电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下中山大学

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绪论单元测试

电路基础是电学相关技术分析和定量计算的基础理论。（）

A:错B:对

答案:对

第一章测试

两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是（）。

A:4:1B:l:2C:2:1D:l:4

答案:4:1

有一段160Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是（）。

A:320B:80C:40D:169

答案:40

电路中两点间的电压高，则（）。

A:两点的电位一定为负B:两点的电位一定为正C:两点的电位高D:两点间的电位差大

答案:两点间的电位差大

图示电路中，A、B端电压U=（）。

A:-1VB:-2VC:3VD:2V

答案:-2V

下图中电流I为（）。

A:1AB:2A.C:-2AD:-1A

答案:1A

图a)所示电路的戴维南等效电路为图b)中的（）。

A:B:C:D:

答案:

3kΩ的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（）。

A:6mVB:6VC:1.5VD:10V

答案:6V

第二章测试

一个电热器，接在10V的直流电源上，产生的功率为P。把它改接在正弦交流电源上，使其产生的功率为P/2，则正弦交流电源电压的最大值为（）。

A:10VB:14VC:5VD:7.07V

答案:10V

我国交流电的周期为（）秒。

A:0.02B:0.01C:0.212D:0.1

答案:0.02

通过电感L的电流为iL=6√2sin(200t+30°)A，则电源的频率约等于（）。

A:628HzB:200HzC:31.8HzD:100Hz

答案:31.8Hz

在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（）。

A:减少负载的工作电流B:减少线路的功率损耗C:减少负载的有功功率D:减少负载的无功功率

答案:减少线路的功率损耗

在三相四线制供电系统中，相电压为线电压的（）。

A:√3倍B:1/√2倍C:√2倍D:1/√3倍

答案:1/√3倍

第三章测试

在一个由电源、电阻、电感、开关组成的电路中，在开关闭合瞬间，电感上最可能出现的现象是（）。

A:电感电流非常大B:电感电压为零C:电感电流为零D:电感电压非常大

答案:电感电流为零

串联电源、电容、电阻、开关的电路，开关闭合瞬间，下列说法正确的是（）。

A:电容上的电流不变B:电容上的电压不变C:流过电阻的电流不变D:电阻上的电压不变

答案:电容上的电压不变

下列关于一阶RC电路暂态响应的说法中错误的为（）。

A:对具有初始储能的电容充电过程属于全响应。B:对未储能的电容充电过程属于零输入响应。C:在电源激励下电容的放电过程属于全响应。D:己储能的电容放电过程属于零输入响应。

答案:对未储能的电容充电过程属于零输入响应。

对于一阶RL电路，其时间常数是（）。

A:LB:R/LC:L/RD:R*L

答案:L/R

一阶RC电路中，开关闭合后，则电容电压的稳态值为（）。

A:0B:小于U1C:等于U1D:大于U1

答案:0

第四章测试

半导体二极管加正向电压时，有（）。

A:电流大电阻小B:电流小电阻大C:电流小电阻小D:电流大电阻大

答案:电流大电阻小

PN结正向偏置时，其内电场被（）。

A:增强B:不变C:削弱D:不确定

答案:削弱

半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。

A:正向偏置未导通状态B:反向偏置未击穿状态C:反向偏置击穿状态D:正向偏置导通状态

答案:反向偏置击穿状态

在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。

A:6价元素B:4价元素C:5价元素D:3价元素

答案:3价元素

三极管饱和工作状态时，两个PN结的偏置状态是（）。

A:集电结正偏，发射结正偏B:集电结反偏，发射结反偏C:集电结反偏，发射结正偏D:集电结正偏，发射结反偏

答案:集电结正偏，发射结正偏

第五章测试

某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。

A:3KΩB:10kΩC:2kΩD:4kΩ

答案:4kΩ

测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图所示)则此三极管为（）。

A:PNP型锗三极管B:NPN型硅三极管C:NPN型锗三极管D:PNP型硅三极管

答案:NPN型硅三极管

画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源Vcc应当（）。

A:保留不变B:电流源C:开路D:短路

答案:短路

有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。

A:输入电阻大B:输出电阻大C:输出电阻小D:输入电阻小

答案:输入电阻小

与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。

A:不用输出端大电容B:不用输出变压器C:效率高D:无交越失真

答案:效率高

第六章测试

集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（）。

A:反相输入端为虚地B:输入电阻大C:电流并联负反馈D:电压串联负反馈

答案:反相输入端为虚地

下列对集成电路运算放大器描述正确的是（）。

A:是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路B:是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C:是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路D:是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

答案:是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（）才能满足起振条件。

A:为3时B:为1/3时C:>3D:>1/3

答案:>3

LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（）Hz。

A:B:C:D:

答案:

对于基本积分电路，当其输入为矩形波时，其输出电压U_0的波形为（）。

A:正弦波B:正负尖脉冲C:锯齿波D:矩形波

答案:锯齿波

第七章测试

在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。

A:输出电压约为UD/2B:变为半波整流C:整流管将因电流过大而烧坏D:输出电压约为2UD

答案:整流管将因电流过大而烧坏

直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。

A:将高频变为低频B:将交流变为直流C:将交、直流混合量中的交流成分滤掉D:保护电源

答案:将交、直流混合量中的交流成分滤掉

若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（）。

A:电容滤波稳压管稳压电路B:电容滤波串联型稳压电路C:电感滤波串联型稳压电路D:电感滤波稳压管稳压电路

答案:电感滤波串联型稳压电路

在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是（）。

A:频率增大﹐占空比不变B:频率减小，占空比不变C:周期不变，占空比减小D:周期不变，占空比增大

答案:周期不变，占空比增大

稳压管的稳压区是其工作在（）。

A:正向截至B:反向击穿C:正向导通D:反向截止

答案:反向击穿

第八章测试

TTL数字集成电路与CMOS数字集成电路相比突出的优点是（）。

A:电源范围宽B:高速度C:微功耗D:高抗干扰能力

答案:高速度

已知逻辑函数Y=AB+AC̅+B̅C，与其相等的函数为（）。

A:AB+CB:AB+AC̅C:ABD:AB+B̅C

答案:AB+C

以下表达式中符合逻辑运算法则的是（）。

A:1+1=10B:A+1=1C:D:0<1

答案:A+1=1

当逻辑函数有n个变量时，共有（）个变量取值组合。

A:B:nC:D:2n

答案:

A+BC=（）。

A:(A+B)(A+C)B:B+CC:A+BD:A+C

答案:(A+B)(A+C)

第九章测试

请判断以下哪个电路是组合逻辑电路（）。

A:译码器B:寄存器C:计数器D:触发器

答案:译码器

下列说法不正确的是（）。

A:三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态.高电平.低电平）B:OC门输出端直接连接可以实现正逻辑的线或运算C:利用三态门电路可实现双向传输D:集电极开路的门称为0C门

答案:OC门输出端直接连接可以实现正逻辑的线或运算

已知74LS138译码器的输入三个使能端（E1=1，E2A=E2B=0）时，地址码A2A1A0=011，则输出Y7~Y0是（）。

A:10111111B:11110111C:11111101D:11111111

答案:11111111

函数F=AB+BC，使F=1的输入ABC组合为（）。

A:ABC=010B:ABC=000C:ABC=110D:ABC=101

答案:ABC=110

以下说法错误的是（）。

A:编码器可分为普通全加器和优先编码器B:数字比较器可以比较数字大小C:实现两个一位二进制数和来自低位的进位相加的电路叫全加器D:实现两个一位二进制数相加的电路叫全加器

答案:实现两个一位二进制数相加的电路叫全加器

第十章测试

T触发器中，当T=1时，触发器实现（）功能。

A:置1B:计数C:保持D:置0

答案:计数

指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是（）。

A:3/8线译码器B:JK触发器C:十进制计数器D:移位寄存器

答案:移位寄存器

要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）

A:十进制计数器B:10位D/A转换器C:10位二进制计数器D:10级施密特触发器

答案:十进制计数器

电路如图所示，Qn+1=A+Qn电路为（）。

A:B:C:D:

答案:

TTL主从JK触发器电路如下图所示，初态为0，已知CP，A，B和SD的波形，请判断Q的波形，它为（A），（），（C），（D）中的（）。

A:B:C:D:

答案:

第十一章测试

为构成4096×4的ROM，需要多少片1024×1的ROM，并且需要有多少位地

址译码以完成寻址操作（）。

A:16片，12位B:16片，14位C:8片，10位D:10片，12位

答案:16片，12位

一个6位地址码、8位输出的ROM，其存储矩阵的容量为（）位。

A:256B:512C:48D:64

答案:512

只能按地址读出信息，而不能写入信息的存储器为（）。

A:RAMB:PROMC:EPROMD:ROM

答案:ROM

存储容量为8Kx8位的ROM存储器，其地线为（）条。

A:14B:13C:12D:8

答案:13

数据最不容易丢失的存储器是（）。

A:EPROMB:ROMC:EEPROMD:FLASH

答案:ROM

第十二章测试

下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。

A:双积分A/D转换器B:并行A/D转换器C:计数型A/D转换器D:逐次渐进型A/D转换器

答案:并行A/D转换器

一个八位D/A转换器的最小电压增量为0.01V，当输入代码为10010001时，输出电压为（）V。

A:1.45B:1.54C:1.28D:1.56

答案: