合工大电力电子技术4章

电力电子技术

PowerElectronicTechnology第四讲电力电子器件〔三〕3.0概述3.1门极可关断晶闸管3.2电力晶体管3.3电力场效应晶体管3.4绝缘栅双极晶体管3.0概述门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶闸管问世后不久出现20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自开展的根底上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管(GiantTransistor——GTR)、电力场效应晶体管(PowerMOSFET)、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)前往3.1门极可关断晶闸管3.1.1概述3.1.2GTO的构造和任务原理3.1.3GTO的动态特性3.1.4GTO的主要参数前往3.1.1概述门极可关断晶闸管〔Gate-Turn-OffThyristor—GTO〕晶闸管的一种派生器件可以经过在门极施加负的脉冲电流使其关断GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因此在兆瓦级以上的大功率场所仍有较多的运用前往3.1.2GTO的构造和任务原理构造：与普通晶闸管的一样点：PNPN四层半导体构造，外部引出阳极、阴极和门极和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极那么在器件内部并联在一同图1-13GTO的内部构造和电气图形符号a)各单元的阴极、门极间隔陈列的图形b)并联单元构造断面表示图c)电气图形符号前往3.1.2GTO的构造和任务原理任务原理：与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析1+2=1是器件临界导通的条件。当1+2>1时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当1+2<1时，不能维持饱和导通而关断3.1.2GTO的构造和任务原理GTO可以经过门极关断的缘由是其与普通晶闸管有如下区别：〔1〕设计2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断〔2〕导通时1+2更接近1〔1.05，普通晶闸管1+21.15〕导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大〔3〕多元集成构造使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流导经过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅关断过程：剧烈正反响——门极加负脉冲即从门极抽出电流，那么Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流当IA和IK的减小使1+2<1时，器件退出饱和而关断多元集成构造还使GTO比普通晶闸管开经过程快，接受di/dt才干强3.1.2GTO的构造和任务原理3.1.3GTO的动态特性开经过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr图1-14GTO的开通和关断过程电流波形前往3.1.3GTO的动态特性关断过程：与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf残存载流子复合——尾部时间tt通常tf比ts小得多，而tt比ts要长门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍坚持适当负电压，那么可缩短尾部时间3.1.4GTO的主要参数GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义一样，以下只引见意义不同的参数1)开通时间ton延迟时间与上升时间之和。延迟时间普通约1~2s，上升时间那么随通态阳极电流值的增大而增大2)关断时间toff普通指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间普通小于2s不少GTO都制呵斥逆导型，类似于逆导晶闸管，需接受反压时，应和电力二极管串联前往3.1.4GTO的主要参数3)最大可关断阳极电流IATO:GTO的额定电流4)

电流关断增益off最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益

〔1-8〕off普通很小，只需5左右，这是GTO的一个主要缺陷。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A3.2电力晶体管3.2.1概述3.2.2GTR的构造和任务原理3.2.3GTR的根本特性3.2.4GTR的主要参数3.2.5GTR的二次击穿景象与平安任务区前往3.2.1概述术语用法：电力晶体管〔GiantTransistor——GTR，直译为巨型晶体管〕耐高电压、大电流的双极结型晶体管〔BipolarJunctionTransistor——BJT〕，英文有时候也称为PowerBJT在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个称号等效

运用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代前往3.2.2GTR的构造和任务原理GTR的构造和任务原理(图1-15〕与普通的双极结型晶体管根本原理是一样的主要特性是耐压高、电流大、开关特性好通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元构造采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成前往3.2.2GTR的构造和任务原理图1-15GTR的构造、电气图形符号和内部载流子的流动a)内部构造断面表示图b)电气图形符号c)内部载流子的流动3.2.2GTR的构造和任务原理普通采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为〔1-9〕——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制才干3.2.2GTR的构造和任务原理当思索到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为ic=ib+Iceo〔1-10〕产品阐明书中通常给直流电流增益hFE——在直流任务情况下集电极电流与基极电流之比。普通可以为hFE单管GTR的值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益3.2.3GTR的根本特性(1)

静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区在电力电子电路中GTR任务在开关形状，即任务在截止区或饱和区在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区图1-16共发射极接法时GTR的输出特性前往3.2.3GTR的根本特性(2)

动态特性

图1-17GTR的开通和关断过程电流波形3.2.3GTR的根本特性开经过程延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间tontd主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开经过程3.2.3GTR的根本特性关断过程储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toffts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces添加，从而增大通态损耗GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多3.2.4GTR的主要参数前已述及：电流放大倍数、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff此外还有,1)

最高任务电压2)

集电极最大允许电流IcM3)集电极最大耗散功率PcM前往3.2.4GTR的主要参数1)

最高任务电压GTR上电压超越规定值时会发生击穿击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关BUcbo>BUcex>BUces>BUcer>Buceo实践运用时，为确保平安，最高任务电压要比BUceo低得多3.2.4GTR的主要参数2)

集电极最大允许电流IcM通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic实践运用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点3.2.4GTR的主要参数3)集电极最大耗散功率PcM最高任务温度下允许的耗散功率产品阐明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高任务温度3.2.5GTR的二次击穿景象与平安任务区一次击穿集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿只需Ic不超越限制，GTR普通不会损坏，任务特性也不变二次击穿一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会忽然急剧上升，并伴随电压的陡然下降经常立刻导致器件的永久损坏，或者任务特性明显衰变前往3.2.5GTR的二次击穿景象与平安任务区平安任务区〔SafeOperatingArea——SOA〕最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界限限定图1-18GTR的平安任务区3.3电力场效应晶体管3.3.1概述3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理3.3.3电力MOSFET的根本特性3.3.4电力MOSFET的主要参数前往3.3.1概述也分为结型和绝缘栅型〔类似小功率FieldEffectTransistor——FET〕但通常主要指绝缘栅型中的MOS型〔MetalOxideSemiconductorFET〕简称电力MOSFET〔PowerMOSFET〕结型电力场效应晶体管普通称作静电感应晶体管〔StaticInductionTransistor——SIT〕前往3.3.1概述

特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需求的驱动功率小开关速度快，任务频率高热稳定性优于GTR电流容量小，耐压低，普通只适用于功率不超越10kW的电力电子安装3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理电力MOSFET的种类

按导电沟道可分为P沟道和N沟道耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道加强型——对于N〔P〕沟道器件，栅极电压大于〔小于〕零时才存在导电沟道

电力MOSFET主要是N沟道加强型前往3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理电力MOSFET的构造图1-19电力MOSFET的构造和电气图形符号3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理导通时只需一种极性的载流子〔多子〕参与导电，是单极型晶体管导电机理与小功率MOS管一样，但构造上有较大区别电力MOSFET的多元集成构造国际整流器公司〔InternationalRectifier〕的HEXFET采用了六边形单元西门子公司〔Siemens〕的SIPMOSFET采用了正方形单元摩托罗拉公司〔Motorola〕的TMOS采用了矩形单元按“品〞字形陈列3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理小功率MOS管是横导游电器件电力MOSFET大都采用垂直导电构造，又称为VMOSFET〔VerticalMOSFET〕——大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流才干按垂直导电构造的差别，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双分散构造的VDMOSFET〔VerticalDouble-diffusedMOSFET〕这里主要以VDMOS器件为例进展讨论3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理电力MOSFET的任务原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零P基区与N漂移区之间构成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过3.3.2电力MOSFET的构造和任务原理电力MOSFET的任务原理导电：在栅源极间加正电压UGS栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区外表当UGS大于UT〔开启电压或阈值电压〕时，栅极下P区外表的电子浓度将超越空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层构成N沟道而使PN结J1消逝，漏极和源极导电3.3.3电力MOSFET的根本特性1)

静态特性图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性前往3.3.3电力MOSFET的根本特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs3.3.3电力MOSFET的根本特性MOSFET的漏极伏安特性〔输出特性〕：截止区〔对应于GTR的截止区〕饱和区〔对应于GTR的放大区〕非饱和区〔对应于GTR的饱和区〕电力MOSFET任务在开关形状，即在截止区和非饱和区之间来回转换电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利3.3.3电力MOSFET的根本特性2)

动态特性图1-21电力MOSFET的开关过程a)测试电路b)开关过程波形up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极电流3.3.3电力MOSFET的根本特性开经过程〔开关过程图〕开通延迟时间td(on)——up前沿时辰到uGS=UT并开场出现iD的时辰间的时间段上升时间tr——uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决议UGSP的大小和iD的稳态值有关UGS到达UGSP后，在up作用下继续升高直至到达稳态，但iD已不变开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和3.3.3电力MOSFET的根本特性关断过程〔开关过程图〕

关断延迟时间td(off)——up下降到零起，Cin经过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开场减小止的时间段下降时间tf——uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS<UT时沟道消逝，iD下降到零为止的时间段关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和3.3.3电力MOSFET的根本特性MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系运用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因此关断过程非常迅速开关时间在10~100ns之间，任务频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需求的驱动功率越大。3.3.4电力MOSFET的主要参数3.电力MOSFET的主要参数除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之还有:1)

漏极电压UDS电力MOSFET电压定额2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM电力MOSFET电流定额3)栅源电压UGS栅源之间的绝缘层很薄，UGS>20V将导致绝缘层击穿4)

极间电容极间电容CGS、CGD和CDS

前往3.3.4电力MOSFET的主要参数厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反向转移电容CrssCiss=CGS+CGD〔1-14〕Crss=CGD〔1-15〕Coss=CDS+CGD〔1-16〕输入电容可近似用Ciss替代这些电容都是非线性的3.3.4电力MOSFET的主要参数

漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决议了电力MOSFET的平安任务区MOSFET正向偏置平安任务区(图中的时间表示脉冲宽度〕

普通来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题，这是它的一大优点

实践运用中仍应留意留适当的裕量3.4绝缘栅双极晶体管3.4.1概述3.4.2IGBT的构造和任务原理3.4.3IGBT的根本特性3.4.4IGBT的主要参数3.4.5IGBT的擎住效应和平安任务区前往3.4.1概述GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流才干很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件前往3.4.1概述绝缘栅双极晶体管〔Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT〕

GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性

1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件

继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的位置3.4.2IGBT的构造和任务原理IGBT是三端器件：栅极G、集电极C和发射极E图1-22IGBT的构造、简化等效电路和电气图形符号a)内部构造断面表示图b)简化等效电路c)电气图形符号前往3.4.2IGBT的构造和任务原理IGBT的构造〔显示图〕图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT〔N-IGBT〕

IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，构成了一个大面积的P+N结J1——使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进展调制，使得IGBT具有很强的通流才干简化等效电路阐明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿构造，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管

RN为晶体管基区内的调制电阻3.4.2IGBT的构造和任务原理IGBT的原理

驱动原理与电力MOSFET根本一样，场控器件，通断由栅射极电压uGE决议导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内构成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消逝，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断3.4.3IGBT的根本特性1)

IGBT的静态特性图1-23IGBT的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性前往3.4.3IGBT的根本特性转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25C时，UGE(th)的值普通为2~6V输出特性〔伏安特性〕——以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应uCE<0时，IGBT为反向阻断任务形状3.4.3IGBT的根本特性2)

IGBT的动态特性图1-24IGBT的开关过程3.4.3IGBT的根本特性IGBT的开经过程

〔开关过程图〕与MOSFET的类似，由于开经过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运转开通延迟时间td(on)——从uGE上升至其幅值10%的时辰，到iC上升至10%ICM²

电流上升时间tr——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间开通时间ton——开通延迟时间与电流上升时间之和uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1——IGBT中MOSFET单独任务的电压下降过程；tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时任务的电压下降过程3.4.3IGBT的根本特性IGBT的关断过程〔开关过程图〕关断延迟时间td(off)——从uGE后沿下降到其幅值90%的时辰起，到iC下降至90%ICM电流下降时间tf——iC从90%ICM下降至10%ICM关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢3.4.3IGBT的根本特性IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的益处，但也引入了少子储存景象，因此IGBT的开关速度低于电力MOSFETIGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需求折衷的参数3.4.4IGBT的主要参数1)最大集射极间电压UCES由内部PNP晶体管的击穿电压确定2)

最大集电极电流包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP3)最大集电极功耗PCM正常任务温度下允许的最大功耗前往3.4.4IGBT的主要参数IGBT的特性和参数特点开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只需GTR的1/10，与电力MOSFET相当一样电压和电流定额时，平安任务区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击才干通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似与MOSFET和GTR相比，耐压和通流才干还可以进一步提高，同时坚持开关频率高的特点3.4.5IGBT的擎住效应和平安任务区

图1-22