晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序课件

晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序培训光伏电池评测中心目录confidential1、清洗制绒的作用及方法；2、清洗制绒的工艺设备及操作流程；3、主要检测项目及标准；4、常见问题及解决方法；5、未来工艺的发展方向；1、清洗制绒的作用及方法

太阳电池生产流程：清洗制绒扩散刻蚀去PSG

PECVD硅片印刷 烧结电池电池生产线硅片生产线组件生产线损伤层

清洗制绒作为太阳电池生产中的第一道工序，其主要作用有两个：祛除硅片表面的杂质损伤层：损伤层是在硅片切割过程中形成的表面（10微米左右）晶格畸变，具有较高的表面复合。形成陷光绒面结构：光线照射在硅片表面通过多次折射，达到减少反射率的目的。confidential1、清洗制绒的作用及方法多晶硅绒面confidential单晶硅绒面绒面制作方法：目前，晶体硅太阳电池的绒面一般的是通过化学腐蚀的方法制作完成，针对不同的硅片类型，有两种不同的化学液体系：单晶硅绒面制作：Si+2NaOH+H2O

→Na2SiO3

+2H2↑此反应为各向异性反应，也是形成金字塔绒面的原因2）多晶硅绒面制作：3Si+4HNO3

→3SiO2+4NO+2H2OSiO2+4HF→SiF4+2H2OSiF4

+4HF→H2SiF6此反应为各向同性反应，形成蠕虫状绒面

绒面反射率：1、清洗制绒的作用及方法制绒前：硅片表面的反射率一般为20%左右；制绒后：单晶的反射率可降至10%；多晶可降至15%；清洗制绒可有效提升对光线的吸收效率，提升电池性能。confidentialconfidential

槽体布局及工艺：操作方向confidential1#槽2#槽3#槽4#槽5#槽6#槽7#槽8#槽9#槽作用去杂质颗粒去杂质颗粒形成金字塔绒面形成金字塔绒面去除碱液去除金属杂质去除酸液使硅片更易脱水去除酸液溶液纯水纯水IPA、添加剂、NaOHIPA、添加剂、

NaOH纯水盐酸纯水氢氟酸纯水温度60℃60℃78℃78℃常温常温常温常温常温时间300S300s900s900s180s180s180s180s180s辅助超声鼓泡鼓泡喷淋喷淋2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺上片水槽水槽制绒槽制绒槽水槽HCL槽水槽HF槽水槽2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺confidential

各种药液的作用异丙醇：降低硅片表面张力，减少气泡在硅片表面的吸附，使金字塔更加均匀一致。添加剂：-降低硅表面张力，促进氢气泡的释放，是金字塔更加均匀一致。-增加溶液的粘稠度，减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，增强腐蚀的各向异性

3.HF酸：去除硅的氧化物，使硅片更易脱水4.HCL：去除金属离子

单晶制绒过程中影响因素碱液浓度溶液的温度制绒腐蚀时间的长短异丙醇的浓度制绒槽内硅酸钠的累积量槽体密封程度、异丙醇的挥发程度单晶制绒遵循原则：小而均匀，布满整个硅片表面confidential上料位confidential下料位2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺2.2多晶制绒设备：设备架构：链式制绒，槽体根据功能不同分为入料段、湿法刻蚀段、水洗段、碱洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽体的功能控制在操作电脑中完成。产品特点：有效减少化学药品使用量高扩展性模块化制程线拥有完善的过程监控系统和可视化操作界面优化流程，降低人员劳动强度通过高可靠进程降低碎片率自动补充耗料实现稳定过程控制产能：125mm*125mm硅片：2180片/小时156mm*156mm硅片：1800片/小时槽体布局及基本工艺：1#2#3#4#5#6#7#8#9#InputWetEtchingDIWaterRinseAlkalineCleaningDIWaterRinseAcidCleaningCascadeRinseDryerOutputBlowOffBlowOffBlowOffBlowOffBlowOffBlowOff作用腐蚀硅的表面，使其形成多孔结构去除多孔硅、中和残留酸化硅去除金属杂质和二氧化硅（二氧具有亲水性，去除二氧化硅使片子更容易脱水吹干）1400mm900mm1000mm300L50L200L50L200L50L*2HF+HNO3NaOHHF+HCl3℃RT25℃RTRTRT2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺confidential

多晶制绒的影响因素：温度对氧化反应的影响比较大，对扩散及溶解反应的影响比较小。温度升高，反应速度常数会增大，物质传输速度也增大。水的加入主要降低了硝酸的浓度，从而减小了酸液对硅片的氧化能力硫酸能提高溶液粘度，也不参加腐蚀反应，可以稳定反应速度，增加腐蚀均匀性。（rena刻蚀设备加硫酸而kuttler并不加）2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺confidential

注意事项：禁止裸手接触硅片；上片时保持硅片间距40mm左右；制绒时带速禁止随意改动；下片时注意硅片表面是否吹干；制绒清洗完硅片要尽快扩散，滞留时间不超过1h。confidential2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺

多晶制绒生产流程:3、主要检测项目及保准

表面结构：金相显微镜电子扫描显微镜单晶绒面-金字塔多晶绒面-沟槽金字塔为3微米左右confidential蠕虫状细坑为3微米左右绒面标准：3、主要检测项目及标准

反射率：所用仪器：标准8度角绒面积分式反射仪(D8)confidential反射率标准：在保持硅片减薄量的前提下，反射率越低越好，单晶不能大于10%，多晶不能大于15%减薄量标准：单晶0.3克左右多晶0.4克左右

减薄量：所用仪器：电子天平confidential5、未来工艺的发展方向

单晶碱腐蚀的改进技术现有工艺改进：单晶小绒面，减少漏电流、减少磨损的