基于表面等离子体的超分辨干涉光刻仿真研究的开题报告

基于表面等离子体的超分辨干涉光刻仿真研究的开题报告一、选题背景随着半导体芯片制造工艺的不断进步，精细加工技术的要求也日益提高。超分辨干涉光刻技术是近年来发展起来的一种新型光刻技术，其具有高分辨率、低成本、高效率等优点，已经成为当前芯片制造领域中备受关注的技术之一。其中，基于表面等离子体的超分辨干涉光刻技术是目前最为热门的一种技术。该技术使用的是高清晰度硅基平板上的表面等离子体共振效应，可以大幅提高光刻技术的分辨率，从而满足芯片制造中对于高精度加工的要求。二、研究目的本研究旨在通过数值模拟方法对基于表面等离子体的超分辨干涉光刻技术进行仿真研究，以探究其在芯片制造领域中的应用前景及潜力。具体来说，我们将利用有限元方法对超分辨干涉光刻过程中的光场分布、等离子体分布、电场分布等进行建模，并分析其中的物理机制，为芯片制造技术的实践应用提供科学依据。三、研究内容1.对基于表面等离子体的超分辨干涉光刻技术进行研究，分析其物理原理及优势。2.基于有限元方法建立超分辨干涉光刻过程的光场、电场、等离子体分布等数值模型。3.通过仿真计算，对上述数值模型进行分析，探究超分辨干涉光刻过程中的物理机制。4.针对仿真结果，提出优化建议和技术方案，为芯片制造领域的实践应用提供理论支持。四、研究方法本研究将采用有限元方法对基于表面等离子体的超分辨干涉光刻技术进行数值模拟。利用该方法，我们可以建立光场分布、等离子体分布、电场分布等模型，并通过模拟计算分析其各项物理参数的变化规律。同时，我们还可以通过实验验证，进一步检测数值模拟的准确性和有效性。五、研究意义本研究对于加深人们对基于表面等离子体的超分辨干涉光刻技术的理解，推动该技术的发展具有重要意义。超分辨干涉光刻技术的高效、低成本、高分辨率的特点，为芯片制造领域带来了广阔的应用前景，对于促进我国高端技术的发展也具有重要的战略意义。六、研究计划本研究拟于2021年9月至2022年6月期间完成，具体计划如下：1.9月：完成文献调研，制定研究方案。2.10月-12月：建立数值模型，开展数值模拟，检验模拟结果。3.1月-3月：开展实验验证，并对模拟结果进行修改优化。4.4月-6月：撰写论文，完成论文答辩。七、参考文献[1]Zhang,T.,Wu,M.,Shen,Q.,Pang,X.,&Xu,T.(2021).Areviewofsurfaceplasmonpolaritoninterferencelithography.OpticsandLasersinEngineering,136,106150.[2]Chen,Y.,Lei,N.,Kang,H.,Zhang,X.,Zhao,Y.,Liu,X.,...&Hu,Y.(2020).Nanopatterningwithlarge-area254nmUVinterferencelithographyusingasingle-pulselaser.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,31(2),1626-1631.[3]Tang,Y.,Han,J.,Chen,J.,&Chen,Q.(2020).Plasmonic-enhancedPhotoresistReductionThroughSurfacePlasmon-PolaritonPropagation,Interference,andLocalizedFieldsforNanolithography.IEEEPhotonicsTechnologyLetters,32(8),466-469.[4]Xu,X.W.,Zhu,Z.Y.,Qi,L.Y.,Hua,Y.L.,Wang,H.P.,Wei,Z.F.,&Ye,H.(2014).Plasmoniclithographybasedon