生物医学传感器智慧树知到课后章节答案2023年下山东第一医科大学

生物医学传感器智慧树知到课后章节答案2023年下山东第一医科大学山东第一医科大学

第一章测试

医用传感器是感知生物体内各种生理的、生化的和病变的信息，把它们传递出来并转化为（）装置。

A:光信号

B:非电信号

C:非光信号

D:电信号

答案:电信号

传感器的主要功能是（）。

A:调制和解调

B:滤波和放大

C:检测和转换

D:传输和显示

答案:检测和转换

第二章测试

在传感器静态特性指标里，描述传感器输出变化量和输入变化量比值的是：（）。

A:灵敏度

B:测量范围

C:线性度

D:精确度

答案:线性度

以下不属于传感器静态指标的是（）。

A:测量范围

B:灵敏度

C:线性度

D:瞬态响应

答案:瞬态响应

传感器能感知的输入变化量越小，表示传感器的()。

A:重复性越好

B:线性度越好

C:分辨力越高

D:迟滞越小

答案:线性度越好

属于传感器动态特性指标的是()。

A:超调量

B:线性度

C:迟滞

D:稳定性

答案:稳定性

下列关于传感器灵敏度不正确的陈诉是（）。

A:传感器的灵敏度是指传感器达到稳定后输出量变化Δy对输入变化量Δx的比值

B:当Δx小到某种程度是，输出就不再变化了，这时的Δx叫做灵敏度界限

C:传感器的灵敏度和测量范围有关，多数传感器的灵敏度越高，测量范围越宽。//窄

D:实际传感器的灵敏度当输入量较小时是定植，当输入量较大时就随着输入量变化

答案:传感器的灵敏度是指传感器达到稳定后输出量变化Δy对输入变化量Δx的比值

传感器的迟滞会引起分辨率变差，或造成测量盲区，故一般希望迟滞越小越好。()

A:对B:错

答案:对

线性度是传感器的静态特性之一。（）

A:错B:对

答案:对

传感器的稳态响应指的是输入信号为正弦信号的频率响应。（）

A:错B:对

答案:错

线性度描述的是传感器的动态特性之一。（）

A:错B:对

答案:错

在传感器的基本特性中，瞬态响应特性是其动态特性之一。（）

A:错B:对

答案:错

时间响应特性为传感器的静态特性之一。()

A:对B:错

答案:错

第三章测试

直流电桥的平衡条件为（）。

A:相对桥臂阻值乘积相等

B:相邻桥臂阻值乘积相等

C:相对桥臂阻值比值相等

D:相邻桥臂阻值之和相等

答案:相对桥臂阻值乘积相等

传感器的灵敏度是电桥测量技术的重要指标，在同一输入电压的条件下，灵敏度最高的电桥是（）。

A:三臂变化

B:四臂变化

C:单臂变化

D:双臂变化

答案:四臂变化

为了抑制干扰，常采用的电路有()。

A:变压器耦合

B:调谐电路

C:D/A转换器

D:A/D转换器

答案:变压器耦合

利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（）。

A:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片

B:两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片

C:两个桥臂都应当用两个工作应变片串联

D:两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片

答案:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片

直流电桥的补偿包括（）。

A:温漂补偿

B:包括其余选项

C:零位补偿

D:非线性补偿

答案:包括其余选项

通常用电阻应变片传感器测量（）。

A:扭矩

B:电阻

C:压力

D:流量

答案:压力

产生应变片温度误差的主要原因有（）。

A:电阻丝与试件材料不同

B:电阻丝有温度系数

C:试件与电阻丝的线膨胀系数相同

D:电阻丝承受应力方向不同

答案:电阻丝有温度系数

下列选项中环境温度变化而引起压阻传感器测量误差的原因有（）。

A:应变片金属敏感栅横向效应

B:金属应变片的零漂过大

C:金属应变片的灵敏系数低

D:试件材料和敏感栅材料的线膨胀系数不一致

答案:试件材料和敏感栅材料的线膨胀系数不一致

关于应变片灵敏系数，下列描述正确的是（）。

A:应变片的灵敏系数是指在一维应力作用下，粘贴在试件表面上的应变片的单位电阻变法（无量纲的量）

B:在使用电阻应变片时应将其灵敏轴线垂直（平行）于试件最大的主应变方向，这样可以获得最大的电阻变化

C:应变片的灵敏系数一般小于构成应变片的金属线材的灵敏系数

D:构成应变片的金属线材的灵敏系数叫做“标称灵敏系数”（应变片的灵敏度）

答案:应变片的灵敏系数一般小于构成应变片的金属线材的灵敏系数

关于电阻应变片特性的不正确描述是（）。

A:当应变片的非线性效应达到规定值时所对应的指示(应该是真实)应变为应变片的应变极限（在一定温度下，应变片的指示应变对测试值的真实应变的相对误差不超过规定范围（一般为10%）时的最大真实应变值。）

B:一定温度下，使应变片承受一定的机械应变时，指示应变随着时间而变化的特性叫做应变片的蠕变

C:应变片金属丝弯折处的变化使得灵敏系数减小的现象叫做应变片的横向效应

D:敏感栅越窄，基长越长的应变片，其横向效应越小，引起的误差也越小

答案:当应变片的非线性效应达到规定值时所对应的指示(应该是真实)应变为应变片的应变极限（在一定温度下，应变片的指示应变对测试值的真实应变的相对误差不超过规定范围（一般为10%）时的最大真实应变值。）

固态压敏电阻在某一方向上承受应力时，它的电阻值发生显著变化，这是由哪些方面因素发生显著变化引起的（）。

A:几何尺寸

B:极化电荷

C:晶面上电荷

D:电阻率

答案:电阻率

电阻应变片式传感器可以对位移、加速度、压力等进行测量。（）

A:错B:对

答案:对

应变片式压力传感器仅能对压力进行测量。（）

A:错B:对

答案:错

第四章测试

当变隙式电容传感器的两极板间的初始距离d0增加时，将引起传感器的（）。

A:灵敏度k减小

B:灵敏度k增加

C:非线性误差减小

D:非线性误差增加

答案:灵敏度k减小

如图所示是一种测定液面高度的电容式传感器的示意图。金属芯线与导电液体形成一个电容器，从电容C大小的变化就能反映液面的升降情况，两者的关系是（）。

A:C减小表示h减小

B:C增大表示h增大

C:C增大表示h减小

D:C减小表示h增大

答案:C增大表示h增大

;C增大表示h减小

如图所示是一种测定压力的电容式传感器，A为固定电极，B为可动电极，组成一个电容大小可变的电容器。可动电极两端固定，当待测压力施加在可动电极上时，可动电极发生形变，从而改变了电容器的电容。现将此电容式传感器与零刻度在中央的灵敏电流表和电源串联成闭合电路，已知电流从电流表正接线柱流入时指针向右偏转。当待测压力增大时，有下列说法其中正确的是（）（1）电容器的电容将减小（2）电容器的电量将增加（3）灵敏电流表指针向左偏转（4）灵敏电流表指针向右偏转

A:（2）（3）

B:（2）（4）

C:（1）（3）

D:（1）（2）

答案:（1）（2）

随着生活质量的提高,自动干手机已进入家庭,洗手后,将湿手靠近自动干手机,机内的传感器便驱动电热器加热,有热空气从机内喷出,将湿手烘干.手靠近干手机能使传感器工作,是因为()。

A:改变了湿度

B:改变了温度

C:改变了电容

D:改变了磁场

答案:改变了电容

电容式传感器是将被测量的变化转换成()变化一种传感器。

A:介电常数

B:电感量

C:距离

D:电容量

答案:距离

当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的（）。

A:非线性误差增加

B:灵敏度K0增加

C:非线性误差减小

D:灵敏度K0不变

答案:非线性误差增加

变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电感量()。

A:不变

B:减小

C:增加

D:不确定

答案:不变

电容式传感器不可实现非接触测量。（）

A:对B:错

答案:错

电容式传感器可以对位移、加速度、压力等进行测量。（）

A:错B:对

答案:对

第五章测试

电涡流式传感器的变换原理是利用（）在交流磁场中的涡流效应。

A:金属材料

B:光敏材料

C:电解质材料

D:磁性材料

答案:金属材料

通常用差动变压器传感器测量()。

A:加速度

B:位移

C:厚度

D:振动

答案:振动

差动变压器属于()。

A:压电式传感器

B:电感式传感器

C:电容式传感器

D:电阻式传感器

答案:电阻式传感器

差动变压器式传感器的配用测量电路主要有（）。

A:直流电桥

B:差动电桥

C:差动整流电路

D:差动相敏检波电路

答案:差动整流电路

变压器式传感器可以进行无接触测量。（）

A:对B:错

答案:错

电涡流式传感器可以进行无接触测量和探伤。（）

A:对B:错

答案:错

电涡流式传感器不可以进行无接触测量。（）

A:错B:对

答案:错

第六章测试

以下材料不具有压电效应的有：（）。

A:石英

B:锆钛酸铅

C:钛酸钡

D:所有晶体

答案:所有晶体

压电式传感器目前多用于测量（）。

A:动态的力或压力

B:速度

C:静态的力或压力

D:加速度

答案:加速度

压电常数d23表示的含义是（）。

A:沿X轴作用正应力，在Y轴平面上产生压电电荷

B:沿Y轴作用正应力，在Y轴平面上产生压电电荷

C:沿Y轴作用剪应力，在Y轴平面上产生压电电荷

D:沿Z轴作用正应力，在Y轴平面上产生压电电荷

答案:沿Z轴作用正应力，在Y轴平面上产生压电电荷

关于压电效应的正确描述是（）。

A:有极分子电介质中，正电荷中心与负电荷中心相互重合

B:压电效应包括正压电效应和逆压电效应

C:逆压电效应是指在某些电介质上施加机械力，则该电介质的两个表面上会出现电荷的现象

D:正压电效应是指在电介质的两个表面上施加外电场，则该电介质发生几何形变的现象

答案:压电效应包括正压电效应和逆压电效应

电荷放大器是一个（）放大器。

A:高增益，带电阻反馈的运算

B:高增益，带电容反馈的运算

C:高增益的电桥

D:低增益，带电容反馈的运算

答案:高增益，带电容反馈的运算

医学上通常用压电式传感器测量（）。

A:位移

B:厚度

C:温度

D:心音

答案:心音

压电传感器的阻抗特点是：（）。

A:低输出阻抗，低输出信号

B:低输出阻抗，高输出信号

C:高输出阻抗，高输出信号

D:高输出阻抗，低输出信号

答案:高输出阻抗，低输出信号

将超声波（机械振动波）转换成电信号是利用压电材料的（）。

A:电涡流效应

B:压电效应

C:逆压电效应

D:应变效应

答案:压电效应

对石英晶体，下列说法正确的是（）。

A:沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。

B:沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。

C:沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。

D:沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。

答案:沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。

当石英晶体受压时，电荷产生在（）。

A:XYZ面

B:Y面上

C:X面上

D:Z面上

答案:X面上

钛酸钡压电陶瓷可用于制备光电传感器。（）

A:对B:错

答案:错

压电式传感器具有体积小、结构简单等优点，适合于频率较低的被测量的测量，甚至是静态量的测量。（）

A:对B:错

答案:错

压电式压力传感器是根据压电效应原理制成的。（）

A:对B:错

答案:对

第七章测试

下列关于霍尔元件的不正确描述是（）。

A:霍尔系数是由载流子的物理性质决定的

B:霍尔元件一般有两组电极，一组叫做霍尔电极，另外一组叫做激励电极

C:霍尔元件是基于霍尔效应制成的元件

D:灵敏度系数仅取决于再留材料的几何尺寸，而与其物理性质无关。

答案:灵敏度系数仅取决于再留材料的几何尺寸，而与其物理性质无关。

下列关于磁敏二极管的正确描述是（）。

A:磁敏二极管灵敏度很低，特别适合测量强磁场

B:当温度升高时，磁敏二极管的磁灵敏度上升

C:磁敏二极管灵敏度最高，特别适合测量弱磁场

D:磁敏二极管工作时加反向电压

答案:磁敏二极管灵敏度很低，特别适合测量强磁场

关于磁阻效应的正确描述是（）。

A:磁阻元件就是利用磁阻效应支撑的，这种元件的阻值随着磁场绝对值的增加而增加

B:磁阻效应的物理本质是由于磁场的存在而减小了元件的内阻。

C:磁阻效应与元件的集合关系没有关系

D:迁移率越大的材料，其磁阻效应就越不显著

答案:磁阻效应与元件的集合关系没有关系

霍尔效应中，霍尔电势与（）。

A:磁感应强度成反比

B:激磁电流成正

C:激磁电流成反比

D:磁感应强度成正比

答案:磁感应强度成反比

霍尔效应中，霍尔电势与（）成反比。

A:霍尔器件长度（激励电流方向）

B:激磁电流

C:霍尔器件宽度

D:磁感应强度

答案:霍尔器件宽度

霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（）。

A:半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

B:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上

C:周围环境温度变化

D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配

答案:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上

关于磁敏三极管的不正确描述是（）。

A:磁敏三极管的基区电流具有磁灵敏度

B:磁敏三极管的基区宽度比普通的三极管大

C:磁敏三极管的电流放大系数大于1

D:磁敏三极管的长基区包括运输基区和复合基区，其中复合基区的侧面有一个复合率很高的复合区

答案:磁敏三极管的电流放大系数大于1

欲进行旋转齿轮的转速测量，宜选用（）传感器。

A:电阻式

B:压电式

C:磁电式

D:热电势

答案:电阻式

电磁血流量计工作原理是基于（）。

A:电容式传感器

B:磁电感应式传感器

C:自感式传感器

D:应变式传感器

答案:自感式传感器

第八章测试

热电阻测量转换电路采用三线制是为了（）。

A:提高测量灵敏度

B:提高电磁兼容性

C:减小引线电阻的影响

D:减小非线性误差

答案:提高电磁兼容性

在实验室中测量金属的熔点时,冷端温度补偿采用（）。

A:冰浴法

B:电桥法

C:仪表机械零点调整法

D:计算修正法

答案:冰浴法

利用热电偶测温时，只有在（）条件下才能进行。

A:保持热电偶冷端温度恒定

B:保持热电偶热端温度恒定

C:保持热电偶两端温差恒定

D:分别保持热电偶两端温度恒定

答案:保持热电偶热端温度恒定

关于温差电现象的描述，下列哪些是正确的（）。

A:温差电现象是可逆的

B:在塞贝克效应中，在热结点吸收热量，冷端放出热量

C:电流通过（两个不同）金属组成的回路时，流过的电流会造成一个接点吸收热量，另一接点放出热量

D:金属组成回路时，若量接触点温度不同，则回路中即拥有电流流过

答案:电流通过（两个不同）金属组成的回路时，流过的电流会造成一个接点吸收热量，另一接点放出热量

;金属组成回路时，若量接触点温度不同，则回路中即拥有电流流过

热电偶的热点势由（）组成。

A:接触电动势

B:温差电动势和接触电动势

C:磁感应电动势

D:温差电动势

答案:温差电动势和接触电动势

热电偶中间金属定则表示（）。

A:可用一个已知参比接点温度所得到的校准曲线去确定另一个参比接点温度的校准曲线

B:通常用纯度很高，物理化学性能非常稳定的材料做成标准热电极，作为确定各种材料的热电特性的对比基准

C:在热电偶回路中介入第三种金属材料，只要第三种金属材料两端温度相同，则热电偶产生的热电势保持不变

D:连接热电偶的许多阴险，只要新形成的各个连接点均处在同一温度下，就不会影响被测热电势的精度

答案:可用一个已知参比接点温度所得到的校准曲线去确定另一个参比接点温度的校准曲线

;连接热电偶的许多阴险，只要新形成的各个连接点均处在同一温度下，就不会影响被测热电势的精度

通常用热敏电阻测量（）。

A:电阻

B:温度

C:压力

D:扭矩

答案:电阻

镍铬—镍硅热电偶灵敏度为0.04mV/℃，把它放在温度为1200℃处，若以指示仪表作为冷端，此处温度为50℃，试求热电势大小（）。

A:44mv

B:46mv

C:48mv

D:50mv

答案:48mv

热电偶中产生热电势的条件是（）。

A:两接触点的温度相同

B:两接触点材料不同

C:两接触点材料相同

D:两接触点的温度不同

答案:两接触点的温度相同

;两接触点材料相同

关于热敏电阻式传感器的不正确描述是（）。

A:利用耗散原理工作时，应使热敏电阻工作在其伏安特性的线性区

B:负温度系数热敏电阻的电阻温度系数与温度的平方成正比

C:几乎所有物质的电阻率都会随着其本身的温度的变化而变化

D:负温度系数热敏电阻在不太宽的温度范围内，其电阻-温度特性符合指数规律

答案:几乎所有物质的电阻率都会随着其本身的温度的变化而变化

关于PN结温度传感器的不正确描述是（）。

A:温敏三极管在使用时，发射结应正偏

B:集成温度传感器的感温元件一般采用差分对晶体三极管

C:对于温敏二极管来说，只要反响饱和电流恒定，其反向电阻可以认为是温度T的函数。

D:集成电路温度传感器按照其输出可以分为电压型和电流型

答案:集成温度传感器的感温元件一般采用差分对晶体三极管

热敏电阻除了用于温度传感器外，还可用于湿度传感器。（）

A:错B:对

答案:对

第九章测试

在测量位置的传感器中，较其他位置传感器具有明显的优点，线性度好，结构简单，加工方便的传感器是（）。

A:霍尔式位置传感器

B:电容式位置传感器

C:光电式位置传感器

D:电感式位置传感器

答案:霍尔式位置传感器

关于光敏三极管光照特性的正确描述是（）。

A:光敏三极管在无光照条件下，在e，c极之间加上一定的电压Uce时，e，c之间的漏电流称为光敏三极管的暗电流

B:暗电流对温度变化不敏感，当温度升高时，暗电流将按照指数规律增大

C:在外有一定工作电压的条件下，受到一定的光照射时的集电极电流称为光敏三极管的光电流

D:在一定光照强度范围内，硅光敏三极管的光电流与光照度之间呈线性关系

答案:光敏三极管在无光照条件下，在e，c极之间加上一定的电压Uce时，e，c之间的漏电流称为光敏三极管的暗电流

;暗电流对温度变化不敏感，当温度升高时，暗电流将按照指数规律增大

;在外有一定工作电压的条件下，受到一定的光照射时的集电极电流称为光敏三极管的光电流

;在一定光照强度范围内，硅光敏三极管的光电流与光照度之间呈线性关系

传感器不可用于生物体的温度测量。（）

A:红外传感器

B:热电偶

C:热电阻

D:霍尔元件

答案:红外传感器

关于光耦期间的传输特性参数，下列描述不正确的有（）。

A:在相同的输入电流下，电流传输比越大，输出电流越大

B:隔离特性通常由隔离电阻，隔离耐压和隔离电容来描述

C:要求低失真传输时应使用复合式达林顿型光耦，因为其电流传输比大

D:要求低失真传输时应使用硅光敏二极管型光耦，因为其输出电流与输入电流存在较小的非线性

答案:在相同的输入电流下，电流传输比越大，输出电流越大

光敏电阻的（）越大，说明该光敏电阻灵敏度越高、性能越好。

A:亮电流

B:光电流

C:亮电阻

D:暗电阻

答案:光电流

以下基于外光电效应制成的光电器件是：（）。

A:光电倍增管

B:DSP

C:CCD

D:光电池

答案:光电倍增管

封装在光电隔离耦合器内部的是()。

A:一个光敏二极管和一个光敏三极管

B:两个发光二极管或两个光敏三极管

C:一个发光二极管和一个光敏三极管

D:一个发光二极管和一个发光三极管

答案:两个发光二极管或两个光敏三极管

在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。

A:内光电效应

B:光电效应

C:光生伏特效应

D:外光电效应

答案:外光电效应

光电管的光电特性是指光电管