStransistorthatconsistsofabipolartransistorchipandapowerMOSFETchip.Themajordifferenceistheon-resistanceofthepowerMOSFET.Theon-resistanceisextremelysmallintheIGBT.Consideringthechipforinter-chipwiring,theIGBTissuperiortothehybridcascade-typeBi-MOStransistor.FujiElectricDevicetechnology(FDT)beganproducingandmarketingIGBTs(insulatedgatebipolartransistors)in1988andhasbeensupplyingthemtothemarketeversince.Fig.1-3isanoverviewofthedevelopmentof,andtechnologiesimplementedinthefirstfiveIGBTgenerations.FDTsucceededinenhancingthecharacteristicsofthefirstthreeIGBTgenerations,byusingepitaxialwafers,optimizingthelifetimecontroltechniques,andbyapplyingfinepatterningtechnology.ThecompanywasabletosignificantlyenhancethecharacteristicsofthefourthandfifthgenerationsbyswitchingfromepitaxialwaferstoFZ(floatingzone)wafers.ThisachievementbroughtaboutarevolutionarytransitioninconventionalapproachestoIGBTdesign.Thebasicdesignconceptofepitaxialwafer-basedIGBTs(thethirdandfourthgenerationsratedatupto600V,called"punch-through"(PT)IGBTs)isdescribedbelow.TheseIGBTswereinjectedwithacarrieratahighlevelfromthecollectorsidesothattheywouldbefilledupwiththecarriertoreducetheonvoltagewhentheyareturnedon.Inordertoobtainthisonvoltagereduction,ann-bufferlayersupportingahighervoltagewasbuiltintheFZwafertoachieveathinnern-layer.Moreover,alifetimecontroltechniquewasimplementedtoremovethecarrierfillinguptheIGBTssoastolessentheswitchingloss(Eoff)whentheyareturnedoff.Implementinglifetimecontroltechniquesledtoincreasedonvoltagebecauseitseffect(reducedcarriertransportefficiency)persistedevenintheregularonstate.FDTinitiallyworkedaroundthisproblembypursuinghigher-levelcarrierinjection.Thebasicdesignconceptofepitaxialwafer-basedIGBTscanbesimplyexpressedinthewording"higher-levelinjectionandlowertransportefficiency."Incontrast,FZwafer-basedIGBTs(fourth-generation1200VIGBTsandlater)implementtheoppositeapproachtothebasicdesignconcept,suchthatcarrierinjectionfromthecollectorissuppressedtoreduceinjectionefficiencyandthusboosttransportefficiency.Theaforementioneddesignconceptofhigher-levelinjectionandlowertransportefficiencyimplementedinepitaxialwafer-basedIGBTshadalimitedeffectintermsofcharacteristicsenhancementasittooktheillogicalapproachofusinglifetimecontroltechniquestosuppressacarrierthathadalreadybeeninjectedwithacarrier.Moreover,theuseoflifetimecontrolresultedincertaineffectsthatweredetrimentaltoaddressingthethengrowingneedfortheparalleluseofIGBTs.Oneofthesewasincreasedvariationinonvoltagecharacteristicscausedbylifetimecontrol.ThenewFZwafer-basednon-punchthrough(NPT)IGBT(implementedfromthefourthgeneration)andfieldstop(FS)IGBT(implementedfromthefifthgeneration)weretheresultoftechnologieswedevelopedtodealwiththeseproblems.TheIGBTsareessentiallydesignedtocontroltheimpuritylevelofthecollector(p+layer),withoutrelyingonlifetimecontrols,tosuppresscarrierinjectionefficiency.Yet,FujiElectrichadtoworkoutanIGBTthatwithstoodvoltagesashighas1200Vandthatwasasthinasonehundredandseveraltensofmicronstoachievecharacteristicssuperiortothoseofanepitaxialwafer-basedIGBT.(WithaFZwafer-basedNPTorFSIGBT,then-layerwouldapproximatethechip(wafer)inthickness,andlessthicknessmeantaloweronvoltage.)Inotherwords,thedevelopmentofanFZ-waferbasedIGBThasbeenaconstantstruggleforever-thinnerwafers.FDThaslaunchedanewlineofNPTIGBTsthathaveevolvedoutofthefourthgenerationof1200VIGBTs,astheS-seriesresolvethesetasks.Thecompanyhasmadeprogressindeveloping600VIGBTsrequiringlessthicknesstosuchpointthatthemarketreleaseofthe600VUseries(fifthgeneration)isjustaroundthecorner.TheU-seriesfifthgenerationof1200VIGBTshasadvancedfromtheNPTstructuretotheNewFSstructuretoachieveenhancedcharacteristicsthatsurpasstheSseries.TheFSstructure,whileadheringtothebasicdesignconceptofthelower-levelcarrierinjectionandhighertransportefficiencywithalifetimecontrol-freeprocess,hasann-bufferlayersupportingahighervoltagewasbuiltintheFZwafertoachieveanIGBTstructurethatisthinnerthantheNPTstructure.ThecompanyhascompletedreparationsforputtingonthemarkettheresultantU-seriesof1200VIGBTswhichhasanonvoltagethatislowerthanthatoftheS-series.Thistechnologyisalsoimplementedinahighwithstandvoltagelineof1700VIGBTs,whichwillsoonbeputonthemarketaswell.FDThasalsopursuedafiner-patternedsurfacestructureasatechnologicalprerequisitetoenhancingIGBTcharacteristics.(BecauseanIGBTismadeupofnumerousIGBTblocks,finepatterningshouldallowaloweronvoltagetobeattainedformoreIGBTblocks.)FDTwasabletorealizemoreenhancedcharacteristicswiththefirstfourIGBTgenerationsintermsoffinepatterninginaplanarstructure(inwhichIGBTsarefabricatedinaplanarpattern).However,thecompanywasabletodramaticallyenhancethecharacteristicswiththefifthgenerationofthe1200Vand1700VlinesofIGBTs,asaresultofatechnicalbreakthroughitmadeinfinepatterntechnologybydrillingtrenchesintheSilicon(Si)surface.ThemostdifficultchallengeinproducinganIGBTwasmakinggatecontrolledprotectionpossible.DifferingfromtheidealequivalentcircuitshowninFig.1-2,theactualIGBTisacombinationofthyristorandMOSFETasshowninFig.1-5.ThecircuitdesigninFig.1-5hasoneproblemhowever,ifthethyristoristriggered,thentheIGBTcannotbeturnedoff.Thisphenomenon,knownas“latch-up”,mayallowanovercurrenttodestroythedevice.Topreventthis“latch-upphenomenon”,thefollowingtechniquesareused:1)Reducingthebase-emitterresistancemakesthedevicelesssusceptibletolatch-up.2)Optimizingthethicknessofthen+-bufferlayerandtheimpurityoncentration,allowstheofthepnptransistortobecontrolled.3)Implementingalifetimekiller,allowstheofthepnptransistortobecontrolled.Usingtheabovetechniques,highspeed,highvoltageandhighcurrentIGBTsthatdon’tlatch-upcanbeproduced.附录B富士IGBT模块应用手册电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极型功率晶体管模块和功率MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极型功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率MOSFET虽然交换速度足够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。IGBT（JEDEC登录名称，绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件，今后将有更大的发展潜力。IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图1-1所示。IGBT是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层构成的，从而具有以下种种特征。IGBT的理想等效电路，正如图1-2所示，是对pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp晶体管处于导通状态。此后，使门极—发射极之间的电压为0V时，首先功率MOSFET处于断路状态,pnp晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。如上所述，IGBT和功率MOSFET一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。IGBT和功率MOSFET同样，虽然在门极上外加正电压即可导通，但是由于通过在漏极上追加p+层，在导通状态下从p+层向n基极注入空穴，从而引发传导性能的转变，因此它与功率MOSFET相比，可以得到极低的通态电阻。下面对通过IGBT可以得到低通态电压的原理进行简单说明。众所周知，功率MOSFET是通过在门极上外加正电压，使p基极层形成沟道，从而进入导通状态的。此时，由于n发射极（源极）层和n基极层以沟道为媒介而导通，MOSFET的漏极—源极之间形成了单一的半导体（如图1-1中的n型）。它的电特性也就成了单纯的电阻。该电阻越低，通态电压也就变得越低。但是，在MOSFET进行耐高压化的同时，n基极层需要加厚，（n基极层的作用是在阻断状态下，维持漏极—源极之间所外加的电压。因此，需要维持的电压越高，该层就越厚。）元件的耐压性能越高，漏极－源极之间的电阻也就增加。正因为如此，高耐压的功率MOSFET的通态电阻变大，无法