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文档简介

光电板I-V特性测量方案一、标准测试条件：1、 组件温度——25°c（±2°c）；2、 辐照度——1000W/m2；3、 光谱辐照度分布——AM1.5（详见GB/T6495.3-1996）。由于光谱辐照度分布在实际测量环境中难以把控，完全再现标准要求，所以测量时主要监控组件温度和辐照度，对于太阳模拟器的辐照度，在标准中要求用标准太阳电池校准（监测标准太阳电池的短路电流），现在暂定用总辐射表校准。二、测试光电板型号:型号材料标称Isc(A)Voc(V)Pm(W0Im(A)Vm(V)数量SM55单晶硅3.4521.7553.1517.45N-5单晶硅3.221482.7917.43日地单晶硅5016.81Solarex多晶硅3.3321.3533.0817.21多晶硅2Isc为短路电流；Voc为断路电压；Pm为最大功率；Im为最大功率点电流（峰值电流）；Vm为最大功率点电压（峰值电压）。三、 测量设备：太阳模拟器、总辐射表两台、温度传感器四支（两支测光电板温度、两支测环境温度）、太阳能测试记录仪（记录温度值和辐射值）、直流数字电压表（可用外用表代替）、直流电流表、用于固定光电板的支架、导线及控制开关。四、 测量电路图：伏安法测量电路五、实验过程：（一）校准过程：1、 校核电流表和电压表；2、 用总辐射表校准模拟器，调节为1000W/m2；3、 校准记录仪时间和计时用表的时间（二）测量过程1、 K1、K2都断开，连接好光电板，将滑动变阻器阻值调到最大，检查电压表、电流表的量程，要求两者量程要分别大于所测光电板标称的Voc和Isc的两倍以上；2、 闭合K1，保持K2断开，这时可以得到Voc；（Voc也可由数据求得）3、 保持K1闭合，再闭合K2,开始正常点的测量，滑动变阻器由最大逐渐调小，电压会随着减小，以电压表每变化0.5V（或1V）记录一个数据点，即一对电压电流值，直到电压值降到0.5V（或1V）以内做最后一次记录，之后断开K1；4、 经上一步可以得出一个曲线走向，找出电流变化趋势发生明显转折的A、B两点，在这两点之间加大测量密度，电压值每变化0.1V（或0.2V）记一个数据点，以利于找到最大功率点（Pm），具体操作：把滑动变阻器调到最大阻值，闭合K2、K1，调节滑动变阻器使电压为A点电压，再逐渐调小电阻，电压表每降0.1V记录一次，直到电压值为B点电压。I-V特性曲线六、注意事项：1、 记录数据时要记录时间，以便查对数据点的温度和辐照度；2、 组件测量温度要控制在23-27^之间，以减小温度系数对测量值的干扰（一般电流温度系数是正的，电压温度系数是负的，功率随温度的升高而下降）；具体措施：可用遮阳布遮挡几分钟或模拟器停机，使温度降回到允许范围3、 如果温度、辐照度不符合测试的标准条件，要依据标准BG/T6495-4进行修正，但修正公式中有标准太阳电池的短路电流和开路电压的实测输出值；4、 采集两个数据的间隔时间要长于变化响应时间；5、 I

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