电工电子 第4章 半导体器件及基本放大电路

第4章半导体器件及基本放大电路

半导体三极管及其放大电路

晶体三极管放大电路静态分析放大电路动态分析

半导体二极管及其应用

半导体导电特性及PN结半导体二极管直流稳压电源4.1半导体导电特性及PN结物体分类导体—导电率为105s.cm-1，量级，如金属；绝缘体—导电率为10-22-10-14s.cm-1量级，如：橡胶、云母、塑料等；—导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。半导体掺入杂质则导电率增加百万倍掺杂特性半导体器件温度增加使导电率大为增加温度特性热敏器件光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势光照特性光敏器件光电器件

何谓半导体4.1.1半导体导电特性+4表示除去价电子后的原子完全纯净、结构完整的半导体晶体。纯度：99.9999999%，“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。常用的本征半导体：Si+14284Ge+3228184+41.本征半导体硅原子价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键结构：每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴本征激发复合成对出现成对消失在常温下自由电子和空穴的形成：

本征半导体中有两种载流子——自由电子和空穴，它们是成对出现的。运载电荷的粒子温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素。+4+4+4+4+4+4外电场方向空穴移动方向

电子移动方向

价电子填补空穴在外电场的作用下，产生电流——电子流和空穴流自由电子和空穴均参与导电，本征半导体电流是两个电流之和。+4+4+4+4+4+4+4+4+4磷原子+5多余价电子正离子自由电子（1）N型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素如磷，则形成N型半导体。２.杂质型半导体自由电子数目的增加，并不改变半导体的电中性。电子数（多子）>>空穴数（少子）杂质原子提供由热激发形成+4+4+4+4+4+4+4+4+4硼原子+3负离子空穴填补空位（2）P型半导体

在硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素如硼，则形成P型半导体。掺入三价元素而引起空穴数目的增加，并不使半导体带电，即半导体对外仍呈电中性。空穴数（多子）>>电子数（少子）杂质原子提供由热激发形成

N型半导体结构示意图P型半导体结构示意图少数载流子正离子多数载流子负离子少数载流子多数载流子杂质半导体特点：1、杂质半导体导电能力强。2、多子浓度约等于所掺杂质原子浓度，受温度影响小。3、少子是本征激发形成的，浓度低，但对温度非常敏感，会影响半导体器件工作性能。数据如下：硅本征激发浓度Si=1.43×1010个/cm3；硅原子浓度为5.1×1022cm－3；掺杂百万分之一，即掺杂5.1×1016cm－3，则载流子浓度为本征激发浓度的百万倍。1.PN结的形成4.1.2PN结及其单向导电性

在交界面处由于多子浓度上的差异，P区的空穴要向N区扩散，N区的电子也要向P区扩散。随着扩散在交界面附近，P区的空穴和N区的电子都将消失，形成空间电荷区，即为PN结。P区N区P区的空穴向N区扩散并与电子复合N区的电子向P区扩散并与空穴复合空间电荷区内电场方向多子扩散少子漂移内电场方向空间电荷区P区N区

在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。

离子不能移动，空间电荷区有很高的电阻率，故又叫阻挡层，或叫耗尽层(载流子耗尽了)。

内电场方向外电场方向RI2.PN结的单向导电性P区N区外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷空间电荷区变窄

扩散运动增强，形成较大的正向电流（1）外加正向电压EPN结正向导通外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走P区N区内电场方向R空间电荷区变宽外电场方向I（2）外加反向电压少数载流子越过PN结形成很小的反向电流EPN结的单向导电性多数载流子的扩散运动难于进行PN结反向截止1、空间电荷区中没有载流子，又称耗尽层。2、空间电荷区中内电场阻碍扩散运动的进行。（扩散运动为多子形成的运动。）3、少子数量有限，因此由它们形成的电流很小。4、PN结具有单向导电性。正向偏置：P区加正、N区加负电压多子运动增强，PN结导通反向偏置：P区加负、N区加正电压少子运动增强，PN结截止小结：4.2半导体二极管半导体二极管导电方向是从正极指向负极。二极管有两个电极：正极（阳极）和负极（阴极）二极管的型号举例2CK18序号功能（K--开关、W--稳压、

Z--整流、P—普通）材料（A、B--锗，C、D--硅）二极管

实际正向特性正向特性反向特性

当二极管的正向电压很小时，流过的正向电流也很小；当电压大于死区电压后，正向电流开始迅速增大。正向导通压降:硅管0.6~0.8V，锗管0.2~0.3V。硅管0.5V，锗管0.1V。

二极管正向导通时管压降基本固定。导通电阻很小。4.2.1伏安特性

实际反向特性正向特性反向特性

反向电压小于某一数值时，反向电流很小（即反向电阻很大）。反向漏电流（反向饱和电流）：

若二极管反向电压大于某个定值，反向电流会急剧增大，这种现象叫反向击穿。反向击穿电压：二极管反向电压小于某一数值时的电流，它是由少数载流子形成的，不随外加反向电压的大小而变化。硅:<0.1A，锗:几十

A

近似特性

当电源电压与二极管导通时的正向电压降相差不多时正向导通：硅管0.7V，锗管0.2V。反向截止(电压小于导通的正向电压)：

电流为0，电阻为∞。

理想特性

当电源电压远大于二极管导通时的正向电压降时：正向导通：管压降为0，电阻也为0；反向截止：电流为0，电阻为∞。4.2.2主要参数（1）最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。（2）反向击穿电压UR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UR的一半。（4）最高工作频率fM

二极管工作的上限频率。超过此值，由于结电容的作用，二极管将不能很好的体现单向导电性。（3）反向电流IR

指二极管未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。二极管的用途：

整流、检波、限幅、箝位、开关、元器件保护、温度补偿等。

试求下列电路中的电流。（二极管为硅管）其中：US=5V，R=1k

解：所示电路中二极管处于导通状态，因此：+-USRIR是限流电阻例1电路如图，二极管正向导通电压可忽略不计，求：UAB

V阳=－6V，V阴=－12V，V阳

>V阴，二极管导通，若忽略管压降，二极管可看作短路，

UAB=－6V

例2

解：

取B点作为参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。D6V12V3k

BAUAB+–例3若忽略二极管正向压降，二极管VD2可看作短路，UAB=0V，VD1截止。VD１6V12V3k

BAVD2UAB+–解：

取B点作参考点，V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴，由于V2阳电压高，因此VD2导通。

电路如图，二极管正向导通电压可忽略不计，求：UAB电路如图所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。解：例4ui>3.7V时，D1导通、D2截止，uo=3.7V。ui<-3.7V时，D2导通、D1截止，uo=-3.7V。-3.7V<ui<3.7V时，D1、D2均截止，uo=ui。电路如图所示，理想二极管，当输入电压分别为0V和3V时，求输出电压uo的值。（与门）例5uI1uI2二极管工作状态D1D2u00V0V导通导通导通截止截止导通导通导通0V3V3V0V3V3V0V0V0V3V解：D1D2uI1uI24.7KVCC5Vu04.3直流稳压电源直流稳压电源组成滤波电路整流电路稳压电路负载变压器交流电源各部分电路输出波形00000

t

t

t

t

tu1uo2uo1u2uo

利用二极管的单向导电性，把按正弦规律变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电，实现交流变直流的电路称为整流电路。按所接交流电源的相数可分为：单相整流电路、三相整流电路和多相整流电路。常用的单相整流电路有单相半波、单相全波、单相桥式整流电路。1.单相半波整流电路uot0

2

3

u2u2u1ioRLT2U2t0t0t0uouDio

2

3

2U2

2

2

3

3

uD1)工作原理VDu2正半周负用来将电源电压变换到直流负载工作所需要的电压值。2U24.3.1整流电路

输出电压平均值（UO）2)电路计算t0t0t0t0

23uOu2uDiO

232U22U22U2Im

2233IO=UORL=0.45U2RLID=IOUDRM=2U2

二极管承受的最大反向电压

输出电流平均值（IO）

二极管流过的平均电流RL1）电路结构及工作原理uOu1u2TRLab简化iO2.单相桥式整流电路VD1和VD3导通，VD2和VD4截止(相当于开路)u2Tu1RLuOiO+–+–+–u2正半周VD4VD3VD2VD1u2Tu1RLVD4VD3VD2uOiOVD1+–+–+–VD2和VD4导通，VD1和VD3截止u2负半周t0u2

23

232U22U2t0uOt02U2

23uD1uD3uD4uD2uDt0Im

23iOu2D4D2D1D3RLuO+-iO2)电压、电流的计算t0u2

23

232U22U2t0uOt02U2

23uD1uD3uD4uD2uDt0Im

23iO

整流电压平均值（UO）UDRM=2U2

二极管承受的最大反向电压

整流电流平均值（IO）

二极管流过的平均电流4.3.2滤波电路

滤波电路的结构特点:

电容与负载RL并联，或电感与负载RL串联。交流电压脉动直流电压整流滤波直流电压

原理：

滤波电路利用储能元件电容两端的电压(或通过电感中的电流)不能突变的特性,滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。电容充电电容放电二极管导通时给电容充电，二极管截止时电容向负载放电。1.电容滤波电路1）电路组成和工作原理u2Tu1RLVD1VD4VD3VD2uoioCuCRL未接入时

(忽略整流电路内阻)u2tuOt设t1时刻接通电源t1整流电路为电容充电充电结束没有电容时的输出波形au1u2u1bD4D2D1D3RLuOSCRL接入（且RLC较大）时(忽略整流电路内阻)u2tuOtau1u2u1bD4D2D1D3RLuOSCu2tuOt

只有整流电路输出电压大于uo时，才有充电电流。因此整流电路的输出电流是脉冲波。整流电路的输出电流au1u2u1bD4D2D1D3RLuOSC一般取近似估算:RLC越大

电容器放电愈慢

UO愈大

负载电流的平均值越大;

整流管导电时间越短

iD的峰值电流越大2)电容滤波电路的特点

输出电压UoUO=1.2U2

结论：电容滤波电路适用于输出电压较高，负载电流较小且负载变动不大的场合。若对于单相半波整流电容滤波，其输出直流电压平均值的经验值为:

选管一般选管时，取

一桥式整流、电容滤波电路如图4-16

所示，已知电源频率f＝50Hz，RL＝100Ω，输出直流电压UO＝30V。试求：（1）选择整流二极管；（2）选择滤波电容器；（3）负载电阻断路时的输出电压UO；（4）电容断路时的输出电压UO；（5）有一个二极管所在支路开路时的输出电压UO。解：（1）选择整流二极管负载电流：二极管电流：变压器输出电压：所以二极管最大反向电压：选：查手册，选用2CZ53B的二极管4个（IF＝300mA，UR＝50V）。例（2）选择滤波电容器所以：（4）电容断路时，全波整流输出电压为（5）有一个二极管所在支路开路时的输出电压为(3）负载电阻断路时，输出电压为查手册，选用C＝470μF，UCN＝50Ⅴ的电解电容器。2.复式滤波电路LC滤波电路RLLC

滤波电路输出电压波形更为平滑，滤波效果较好。Tuou2iou1LC4.3.3稳压电路1.稳压二极管

硅稳压管与普通二极管伏安特性相似。但硅稳压管这几部分之间的转折更显著，击穿电压比普通二极管低很多。又称齐纳二极管（构造实质上时一个面接触二极管）稳压管工作在它的反向击穿区。主要参数：稳压管反向击穿状态下的稳定工作电压。保证稳压管具有正常稳压性能的最小工作电流。（1）稳定电压UZ：（2）稳定电流IZ：同一型号的稳压管，其稳定电压分布在某一数值范围内，但就某一个稳压管来说，在温度一定时，其稳定电压是一个定值。稳压管允许通过的最大电流值，实际工作电流不要超过此值。稳压管正常工作时，耗散的最大功率。（3）最大稳定电流IZmax：（4）耗散功率PZM：

如果实际功率超过这个数值，稳压管就要损坏。当环境温度超过＋50℃时，温度每升高1℃，耗散功率应降低1/100。

PZM≈UZIZM2.硅稳压管稳压电路TRLCUIUOu2IOu1稳压—当输入电压UI、负载RL变化时，输出电压UO基本不变下面分别以两种情况来讨论：UOIZUR=IR=(IZ+IO)RUO如：若使UO升高时UZIZVZRI（1）稳压电路稳压的实质是靠稳压管的调节作用和电阻的补偿作用。（2）使用稳压管时必须串联电阻。（3）在稳压电路中，稳压管通常为反接。

注意

限流电阻R的选择，应保证流过稳压管的电流介于稳压管稳定电流和最大稳定电流之间，才可使稳压二极管工作于稳压区。4.4晶体三极管

晶体管又称半导体三极管，是电子设备的关键元件，是组成各种放大电路的核心。

晶体管的外形图平面晶体管剖面图(NPN型)分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：

NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管<500mW，中功率管0.5

1W，大功率管>1WE-B间的PN结称为发射结(Je)C-B间的PN结成为集电结(Jc)看结构上的两种类型：NPN型PNP型发射区集电区基区发射极E基极B集电极C4.4.1晶体管的基本结构

由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个结。发射区：高浓度掺杂区，提供发射载流子，面积比较小；基区：很薄（几微米-几十微米）且杂质浓度很低，传送和控制载流子；集电区：面积大，浓度小，收集载流子。晶体管的型号例：3DG6A--锗PNPB--锗NPNC--硅PNPD--硅NPNG高频小功率管A高频大功率管X低频小功率管D低频大功率管K开关管三极管材料和类型功能序号ICUCCRC

UCECEBUBE4.4.2三极管的电流放大作用三极管具有电流控制作用的外部条件：

发射结正向偏置

集电结反向偏置

以NPN型三极管为例，应满足:UBE

>0UBC

<0

即

VC>VB>VE输出回路公共端UBBRBIB输入回路IE由图

IE=IB+IC共发射极电路+-+-beceRＣRＢIEpICBOIEICIBIEIBNICN发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN

，多数扩散到集电结。集电极收集从发射区扩散到基区的电子，形成了电流ICN反向饱和电流ICBOIB=IBN-ICBO

IBNIE=ICN+IBNIC=ICN+ICBO

ICN可忽略UCCUBB2.三极管的电流控制原理ICN与IBN之比称为共射直流电流放大倍数穿透电流1.输入特性4.4.3三极管的特性曲线UCE1VIB(

A)UBE(V)20406080工作压降：硅管UBE0.7V,锗管UBE0.2V。UCE=0VUCE=0.5V

死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。UCE=0V时，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。ICUCEUBEIBBCE当UCE≥1V时，UCB=UCE-UBE

>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB

增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。2.输出特性三极管输出特性上的三个工作区ICUCEUBEIBIB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区(1)放大区IC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距

放大区特点:

发射结正偏，集电结反偏，电压UBE大于0.7V左右(硅管)。

IC=

IB，即IC主要受IB的控制。

(3)

IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区ECBUCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；

IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：

=IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O例1.IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O截止区(2)截止区

截止区特点：

IB=0的曲线的下方的区域。通常该区：发射结反偏，集电结反偏

IB=0，IC=ICEO

，

NPN：

UBE0.5V,管子就处于截止态。

UBE0V，可靠截止。ECBIB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O饱和区(3)饱和区

饱和区特点:(1)发射结正偏，集电结正偏。

IC受UCE显著控制的区域，该区域内UCE的数值较小，一般:

UCE＜0.7V(硅管)。

（2）把UCE=UBE称为临界饱和或放大估算小功率管时，深度饱和时，

Si：UCES=0.3V；

Ge；UCES=0.1VECB放大NPN锗管放大PNP硅管截止NPN例2.说明各管子的工作状态：如果是放大状态，根据各极判断ebc，判断材料、结构，判断步骤如下：电位值中间的是基极b;与b相差0.2V或0.7V的是发射极e;剩下的即为集电极c;c电位最高为NPN管子,c电位最低为PNP管子;b、e相差0.7V为Si管，b、e相差0.2V为Ge管。注意方法:?1.电流放大系数电流放大系数

随着温度的变化会变化。温度增高

变大。4.4.4主要参数三极管电流分配规律：

发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电区供给

个载流子。共发射极直流电流大系数:共发射极交流电流放大系数2.穿透电流ICEO

当基极开路IB＝0、集电极和发射极流过的电流。

ICEO受温度影响，变化较大。其值越小工作温度稳定性越好。

AICEO3.集电极最大允许电流ICM

是指β下降到其额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。4.反向击穿电压UBR

若加在晶体管两个PN结上的反向电压超过规定值，将会导致管子的击穿并烧坏。

5.集电极最大允许功率损耗PCM

集电极上消耗的功率PC

=ICUCE

大部分消耗在反向偏置的集电结上，表现为温度的升高，允许的最大功率不超过PCM

。4.5共射极放大电路放大的概念电子技术中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。本节所讲的主要是电压放大电路。uiuoAu4.5.1共射极放大电路的组成与工作原理1.共射极放大电路的组成信号源负载放大作用iC=iB，工作在放大区集电极电源，为电路提供能量，并保证集电结反偏。集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。基极电源与基极电阻使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。耦合电容隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。可以省去？参考点电路改进：采用单电源供电2.放大电路的工作原理UA大写字母、大写下标，表示直流量。uA小写字母、大写下标，表示全量。ua小写字母、小写下标，表示交流分量。uAua全量交流分量tUA直流分量符号规定:Ua大写字母、小写下标，表示交流有效值。动态信号作用时：组成放大电路时注意：保证晶体管工作在放大区。发射结正偏，集电极结反偏输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。对于晶体管能产生△uBE。

3.当负载接入时，必须保证放大管的输出回路的动态电流能够作用于负载，从而使负载获得比输入信号大得多的信号电流或信号电压。4.5.2放大电路的主要性能指标信号源信号源内阻输入电压输出电压输入电流输出电流任何放大电路均可看成为二端口网络。1.电压放大倍数2.输入电阻从输入端看进去的等效电阻输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，信号电压损失越小。输入电压与输入电流有效值之比。3.输出电阻ro

越小，带负载的能力越强。

将输出等效成有内阻的电压源，内阻就是输出电阻。如何确定电路的输出电阻ro

？步骤：1.所有的电源置零(将独立源置零，保留受控源)。2.加压求流法。UIN04.5.3放大电路的静态分析

静态分析的任务是根据电路参数和三极管的特性确定静态值（直流值）IB、

IC

和UCE，也叫静态工作点。用放大电路的直流通路来分析。放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。直流通路：

只考虑直流信号的分电路，

电容开路，电感、交流电源短路（留内阻）。交流通路：

只考虑交流信号的分电路，

电容、直流电源短路。开路开路直流通路RB+UCCRC短路短路短路交流通路（1）根据直流通道估算IBIBUBERB称为偏置电阻，IB称为偏置电流，偏流IB的大小是固定的，此放大电路也通常叫做固定偏置放大电路

+UCC直流通路RBRCICUCE1.静态工作点的估算

已知，试求该放大电路的静态值。解：根据直流通路可得出IBUBE+UCC直流通路RBRCICUCE例1.ICQuCE~iC满足什么关系iCuCEUCCQ直流负载线

-1/RCIBQ？uCE=UCC-iCRC→

直流负载线UCEQ2.图解法求静态工作点

静态时的值应该既满足晶体管的非线性，又满足UCC和RC串联的线性电路，直线和三极管输出特性中相对于IB

的曲线的交点就是工作点Q。0IB

=0µA20µA40µA60µA80µA121.53N2481012UCCMQ直流负载线静态工作点iC

/

mAuCE

/Vtan

=-1/RC

已知，图解法放大电路的静态值如下：上例中：664.5.4放大电路的动态分析1.图解法RB+UCCRCC1C2Tuoui++--++（1）负载开路（RL=∞）uBEQiBuituBEIBUBEiBtibiCuCEiCticucetuCEUCEICuiOtiB

OtuCEOtuoOtiC

OtIBQICQUCEQ可看出输出信号电压uo和输入信号电压ui相位正好相反，叫做单管放大器的“反向作用”（或“倒相作用”）。由于Icm>>Ibm，只要RC

有一定的阻值，输出信号电压幅值Uom远大于输出信号电压幅值，这就是晶体管放大电路的电压放大作用。RB+UCCRCC1C2uoui++--++iBuBEiCuCE在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真。为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，造成非线性失真。波形非线性失真分析：iCuCEuo

Q点过低，信号进入截止区放大电路产生截止失真输出波形输入波形ibiCuCEQ点过高，信号进入饱和区放大电路产生饱和失真ib输入波形uo输出波形（2）输出端接有负载RL短路短路短路RB+UCCRCC1C2TRBRCRLuiuo交流通路RLuoicuceRBRCRLuiuo交流负载线：有交流输入信号时，工作点Q的运动轨迹。

通过输出特性曲线上过Q点做一条斜率为-1/R’L直线，比直流负载线要陡。对于阻容耦合的情况，直流负载线与交流负载线，则只有在空载时是同一直线。2.微变等效电路法

三极管是一个非线性元件，其特性由特性曲线来描述。当三极管在小信号（微变量）情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲线。也就是把三极管等效成一个线性元件。这样，就可以象处理线性电路那样来处理三极管的放大电路，这为分析计算放大电路带来了极大的方便。

(1)晶体管的微变等效电路icuceubeib

ibCBE

看输入：iBuBE

uBE

iB对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。rbe是三极管的交流参数！icuceubeib

ibCBEiCuCEiCiB三极管的输出端可近似地看成一个受控的恒流源。Eicucerbe

ib

ibBCube

看输出：微变等效电路(2)放大电路的微变等效电路短路短路交流通路RBRCRLuouiuiRB+UCCRCC1C2TRLuo短路uirbeibibiiicuoRBRCRL将交流通道中的三极管用微变等效电路代替:交流通路RBRCRLuiuorbeibibbce(1)电压放大倍数的计算rbeRBRCRL(2)输入电阻的计算定义：(3)输出电阻的计算

负载开路,即RL=∞;rbeRBRCRL00

除独立源，保留内阻，加压求流法。

已知，（1）求电压放大倍数、输入电阻ri和输出电阻ro。（2）若所加信号源内阻RS为1kΩ，求电压放大倍数。例2.解：（1）若要求解动态参数，需先求解静态值。由例1已求出静态时：uiRB+UCCRCC1C2TRLuo（2）若考虑信号源内阻的影响，输出电压相对于信号源的电压放大倍数可见输入电阻越大，越接近,

也就越接近。rbeRBRCRLRS+-4.6静态工作点稳定电路——分压式偏置电路RB1+UCCRCC1C2RB2CERERLuiuoI2I1IB

直流通路

RB1+UCCRCRB2RE4.6.1静态工作点稳定原理及计算

IC

UCEIEI2I1IB

直流通路

RB1+UCCRCRB2REIC

UCEIE似乎I1越大越好，但是RB1、RB2太小，将增加损耗，降低输入电阻。因此一般取几十k

。本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程。稳定原理：TUBEIBICUEIC4.6.2动态分析rbeRCRLRBRB1+UCCRCC1C2RB2CERERLuiuoCE的作用：交流通路中，CE将RE短路，RE对交流不起作用，放大倍数不受影响。问题：如果去掉CE，放大倍数怎样I1I2IBRB1+UCCRCC1C2RB2CERERLuiuo？去掉CE后的微变等效电路