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射频（RF）基站的幕后故事（第1部分）我们在自己的日常活动（或是给亲戚打电话、或是给朋友发短信、甚至是通过移动设备阅读这篇博客文章）中使用射频（RF）通信。空气里有许多信号在快速传播，然而，大多数这样的信号是哪里产生的呢？大部分RF通信源自蜂窝塔或无线基站，例如图1所示的基站塔。图1：手机基站这些基站内有很多组件，因此一份完整的总结将变成一篇博士论文！但笔者不会面面俱到去赘述，而是集中讨论一种对任何基站而言均至关重要的组件：功率放大器（PA）。正如您可能已猜到的，PA的目的是将低功率RF信号放大成高功率RF信号（被驱入基站发射器）。在注入任何RF信号之前，要把一种直流（DC）电压（Vgate）施加到PA的栅极并对该电压进行调节，直到所需的漏极电流流过PA。该电流通常被称为静态电流——无RF输入存在时流动的电流。可对该静态电流值进行选择，以适合最终应用（包括调制系统和器件运行级别）。图2是典型PA设置的简化原理图。图2：简化的PA原理图为更好地了解栅极电压和静态电流如何影响RF（交流(AC)）性能，您可以用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型来代替PA，得出下面的表达式：（处于饱和状态的MOSFET）（1）（2）图3是两个方程式的图形表述形式。驱动一个小的RF输入信号，使其叠加到DC栅极电压上，从而产生一种AC漏极电流ΔIds。该AC电流围绕静态电流值Idsq（见图3a）振荡。您可利用MOSFET晶体管I-V曲线和负载线分析来找到相应的AC漏极电压ΔVds（见图3b）。在确定AC漏极电压与AC漏极电流之间的关系时，方程式2可进一步简化为方程式3。（3）在图3a中，使用跨导的斜率计算结果gm，您可进一步将表达式归纳为：（4）因此该放大器的电压增益ΔVds/ΔVgate被诠释为–Rs•gm，这可换算成：

–Rs•2•Idsq/(Vgate–Vth)上述表达式主要阐明该配置的增益与静态电流Idsq直接成比例。此外，还可对Idsq进行选择，以确保输出电压摆幅不会因饱和而受限；这就是您应该在RF运行之前选一个Idsq值的原因，此举需要一种规定的DC栅极电压。图3：（a）MOSFETVgate与Ids曲线图（b）MOSFET共源负载线分析传统上，大多数PA偏置系统均采用分立式解决方案，有些这样的解决方案像PA栅极上的电位计（可变电阻分压器）一样简单。较新的方法利用精密数模转换器（DAC）和/或数字电位计的准确性和数字接口。横向扩散MOSFET（LDMOS）、砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）等不同的PA技术需要不同等级的栅极电压用于器件运行。例如，GaN和GaAs需要负偏置系统，而LDMOS则需要适用于器件运行的正电压。出于这个原因，许多PA偏置解决方案现在也开始把具有双极性范围的DAC列为一部分。PA在器件运行过程中显示出的非线性主要依赖于温度。这些非线性可显著影响性能，因为它们会导致不可预测的器件行为。笔者在以后的博文中将讨论这些非线性，敬请关

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