第一章电力电子器件

1.7电力电子器件器件的维护1.7电力电子器件器件的维护1.7.1过电压的产生及过电压维护1.7.2过电流维护1.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕1

1.7电力电子器件器件的维护

1.7.1过电压的产生及过电压维护电力电子安装能够的过电压—外因过电压和内因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因(1)

操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起(2)

雷击过电压：由雷击引起内因过电压主要来自电力电子安装内部器件的开关过程(1)

换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相终了后不能立刻恢复阻断，因此有较大的反向电流流过，当恢复了阻断才干时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压(2)

关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压■21.7.1过电压的产生及过电压维护过电压维护措施

图1-34过电压制制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压制制电容RC1阀侧浪涌过电压制制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压制制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压制制器RC3阀器件换相过电压制制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压制制用RCD电路电力电子安装可视详细情况只采用其中的几种其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴■31.7.1过电压的产生及过电压维护外因过电压制制措施中，RC过电压制制电路最为常见，典型结合方式见图1-35RC过电压制制电路可接于供电变压器的两侧〔供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧〕，或电力电子电路的直流侧图1-35RC过电压制制电路结合方式a)单相b)三相

■41.7.1过电压的产生及过电压维护大容量电力电子安装可采用图1-36所示的反向阻断式RC电路图1-36反向阻断式过电压制制用RC电路维护电路参数计算可参考相关工程手册其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转机二极管〔BOD〕等非线性元器件限制或吸收过电压■5

1.7.2过电流维护

过电流——过载和短路两种情况常用措施〔图1-37〕快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器同时采用几种过电流维护措施，提高可靠性和合理性电子电路作为第一维护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的维护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现维护，过电流继电器整定在过载时动作图1-37过电流维护措施及配置位置■61.7.2过电流维护快速熔断器电力电子安装中最有效、运用最广的一种过电流维护措施选择快熔时应思索：(1)电压等级根据熔断后快熔实践接受的电压确定(2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路结合方式确定(3)快熔的I2t值应小于被维护器件的允许I2t值■71.7.2过电流维护(4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应思索其时间电流特性快熔对器件的维护方式：全维护和短路维护两种全维护：过载、短路均由快熔进展维护，适用于小功率安装或器件裕度较大的场所短路维护方式：快熔只在短路电流较大的区域起维护作用对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件〔很难用快熔维护〕，需采用电子电路进展过电流维护常在全控型器件的驱动电路中设置过电流维护环节，呼应最快■81.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕

缓冲电路〔吸收电路〕：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗关断缓冲电路〔du/dt抑制电路〕——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗开通缓冲电路〔di/dt抑制电路〕——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一同——复合缓冲电路其他分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路〔无损吸收电路〕通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路■91.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕缓冲电路作用分析无缓冲电路：V开通时电流迅速上升，di/dt很大关断时du/dt很大，并出现很高的过电压有缓冲电路V开通时：Cs经过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢V关断时：负载电流经过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压图1-38di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形■101.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕关断时的负载曲线无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开场上升时就下降，负载线经过D到达C负载线ADC平安，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低图1-39关断时的负载线■111.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕充放电型RCD缓冲电路〔图1-38〕，适用于中等容量的场所图1-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件图1-40另外两种常用的缓冲电路a)RC吸收电路b)放电阻止型RCD吸收电路■121.7.3缓冲电路〔SnubberCircuit〕

缓冲电路中的元件选取及其他本卷须知Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册VDs必需选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容中小容量场所，假设线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路

对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容晶闸管在适用中普通只接受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，普通采用RC吸收电路即可■131.8电力电子器件器件的串联和并联运用1.8.1晶闸管的串联1.8.2晶闸管的并联1.8.3电力MOSFET和IGBT并联运转的特点141.8.1晶闸管的串联目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差别，使器件电压分配不均匀静态不均压：串联的器件流过的漏电流一样，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等接受电压高的器件首先到达转机电压而导通，使另一个器件承当全部电压也导通，失去控制造用反向时，能够使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿■1.8电力电子器件器件的串联和并联运用15

1.8.1晶闸管的串联

静态均压措施选用参数和特性尽量一致的器件采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多图1-41晶闸管的串联a)伏安特性差别b)串联均压措施■161.8.1晶闸管的串联动态均压措施动态不均压——由于器件动态参数和特性的差别呵斥的不均压动态均压措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件用RC并联支路作动态均压采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差别■17

1.8.2晶闸管的并联

目的：多个器件并联来承当较大的电流问题：会分别因静态和动态特性参数的差别而电流分配不均匀

均流措施挑选特性参数尽量一致的器件采用均流电抗器用门极强脉冲触发也有助于动态均流当需求同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接■18

1.8.3电力MOSFET和IGBT并联运转的特点

电力MOSFET并联运转的特点Ron具有正温度系数，具有电流自动平衡的才干，容易并联留意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联电路走线和规划应尽量对称可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用

IGBT并联运转的特点在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数在以上的区段那么具有正温度系数并联运用时也具有电流的自动平衡才干，易于并联■19

本章小结

主要内容全面引见各种主要电力电子器件的根本构造、任务原理、根本特性和主要参数等集中讨论电力电子器件的驱动、维护和串、并联运用电力电子器件类型归纳单极型：电力MOSFET和SIT■图1-42电力电子器件分类“树〞20本章小结双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH复合型：IGBT和MCT电压驱动型：单极型器件和复合型器件，双极型器件中的SITH特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，任务频率高电流驱动型：双极型器件中除SITH外特点：具有电导调制效应，因此通态压降低，导通损耗小，但任务频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂■21本章小结

当前的格局:IGBT为主体，第四代产品，制造程度2.5kV/1.8kA，兆瓦以下首选。不断开展，与IGCT等新器件猛烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTOGTO：兆瓦以上首选，制造程度6kV/6kA光控晶闸管：功率更大场所，8kV/3.5kA，安装最高达300MVA，容量最大电力MOSFET：长足提高，中小功率领域特别是低压，位置结实■22

图1-1电力电子器件在实践运用中的系统组成

前往■23

图1-2电力二极管的外形、构造和电气图形符号

外形构造电气图形符号

前往24

图1-3PN结的构成

前往25

图1-4电力二极管的伏安特性

前往26

图1-5电力二极管的动态过程波形

正向偏置转换为反向偏置零偏置转换为正向偏置前往27图1-6晶闸管的外形、构造和电气图形符号

外形构造电气图形符号前往28

图1-7晶闸管的双晶体管模型及其任务原理

双晶体管模型任务原理前往29

图1-8晶闸管的伏安特性

IG2>IG1>IG前往30图1-9晶闸管的开通和关断过程波形前往31

图1-10双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性

电气图形符号伏安特性前往32

图1-11逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性

电气图形符号伏安特性前往33图1-12光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性电气图形符号伏安特性前往34

图1-13GTO的内部构造和电气图形符号

c)电气图形符号

a)各单元的阴极、门极间隔陈列的图形b)并联单元构造断面表示图前往35

图1-14GTO的开通和关断过程电流波形

前往36

图1-15GTR的构造、电气图形符号和内部载流子的流动

内部构造断面表示图电气图形符号内部载流子的流动前往37

图1-16共发射极接法时GTR的输出特性

前往38

图1-17GTR的开通和关断过程电流波形

前往39

图1-18GTR的平安任务区

前往40图1-19电力MOSFET的构造和电气图形符号内部构造断面表示图电气图形符号前往41图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性转移特性输出特性前往42

图1-21电力MOSFET的开关过程

测试电路开关过程波形

up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，前往RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极电流43

图1-22IGBT的构造、简化等效电路和电气图形符号

前往内部构造断面表示图简化等效电路电气图形符号44

图1-23IGBT的转移特性和输出特性

转移特性输出特性前往45

图1-24IGBT的开关过程前往46

图1-25光耦合器的类型及接法

普通型高速型高传输比型前往47

图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形

t1~t2脉冲前沿上升时间〔<1s〕t1~t3强脉冲宽度IM强脉冲幅值〔3IGT~5IGT〕t1~t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值〔1.5IGT~2IGT〕前往48图1-27常见的晶闸管触发电路前往49