鼻塞式呼吸器的制作方法

鼻塞式呼的制方法鼻塞式呼吸器1.本发明是申号为201610399521.8，申日为2016年06月07日，明名称为《鼻塞式呼器》的分案申请技术领域2.本发明涉及种呼吸器，具体及一种改良的鼻塞呼吸器。背技：3.一般而言，气中通常存在粉等颗粒污染物，若体长期吸入含有样的空气，往往会导人体呼吸系统等损。尤其对于某特殊人群，例如对花粉等过敏的人群说，若吸入含有些过敏源的空气将导致这些人员发哮喘、呼气困难等状。为保障人体健康和安全，人已经习于采用棉布纱布等材质制作的罩来滤除空气中颗粒污染物。但类传统口罩仅对尺较大的颗粒污染物效，且经短时间用即可能被污染4.又及，考虑近年来在国内外地出现的严重雾霾气，在空气中存的大量pm2.5(空气等效粒径在2.5μm以下的粒)将严重影响人体健康，普通的口罩对于pm2.5并无除效果的问题业界又提出了包静电过滤器等特过滤器的口罩、吸器(例如n95口罩等)，对于空气中普通染颗粒的过滤性好，但气阻大呼吸困难，且对雾霾天气而言，样也基本无法起到护作用。技实要素：5.本发明的主目的在于提供一鼻塞式呼吸器，以服现有技术中的足。6.为了实现上目的，本发明的术方案如下：7.本发明实施提供了一种鼻塞呼吸器，其包括：8.鼻塞和过滤片，至少所述鼻的一端部能够插入用者的鼻腔，且述鼻塞包含有与所述腔连通的气体通，所述过滤芯片以滤除混杂于待处气流内的、粒径大设定值的颗粒，处理的气体流经述过滤芯片后进入述鼻塞内的气体通；以及，9.过滤芯片防结构，用以对所过滤芯片进行防护10.在一些实施方中，所述过滤芯防护结构包括第一定式硬质滤网和二固定式硬质滤网所述过滤芯片设于第一固定式硬滤网和第二固定式质滤网之间。11.在一些实施方中，所述鼻塞式吸器还包括第一过织物和/或第二过滤织物，所述第一滤织物分布于所鼻塞和过滤芯片间，所述过滤芯片布于第二过滤织物鼻塞之间。12.在一些实施方中，所述鼻塞式吸器还包括第一可卸式硬质滤网和/或第二可拆式硬质网，所述第一可卸式硬质滤网与一过滤织物固定连，所述第二可拆卸硬质滤网与第二滤织物固定连接13.在一些实施方中，所述鼻塞采腰鼓型鼻塞；和/或，所述鼻塞式吸器还包括一两端开的壳体，所述鼻可拆卸的安装于述壳体一端，所述滤芯片容置于所述体内。14.在本发明的较具体的第一实施案中，所述过滤芯包括：15.具有第一流体道的基体，所述一流体通道具有空入口和空气出口所述第一流体通道空气入口分布于述基体的第一表；16.彼此间隔设置复数个凸起部，述凸起部沿横向在述基体的第一表上连续延伸，下固定设置于所述体的第一表面，上设有沿横向连续伸的帽形结构，所述形结构的相背对两侧部沿侧向外，而相邻帽形结构间形成有可供空气过的开口部，所开口部的口径大0但小于混杂于待处理的空气内的选定粒的粒径，其中少两个所述的凸部分别与所述第一体通道的空气入口相背对的两侧相设置，以及至少个所述的凸起部直从所述第一流体通的空气入口上通，从而使复数个形结构、复数个凸部与基体之间配合成与所述第一流通道连通的第二体通道，且待处理空气仅能通过所述二流体通道进入一流体通道。17.在该第一实施案中，至少两个述的凸起部直接从述第一流体通道空气入口上通过；和或，所述复数个凸起部平分布在所述基体第一表面上。18.较为优选的，述帽形结构与凸部一体设置。19.在该第一实施案中，所述帽形构可具有倒梯形截结构。20.较为优选的，成于相邻帽形结之间的开口部的口为1nm～50μm。21.较为优选的，述帽形结构的高为50nm～200μm。22.较为优选的，邻凸起部之间的离为0.1μm～100μm。23.较为优选的，述凸起部的高度0.1μm～400μm，宽度为0.1μm～100μm。24.较为优选的，述第一流体通道孔径为1μm～1mm。25.较为优选的，述基体的厚度在1μm以上26.较为优选的，少于所述凸起部帽形结构和基体中任一者的表面还置有光催化功能材层和/或抗菌功能材料层。27.较为优选的，述凸起部、帽形构和基体中的至少者的至少局部为明结构。28.在本发明的较具体的第二实施案中，所述过滤芯包括：29.具有第一流体道的基体，所述一流体通道具有空入口和空气出口所述第一流体通道空气入口分布于述基体的第一表；30.由复数根线形相互交叉形成的孔结构，用以与所基体的第一表面合形成第二流体通，所述复数根线体一端均与所述体固定连接，所述孔结构中孔洞的直大于0但小于混杂于待处的空气内的选定粒的粒径，且待处理的空气仅通过所述第二流通道进入第一流通道。31.进一步的，所复数根线形体的端均与所述基体的一表面固定连接并环绕分布于所述一流体通道的空入口周围。32.较为优选的，述的过滤芯片还括彼此间隔设置的数个凸起部，所凸起部固定设置在述基体的第一表上，并沿横向在述基体的第一表面连续延伸，其中至两个凸起部分别所述第一流体通的空气入口的相背的两侧相邻设置，少一个凸起部直从所述第一流体道的空气入口上通，所述凸起部上固连接有两根以上述的线形体。33.较为优选的，接在一凸起部上复数根线形体和连在与该凸起部相的另一凸起部上的数根线形体相互叉。34.较为优选的，述复数个凸起部行分布在所述基体第一表面上。35.进一步的，所凸起部的形状包长条状或片状，且限于此。36.进一步的，所的复数个凸起部均匀分布非均匀分布在所基体的第一表面上。37.较为优选的，述凸起部的宽度0.1μm～100μm，高度为0.1μm～400μm。38.较为优选的，邻凸起部之间的离为0.1μm～100μm。39.较为优选的，述凸起部表面还置有光催化功能材层和/或抗菌功能材料层。40.较为优选的，述基体、所述复根线形体、所述复个凸起部中的至一者的至少局部为明结构。41.较为优选的，述线形体的直径1nm～50μm。42.较为优选的，中任一线形体的端和与该线形体相的另一线形体的端之间的距离为1nm～50。43.较为优选的，述线形体的长度50nm～200μm。44.较为优选的，少于所述线形体面还分布有光催化料或抗菌材料。45.较为优选的，述基体和所述复根线形体中的至少者的至少局部为明结构。46.较为优选的，述线形体为直线。47.进一步的，所第一流体通道的气入口具有规则或规则形状，所述则形状包括多边形圆形或椭圆形。48.较为优选的，述第一流体通道孔径为1μm～1mm。49.较为优选的，述基体的厚度在1μm以上50.较为优选的，述过滤芯片还包平行分布在所述基的第一表面的复根横梁，所述横梁横向在所述基体第一表面连续延，其中至少两根横分别与所述第一流通道的空气入口相背对的两侧相设置，至少一根横直接从所述第一流通道的空气入口通过；以及，任横梁上均分布有复根线形体，该复数线形体中的至少分线形体的一端定于所述横梁表面另一端沿逐渐远离任一横梁的方向向延伸和/或在平行于所述基体一表面的面上连续延伸，与分布在相邻于任一横梁的另一梁上的复数根线形相互交叉，从而形所述多孔结构。51.较为优选的，少两根横梁直接所述第一流体通道空气入口上通过52.较为优选的，述线形体包括碳米线、碳纳米管、zno纳线、gan纳米线、tio2纳米、ag纳米线、au纳米线中的一种或两种以上组合，但不限于此。53.在本发明的较具体的第三实施案中，所述过滤芯包括：54.具有第一流体道的基体，所述一流体通道具有空入口和空气出口所述第一流体通道空气入口分布于述基体的第一表的第一区域内；55.空气阻挡部，有与所述基体的一表面相对设置的二表面，用于阻待处理空气直接进所述第一流体通的空气入口；56.彼此间隔设置复数个凸起部，述凸起部一端固定置于所述基体的一表面的第二区域内，一端与所述空气挡部的第二表面定连接，其中相邻起部之间的距离大0但小于混杂于待处理的气内的选定颗粒粒径，所述基体的第一表面的二区域与第一区邻接，从而使所复数个凸起部、空阻挡部与基体之间合形成第二流体道，且待处理的气仅能通过所述第流体通道进入第一体通道。57.进一步的，所复数个凸起部环所述第一流体通道空气入口设置。58.进一步的，所基体的第一表面第三区域内亦间隔置有复数个凸起，所述第二区域设所述第三区域和一区域之间。59.较为优选的，述第一流体通道孔径为1μm～1mm。60.较为优选的，述基体的厚度在1μm以上61.较为优选的，述空气阻挡部的度为0.5μm～200μm。62.较为优选的，述凸起部表面还置有功能材料层，述功能材料层的质包括光催化材料抗菌材料。63.较为优选的，述过滤芯片中的少部分组件的至少部为透明结构。64.进一步的，所基体的第一表面第三区域环绕所述二区域设置。65.进一步的，所基体的第一表面第一区域及第二区分布在所述空气挡部于所述基体的一表面上的正投内。66.较为优选的，述过滤芯片还包至少一个支撑体，述支撑体一端与述基体固定连接，一端与所述空气挡部固定连接。67.较为优选的，布于所述基体的一表面的第三区域复数个凸起部排形成具有超疏水或疏油性能的微米或纳米级阵列结。68.较为优选的，述过滤芯片包括个以上所述的支撑，并且该两个以所述的支撑体对称布于所述第一流通道的空气入口围。69.较为优选的，述第一流体通道空气入口上架设有根以上支撑梁，述支撑梁与所述空阻挡部固定连接70.进一步的，所凸起部为站立设的线状、柱状、片、管状、锥状、台状结构中的任意种，且不限于此71.进一步的，所凸起部的横向截具有规则或不规则状，所述规则形包括多边形、圆形椭圆形，但不限此。72.进一步的，所的复数个凸起部匀分布或非均匀分在所述基体的第表面上。73.进一步的，所第一流体通道的气入口具有规则或规则形状，所述则形状包括多边形圆形或椭圆形，不限于此。74.较为优选的，述凸起部为线状起，其长径比为4∶1～200000∶1。75.较为优选的，邻凸起部之间的离与所述凸起部的度的比值为1∶4～1∶200000。76.较为优选的，述凸起部为竖立置的微米线或纳米，其直径为1nm～50μm，长度为50nm～200μm，邻凸起部之间的离为1nm～50μm。77.在本发明的较具体的第四实施案中，所述过滤芯包括：78.具有第一流体道的基体，所述一流体通道具有空入口和空气出口所述第一流体通道的空入口分布于所述体的第一表面的一区域内；79.空气阻挡部，有与所述基体的一表面相对设置的二表面，用于阻待处理空气直接进所述第一流体通的空气入口；80.复数个凸起部所述凸起部沿横在所述基体的第一面的第二区域连延伸，其中相邻凸部之间形成有可空气通过的沟槽所述沟槽的开口部口径大于0但小于混于待处理的空气的选定颗粒的粒径并且所述凸起部上端与所述基体第一表面密封连，下端的局部区与所述空气阻挡部第二表面密封连接从而使所述复数凸起部之间的一以上沟槽、空气阻挡与基体配合形成二流体通道，且处理的空气仅能过所述第二流体通进入第一流体通道81.进一步的，所基体的第一表面第二区域环绕第一域设置。82.进一步的，所凸起部的第二端局部区域及所述第流体通道的空气口均分布在所述空阻挡部于所述基的第一表面上形的正投影内。83.进一步的，所凸起部的形状包长条状或片状，但限于此。84.进一步的，所的复数个凸起部匀分布或非均匀分在所述基体的第表面上。85.进一步的，所第一流体通道的气入口具有规则或规则形状，所述则形状包括多边形圆形或椭圆形，不限于此。86.较为优选的，述凸起部的宽度1nm～50μm，高度为50nm～200μm87.较为优选的，成于相邻凸起部间的沟槽开口部的寸为1nm～50μm。88.较为优选的，述第一流体通道孔径为1μm～1mm。89.较为优选的，述基体的厚度在1μm以上90.较为优选的，述空气阻挡部的度为0.5μm～200μm。91.较为优选的，述凸起部表面还置有功能材料层，述功能材料层的质包括光催化材料抗菌材料。92.较为优选的，述基体、空气阻部、凸起部中的至少一者至少局部为透明结构。93.在本发明的较具体的第五实施案中，所述过滤芯包括：94.具有第一流体道的基体，所述一流体通道具有空入口和空气出口所述第一流体通道空气入口分布于述基体的第一表；95.彼此间隔设置复数个凸起部，述凸起部固定设置所述基体的第一面上，并沿横向在述基体的第一表上连续延伸，其相邻凸起部之间形有可供空气通过的槽，所述沟槽的口部的口径大于0但小于混杂于处理的空气内的选定颗的粒径，以及，中至少两个凸起分别与所述第一流通道的空气入口的背对的两侧相邻置，至少一个凸部直接从所述第一体通道的空气入口通过，从而使所复数个凸起部与体之间配合形成与述第一流体通道连的第二流体通道且待处理的空气能通过所述第二流通道进入第一流体道。96.较为优选的，述过滤芯片还包：空气阻挡部，具与所述基体的第表面相对设置的第表面，所述第一体通道的空气入分布在所述空气阻部于所述基体的第表面上形成的正影内，所述复数凸起部具有相背对第一端和第二端，述第一端与所述基体的第一面密封连接，第端的局部区域与述遮挡部的第二表密封连接。97.较为优选的，述复数个凸起部行分布在所述基体第一表面上。98.较为优选的，成于相邻凸起部间的沟槽的开口部尺寸为1nm～50μm。99.较为优选的，述第一流体通道孔径为1μm～1mm。100.较为优选，所述基体的厚在1μm以上。101.较为优选，所述凸起部表还设置有功能材料，所述功能材料的材质包括光催化材或抗菌材料。102.较为优选，所述空气阻挡的厚度为0.5μm～200μm。103.较为优选，所述基体、空阻挡部、凸起部中至少一者的至少部为透明结构。104.在本发明较为具体的第六施方案中，所述过滤芯片括：105.具有流体道的基体，以及106.复数根线体的聚集体，用对流经所述流体通的、混杂有选定粒的空气进行处理；107.所述聚集分布于所述流体道内，并具有多孔构，所述多孔结内孔洞的直径大于0但于所述选定颗粒粒径。108.进一步的所述线形体一端与所述流体通道的壁固定连接，另端沿所述流体通道的向延伸。109.进一步的所述复数根线形相互交叉或彼此交形成所述多孔结。110.进一步的所述复数根线形彼此间隔设置并平排布形成所述多结构。111.进一步的所述基体具有相对的第一表面和第表面，所述流体道的空气入口分布于述基体的第一表。112.进一步的所述基体的第一面还分布有彼此间设置的复数根竖线形体，所述复数根立线形体环绕所流体通道设置。113.进一步的所述过滤芯片还括空气阻挡部，所空气阻挡部具有所述基体的第一表面对设置的第三表，并且所述复数竖立线形体一端固设置于所述基体的一表面，另一端所述空气阻挡部第三表面固定连接其中相邻竖立线形之间的距离大于0但小于述选定颗粒的粒。114.较为优选，所述基体的第一表面还置有功能材料层所述功能材料层的材质包括光催材料或抗菌材料115.较为优选，所述过滤芯片的至少部分组件具透明结构。116.进一步的所述流体通道的气入口具有规则或规则形状，所述则形状包括多边形、形或椭圆形，但限于此。117.较为优选，所述流体通道孔径为1μm～1mm。118.较为优选，所述基体的厚在1μm以上。119.进一步的所述流体通道的气入口及复数根竖线形体分布在所空气阻挡部于所述基的第一表面的正影内。120.较为优选，所述竖立线形的长径比为4∶1～200000∶1。121.较为优选，相邻竖立线形之间的距离与所述立线形体的长度比值为1∶4～1∶200000。122.较为优选，所述线形体的径为1nm～500μm。123.较为优选，所述线形体选纳米线或纳米管。124.较为优选，至少于所述线体表面还分布有光化材料或抗菌材。125.较为优选，所述线形体包碳纳米线、碳纳米、zno纳米线、gan纳米线、tio2纳米、ag纳米线、au纳米线中的一种或两种以上组合，但不限于此。126.较之现有术，本发明的优至少在于：127.1)本发明供的鼻塞式呼吸过滤性好、呼吸方、舒适感好，可次使用，使用寿命长128.2)本发明的过滤芯片至少有通量大、流阻小能高效清除空气微纳米级颗粒等特点还可采用较厚的体，机械强度高可以(超声)清洗及多次使用，使用寿命，且优选具有自洁功能，同时其备工艺简单可控，适于规模化大批量制。附图说明129.为了更清地说明本发明结特征和技术要点，面结合附图和具实施方式对本发明进详细说明。130.图1为本明一典型实施例一种鼻塞式呼吸器结构示意图；131.图2为本术第一一实施例一种过滤芯片的俯图；132.图3为本术第一实施例中种过滤芯片的局部视图(a-a向)；133.图4为本术第一实施例中种过滤芯片的制备艺流程图；134.图5为本术第二实施例中种过滤芯片的俯视；135.图6为本术第二实施例中种过滤芯片的局部视图；136.图7为本术第二实施例中种过滤芯片的制备艺流程图；137.图8为本术第三实施例中种过滤芯片的剖视；138.图9a-图9e本技术第三实施中一些凸起部的向截面图；139.图10a-图10c为技术第三实施例中些凸起部的排布意图；140.图11a-图11c为技术第三实施例中种过滤芯片的俯图；141.图12为本技第四实施例中一过滤芯片的剖视图142.图13为本技第五实施例中一过滤芯片的剖视图143.图14为本技第六实施例中一过滤芯片的剖视图144.图15为本技第七实施例中一过滤芯片的剖视图145.图16为本技第八实施例中一过滤芯片的制备工流程图；146.图17为本技第九实施例中一过滤芯片的制备工流程图；147.图18为本技第十实施例中一过滤芯片的俯视图148.图19为本技第十实施例中一过滤芯片的局部剖图；149.图20为本技第十一实施例中种过滤芯片的俯视；150.图21为本技第十二实施例中种过滤芯片的局部视图；151.图22为本技第十三实施例中种过滤芯片的局部视图；152.图23为本技十四实施例中一过滤芯片的俯视图153.图24为本技十五实施例中一过滤芯片的局部剖图；154.图25为本技十六实施例中一过滤芯片的制备工流程图。具体实施方式155.本发明实例提供的一种鼻式呼吸器包括：156.鼻塞和过芯片，至少所述塞的一端部能够插使用者的鼻腔，所述鼻塞包含有与所鼻腔连通的气体道，所述过滤芯用以滤除混杂于待理气流内的、粒径于设定值的颗粒待处理的气体流所述过滤芯片后进所述鼻塞内的气体道；以及，157.过滤芯片护结构，用以对述过滤芯片进行防。158.在一些实方案中，所述过芯片防护结构包括一固定式硬质滤和第二固定式硬质滤，所述过滤芯片置于第一固定式质滤网和第二固定硬质滤网之间。159.在一些实方案中，所述鼻式呼吸器还包括第过滤织物和/或第二过滤织物，所述第一滤织物分布于所鼻塞和过滤芯片间，所述过滤芯片布于第二过滤织物鼻塞之间。160.在一些实方案中，所述鼻式呼吸器还包括第可拆卸式硬质滤和或第二可拆式硬质网，所述第一可拆卸式硬滤网与第一过滤物固定连接，所述第二可拆卸硬质滤网与第二滤织物固定连接161.较为优选，所述鼻塞采用鼓型鼻塞，其可局或整体插入人体腔内。162.较为优选，所述鼻塞式呼器还包括一两端开的壳体，所述鼻可拆卸的安装于所述体一端，所述过芯片容置于所述体内。该壳体一方可以实现对过滤芯的进一步防护，一方面也可以容前述的各种组件，得该呼吸器结构紧牢固。该壳体优采用硬质壳体。163.请参阅图所示是本发明一型实施例中的一种塞式呼吸器，其以包括：164.硬质外壳11165.嵌入式硬丝网组件，包括向、间隔地设置于壳11内的两片嵌入式硬质丝网12；166.过滤丝织片组件，包括横、间隔地设置于外11内的两片过滤丝织物片13，两片过丝织物片13位于两片嵌入硬质丝网12之间，且分别设于嵌入式硬质丝网12上167.固定式硬丝网组件，包括向、间隔地设置于壳11内的两片固定式硬质丝网14，固式硬质丝网14位于两片过丝织物片13之间；168.过滤芯片16横向设置于外壳11内，并于两片固定式硬丝网14之间；169.腰鼓型鼻15，包括连接片体151以及由连接片体151的一面向外凸出的两个鼻塞主体152，鼓型鼻塞15经接片体151嵌设于外壳11的内腔的一端，且鼻塞主152与外壳11的内腔相连通170.优选的，入式硬质丝网12的两端分可拆卸的与外壳11的腔壁连接。过滤丝织物13的两端分别与外壳11的内腔相接，其一面与入式硬质丝网12固定接，其另一面搭于由外壳11的内腔壁凸伸出的凸上。固定式硬质丝网14的两分别固设于外壳11的内腔壁上。滤芯片的两端分固设于外壳11内腔壁上。171.在本发明，前述过滤芯片以是采用mems(微机电系统加工工艺)制的，因此也可以命名为mems过芯片。172.请参阅图2-3所示，在本发明的一实施例(名为第一实施例)中，一种过滤芯片包括基101，所述基体101具有背对的第一表面1011和第表面1012，且所述体101内分布有若干作为体通道的通孔102，所述第表面设置有多个横梁103(可命名为凸起部)平排布形成的阵，其中有多根横103直接从通孔102上过以及有多根横103分布在通孔102两侧其中，各横梁103顶部还分布有帽形结构104(简称层)，各帽层亦随各横梁沿向连续延伸，并成帽形结构的阵，且待处理的空无法绕过前述帽形构的阵列而直接进所述通孔102。173.其中，通调整前述各帽形构之间的间距，即形成具有选定尺的开口部(可以称为微道)，实现对空气中不同粒范围的颗粒进行清处理，特别是，当将这些形结构的间距控在纳米级时，可去除空气中的极微的颗粒(纳米级的颗)。174.前述横梁以为条状，并具有较大的度和厚度，使得些横梁可具有较高机械强度，使对帽形层形成较的支撑，而各横的间距可以较大，提供较大的空气通。175.前述帽层可以具有较大的度，其两侧沿侧向延，使相邻帽层间距可以达到很小，如可以低至1nm，因此可截留混杂于待处的空气内的极小的颗粒。176.前述帽层以与凸起部一体置，例如可以通过发、沉积、生长典型的如金属溅射mocvd、pecvd、电化学沉等)技术直接形成于所述起部上部，并且所述帽结构亦可随所述起部沿横向连续伸，从而使相邻帽结构之间形成沿横连续延伸的开口，如此一方面可保证对混杂于待处的空气内的选定颗的处理，亦还保很高的通量，且低了加工难度，节了成本。177.前述帽层材质可以选自绝介质材料如氧化硅氮化硅氧化铝、磷硅玻璃等，或者半体材料如si、zno、gan、tio2、inn等或金属材料如ag、au、al、ni、cr、ti，但不限于此。178.其中，所基体101可以具有较大的度，使其对前述/纳米片阵列形成较好的支撑，同还可进一步增强述过滤芯片的机强度，使所述过滤片耐压、耐弯折、碰撞、耐冲击，进而使其以在多种环境中用而不致损坏，例如可以应于对高压、高速气进行处理，这功能是现有的多孔等无法企及的。179.其中，所过滤芯片各部分(101、102103、104)的材料选择围是多样的，可以是无机料，也可以是有材料，例如金属非金属无机材料、料、陶瓷、半导、玻璃、聚合物。当这些部分都择使用无机材料时所述过滤芯片还具耐温度变化的特，可以处理高温低温空气。180.采用前述计的过滤芯片可(超声)清洗，多次使用，仍旧保持良好的空气处理能力。181.当利用所的过滤芯片对空进行处理时，含有质颗粒的空气(空气流向如图3中带有虚线箭头所示)在进入前述帽形构的阵列时，其粒径大于一定数值的颗粒(或些与空气不相容液滴，例如空气中水滴或油中的水被阻挡在前述帽结构的阵列之外之后空气经由各形结构之间的开口到达通孔102的入口后再进入通孔102，实现对气的净化和/或者对所颗粒(液滴)的富集收。182.在该实施的一些具体应用案中，前述各帽层间隙可以为1nm～50μm，帽层的高度可以为50nm～200μm183.在该实施的一些具体应用案中，前述通孔的径可以为1μm～1mm，前述基体的厚度以＞1μm。184.在该实施的一些具体应用案中，前述横梁的度可以为0.1μm～400μm，宽度以为0.1um～100μm，各横梁间距可以为0.1μm～100μm。185.形成于相帽形层及相邻横之前的开口部的纵截面可以是规则不规则形状的，例如以是梯形、多边(三角形、四边形或其它)、圆形椭圆形、星形等等。186.前述横梁帽形层可以规则不规则、均匀或非匀的分布在所述体的第一表面上。187.另外，在第一实施例中，述通孔102的形状可以是多样的例如可以是圆形、正方、长方形或其它状。188.在本技术其它一些实施例，一种过滤芯片可具有与前述实施中任一者相似的结构不同之处在于：横梁、帽形层及体表面还可设置有催化材料层。在以含光催化材料层过滤芯片对空气行处理时，若辅以外光照等，还可对气中的一些有机染物等进行光催降解，实现对空气多重净化。189.其中，为于光线透入，所帽形层、横梁及基中的部分或全部以由透明材料制成。本实施例的一些体实施方案中，述帽形层、横梁可整体由透明材料制，例如光线射入190.其中，较典型的光催化材可以是二氧化钛等但不限于此。191.其中，为成所述光催化材层，本领域技术人可以采用业界已的多种方式，例如涂布旋涂、喷涂、印刷等)、物或化学气相沉积(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。192.其中，所光催化材料层的度可以被控制在纳级，以尽量减少对所述过滤芯片的空通量的影响。193.该实施例所采用的基体、形层、横梁、通孔的结构、设置形、材质等可与前文述的相同或相似，而此处不再赘述194.在本技术其它一些实施例，一种过滤芯片可具有与前述实施例中任一者相似的结构不同之处在于：横梁、帽形层及体表面还可设置有菌材料层。在以包抗菌材料层的过芯片对空气进行理时，可以在空气处理过程中，同步杀空气中的细菌病毒等，实现对气的多重净化。195.其中，较典型的抗菌材料以是诸如au、ag等贵金属等，但限于此。196.其中，为成所述抗菌材料，本领域技术人员以采用业界已知多种方式，例如涂(旋涂、喷涂、刷等)、物理或化学气相沉(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。197.其中，所抗菌材料层的厚可以被控制在纳米，以尽量减少其所述过滤芯片的空气量的影响。198.该实施例所采用的基体、形层、横梁、通孔的结构、设置形、材质等可与前文述的相同或相似，而此处不再赘述199.本技术的述过滤芯片可以过物理、化学方法备，例如可以是学生长法、物理加工法等，特是mems(微机电系统，microelectromechanicalsystems)法等。200.在本技术另一些实施例中一种过滤芯片的制工艺可以包括如步骤：201.s1：提供底(例如硅片)；202.s2：在衬的一侧表面(命名为第一表)上光刻出微纳米尺度线条，即形成图形化的光胶掩模；203.s3：在所衬底的第一表面蚀(rie、icp、湿法腐蚀、电化学蚀等)出微纳米尺度的多横梁，之后除去述光刻胶掩模；204.s4：在所衬底的与第一表相背对的另一侧表(命名为第二表面)上设置光刻胶刻蚀掩；205.s5：对所衬底的该另一侧面进行刻蚀，直至所述衬底的该另侧表面形成作为流体道的通孔；206.s6：除去刻胶刻蚀掩模，后在有衬底的有横一侧的表面蒸镀沉积或生长帽层结构蒸镀或沉积或生工艺过程中存在向延伸的现象，能够帽层间隙随着厚的增加而减小，小可以达到几个米。207.s7：划片封装，制得过滤片(该步骤在图中未示出)。208.前述各步中采用的刻蚀方还可以是光刻、机刻蚀、干法刻蚀湿法刻蚀等。209.例如，在述步骤中，形成形化的光刻胶掩模方法包括：光刻术、纳米小球掩膜技、纳米(金属)颗粒掩膜技等，且不限于此210.显然，该一实施例中过滤片的制备工艺是简可控的，适合批化大规模生产，且所过滤芯片至少具如下优点：(1)通量大，流阻小(2)物理过滤，能有效清大于纳米缝隙的粒；(3)跨越式横梁和较大的衬厚度，可以保证高机械强；(5)可以(超声)清洗，多次用。211.请参阅图所示，在本技术第二实施例中，一过滤芯片包括基201，所述基体201具有背对的第一表面2011和第表面2012，且所述体201上分布有若作为流体通道的通204。所述第一表面2011上设置平行排布的多根横梁203，述横梁203在所第一表面上沿向连续延伸，其的若干横梁203从述通孔204上连续跨过，因此可以被视为跨越横梁203。其中任一横203上均分布有多根纳米202，该多根纳米线202的一端均固定于该任一梁203表面，另一端沿逐远离该任一横梁203的向斜向延伸(亦可认为是向延伸)，并与分布在相邻该任一横梁203的另一梁上的多根纳米线202互交叉，从而形所述多孔结构205。请再次参阅图5，所述多孔结构205以视的视角观察为盖所述通孔204的网格结构。所多孔结构205中孔洞的径大于0但小于混杂于待处理流体内的选定颗的粒径。而请参阅图5-6，可以看到该多根纳米线102交叉成的多孔结构205与所述基体201的一表面2011配合形成另一体通道，使得待理的流体206仅能通过该一流体通道进入所通孔204。212.其中，因述纳米线具有较的高径比(或者长径比)，使得这纳米线可密集排布于所述体的第一表面，过调整前述横梁间的间距以及这些米线的密度、长度延伸方向等，即对流体中不同粒范围的颗粒进行清处理，特别是，当用的均是纳米线，通过将这些纳线交叉形成的孔洞径控制在纳米级，仅可以去除流体的极微小的颗粒而且因纳米线自身径极小，还可使其于流体的阻力被制在很低的水平并形成很大的流体通，远远优于现有多孔膜、基于横流道的过滤芯片等213.其中，若考业界已知的方，将前述的纳米线排布方式进行一的设计，还可使之形超疏水结构、超油结构，不仅可清除流体中的颗粒且还可通过自清洁用，使被阻挡的粒无法在所述过芯片的功能区域(纳米线阵列表面)积聚，免所述过滤芯片长期使用后失效。214.其中，所横梁203可以在所述基体201的第一面2011上以合的密度分布，以使所述滤芯片具有尽可高的流体处理通。以及，所述横梁可具有合适的宽，以使所述横梁203在具足够的机械强度同时，还可避免对所述过滤芯的通量造成过多响。例如，所述梁的高度可以为0.1μm～100μm，宽可以为0.1μm～400μm，横梁之的间距可以为0.1μm～100μm。215.其中，所基体201可以具有较大的度及所述横梁203可以有较大的高度，使其对前纳米线阵列形成好的支撑，同时可进一步增强所述滤芯片的机械强度使所述过滤芯片压、耐弯折、耐撞、耐冲击，进而其可以在多种环境应用而不致损坏例如可以应用于高压、高速流体进处理，这一功能是有的多孔膜等无企及的。216.其中，所过滤芯片各部分(201、202203)的材料选择范围是样的，可以是无机材料，可以是有机材料当这些部分都选使用无机材料时，述过滤芯片还具有温度变化的特性可以处理高温和温流体。217.采用前述计的所述的过滤片可以(超声)清洗，多次使用，仍旧保持良好的流体处理力。218.当利用所的过滤芯片对流进行处理时，含有质颗粒的流体在入前述多孔结构205时其中粒径大于一数值的颗粒(或一些与流体不相容液滴，例如空气中水滴或油中的水)被阻挡在前述多孔结构205之，之后流体经由各纳米线间的间隙到达通204的入口处后再进入通204，实现对流体的净化和/或对所需颗粒(液滴)的富集收。219.请再次参图5所示，在该实施例的些具体应用方案，前述纳米线202的直径和间可以为1nm～50μm，长6度(高度可以为50nm～200μm。述通孔104的孔径以为1μm～1mm。所述基体厚度可以在1μm以上220.前述纳米的横向截面结构以是规则或不规则状的，例如可以多边形(三角形、四边或其它)、圆形、椭圆形、形等等。221.前述纳米202可以规则或不规则、匀或非均匀的分在所述基体201的第一表面上。222.由这些纳线202形成的阵列可具有疏水结构，进而得所述过滤芯片具有自清洁功能223.前述的纳线202可以优选自碳纳米、碳纳米管、zno纳米线、gan纳米线、tio2纳米、ag纳米线、au纳米线等，不限于此。224.前述纳米202可以通过外界转移、位生长(例如化学生长、化学生长)或沉积(例物理、化学气相积，电沉积)等方式固定于所述基表面或者于所述基体表面长形成。225.前述通孔204的状(特别是横向截面的形状)可以是多的，例如可以是圆形、正方形、长方形、形、多边形或其规则或不规则形。226.在该实施的一些具体应用案中，所述纳米线202可以由光催化材料或具有抗菌、杀菌能的材料形成，者，所述纳米线202也可以是表覆盖有光催化材料或具杀菌、抗菌功能材料形成的涂层227.例如，所纳米线202可采用zno纳线、gan纳米线、tio2米线等具有光催化的性质纳米线，在光辅照射下，能够降流体中的有机物。228.例如，所纳米线202可采用ag纳米、au纳米线等，以杀灭流中的细菌、病毒、微物。229.在该实施的一些具体应用案中，所述基体201的第一表面2011上设置有光催化材料或抗菌材料层等230.在以包含催化材料层的过芯片对流体进行处时，若辅以紫外照等，还可对流体的一些有机污染等进行光催化降，实现对流体的多净化。231.其中，为于光线透入，所基体、凸起部、纳线中的部分或全可以由透明材料制成232.其中，较典型的光催化材可以是二氧化钛等但不限于此。233.其中，为成所述光催化材层，本领域技术人可以采用业界已的多种方式，例如涂布旋涂、喷涂、印刷等)、物或化学气相沉积(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。234.其中，所光催化材料层的度可以被控制在纳级，以尽量减少对所述过滤芯片的流通量的影响。235.而在以包抗菌材料层的过芯片对流体进行处时，可以在流体处理过程中，同步灭流体中的细菌、毒等，实现对流的多重净化。236.其中，较典型的抗菌材料以是诸如au、ag等贵金属等，但限于此。237.其中，为成所述抗菌材料，本领域技术人员以采用业界已知多种方式，例如涂(旋涂、喷涂、刷等)、物理或化学气相沉(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。238.其中，所抗菌材料层的厚可以被控制在纳米，以尽量减少其所述过滤芯片的流体量的影响。239.本技术的述过滤芯片可以过物理、化学方法备，例如可以是学生长法、物理加工等，特别是mems(微机电统，microelectromechanicalsystems)法等240.例如，请阅图7所示，在该实施例，一种过滤芯片制备工艺可以包括如下步骤：241.s1：在衬(例如硅片)的第一表面上积用于纳米线生的种子层。242.s2：在所种子层上设置图化的光刻胶掩模，包含光刻出微纳尺度的线条。243.s3：利用述光刻胶掩模对述衬底的第一表面行刻蚀，从而在述衬底的第一表面形彼此间隔设置的根微纳米尺度的梁结构，之后除去述光刻胶掩模。244.s4：在所衬底的第二表面设置光刻胶形成的形化刻蚀掩模。245.s5：对所衬底的第二表面行刻蚀，并刻蚀至述横梁底部，从在所述衬底的第二表形成用作流体通的槽孔，并除去刻胶。246.s6：在种层上生长纳米线控制纳米线的生长件，使纳米线有定的侧向生长比率，且形成微纳米尺的交叉网格。247.s7：划片封装，制得过滤片。248.前述各步中采用的刻蚀方可以是光刻、机械蚀、干法刻蚀、法刻蚀等。249.例如，在述步骤中，形成形化(纳米图形)的光刻胶掩模的法包括：光刻技术、纳米球掩膜技术、纳(金属)颗粒掩膜技术等，且不限此。250.例如，在述步骤中，可通业界已知的方式，如rie、icp、湿法腐蚀、电化学腐蚀刻蚀出横梁203、通孔204等。251.显然，本术过滤芯片的制工艺是简单可控的适合批量化大规生产。252.请参阅图及图11a-图11b所示，在技术的第三实施中，一种过滤芯片包括基体301所述基体301具有第一表301a，且所述基体301的第一区域3011(图中虚围合的区域)分布有若干作流体通道的通孔304，述第一表面上设置有根竖直微/纳米线/管303(，微米级的线、米级的管、纳米线、纳米管中的一种或多种的组)形成的阵列，分布在环第一区域3011的第二区域3012内的述通孔304分布的多根微/纳米线/303的顶部还接有流体阻挡部302所述流体阻挡部302设置于述通孔304的流体入口上方，使待处理的体无法绕过前述微/纳米线/管阵列而直接进入所通孔304，所述流体阻部302具有与所述第一表3011相对设置的第二表302b。而在所第一表面3011的其余区域3013(命名为第三区域)内亦可密集分布多根竖直微纳米线/管303。在图8中带有虚线的箭头出了流体的行进方向。253.其中，因述微/纳米线/管具有较大高径比(或者长径比)，得这些微/纳米线/管可密集布于所述基体的一表面，通过调整些微/纳米线/管的间距，即可对流体不同粒径范围的粒进行清除处理特别是，当采用的是纳米线/管时，通将这些纳米线/管之间的间控制在纳米级，不可以去除流体中的极微小颗粒，而且因纳线/管自身直径极小，还使其对于流体的阻力被控制在很的水平，并形成大的流体通量，远优于现有的多孔、基于横向流道过滤芯片等。254.其中，若考业界已知的方，将前述的微/纳米线/管阵列进一定的设计，还可使之形超疏水结构、超油结构，不仅可清除流体中的颗粒且还可通过自清洁用，使被阻挡的粒无法在所述过芯片的功能区域(微/纳米线/管阵列表面)积，避免所述过滤片在长期使用后失。255.其中，所基体301可以具有较大的度，使其对前述/纳米线/管阵列形成较好的支撑同时还可进一步强所述过滤芯片机械强度，使所述滤芯片耐压、耐弯、耐碰撞、耐冲，进而使其可以多种环境中应用而致损坏，例如可以用于对高压、高流体进行处理，一功能是现有的多膜等无法企及的。256.其中，所流体阻挡部可以片状的，其厚度等依据实际应用需而调整。257.其中，所过滤芯片各部分(301、302303、304)的材料选择围是多样的，可以是无机料，也可以是有材料，例如金属非金属无机材料、料、陶瓷、半导、玻璃、聚合物。当这些部分都择使用无机材料时所述过滤芯片还具耐温度变化的特，可以处理高温低温流体。258.采用前述计的所述的过滤片可以(超声)清洗，多次使用，仍旧保持良好的流体处理能力。259.当利用所的过滤芯片对流进行处理时，含有质颗粒的流体在入前述微/纳米线303成的阵列时，其粒径大于一定数值颗粒(或一些与流体不相容的液滴，如空气中的水滴油中的水滴)被阻挡在前述微/纳线/管阵列之外，之后流经由各微/纳米线/管之间间隙到达通孔304的入处后再进入通孔304，现对流体的净化和/或对所需颗粒(液滴)的富回收。260.请再次参图8所示，在该第三实施的一些具体应用案中，前述微/纳米线的直径可以1nm～50μm，长度(高度)h1可以为50nmμm，相邻微/纳米线之间的距可以为1nm～50μm。所述孔304的孔径w可以为1μm～1mm。所述基体的度h2可以在1μm以上。述流体阻挡部的厚度h3可以为0.5μm～200μm。261.请再次参图9a一图9e，前述微/纳线的横向截面结可以是规则或不规则形状的，例可以是多边形(三角形、四边或其它)、圆形、椭圆、星形等等。262.请再次参图10a-图10c，前述微/纳线可以规则或不规、均匀或非均匀的分布在所述体的第一表面上在一些较为具体应用方案中，相邻纳米线的平均间距1nm～50μm。263.另外，请阅图11a-图11c，在该第实施例中，前述孔304和流体阻挡部302的形状特别是横向截面形状)可以是多样的，例如以是圆形、正方形、长方形或它形状。264.请参阅图12示，较为优选的在本技术的第四实例中，一种过滤片包括基体401，述基体401具有第一表面与该第一表面相对的和第三表面，且所述基体401上布有若干作为体通道的通孔404，所述第表面上设置有多根竖直微纳米线/管403形成的阵列环绕所述通孔404分布多根微/纳米线/管403的部还连接有流体挡部402，所述流体阻挡部402设置于所述通孔404的体入口上方，使处理的流体无法绕前述的微/纳米线/管阵列而直接入所述通孔404。并且，在所通孔404周围还对称或对称的分布有一个以的，例如四根支体405，藉由所述支撑体405还增加对所述流体阻挡部402的撑，实现流体挡部与基体之间为牢固稳定的配合，并可有效的分布在流体阻挡与基体之间的微/纳米线/管阵列成保护，避免因流体挡部和/或基体在受到外力作后，对前述微/纳米线/管阵列挤压而造成的/纳米线/管403坍塌、损等问题。265.其中，所支撑体可以是多形态的，例如可以有矩形、梯形、阶形纵向截面(此处的向可理解为垂直所述基体第一表面方向)等等，且不限于此。在该第二施例的一些具体施方案中，所述撑体可以为自所述孔404边缘部向上出形成的凸台等，上端连接所述流阻挡部402。266.其中，所支撑体的数量、径、分布密度等可据实际需要而调，但应尽量少的占用述基体第一表面空间，避免其对述微/纳米线的流体通量造成大的影响。267.该第二实例中所采用的基、微/纳米线/管阵列、流体阻挡、通孔等的结构、设置形、材质等可与前述及的相同或相，故而此处不再赘。268.请参阅图13示，较为优选的在本技术的第五实例中，一种过滤片包括基体501，述基体501具有第一表面与该第一表面相对的和第三表面，且所述基体501上布有若干作为体通道的通孔504，所述第表面上设置有多根竖直微纳米线/管503形成的阵列，环绕所通孔504分布的多根微/纳米/管503的顶部还连接流体阻挡部502，所流体阻挡部502设置于所通孔504的流体入口上，使待处理的流体无法过前述的微/纳米线/管阵而直接进入所述孔504。并且，在所述通孔504上架设有一根以的，例如对称或对称排布的多根撑梁505，藉由述支撑梁505还可增加对述流体阻挡部502的支，实现流体阻挡部与基之间更为牢固稳的配合，并可有的对分布在流体阻部与基体之间的/纳米线/管阵列形成保护避免因流体阻挡和/或基体在受到外力作用后，对述微/纳米线/管阵列挤压造成的微/纳米线/管503坍塌损毁等问题。269.其中，所支撑梁可以是多形态的，例如可以桥形等，且不限此。且进一步的，所支撑梁还可与其支撑体配合，例第五实施例中述及支撑体配合。270.其中，所支撑梁的数量、寸、分布密度等可据实际需要而调，但应尽量少的遮挡述通孔的流体入，避免其对所述滤芯片的流体通量成大的影响。271.该第五实例中所采用的基、微/纳米线/管阵列、流体阻挡、通孔等的结构、设置形、材质等可与前述及的相同或相，故而此处不再赘。272.请参阅图14示，较为优选的在本技术的第六实例中，一种过滤片包括基体601，述基体601具有第一表面6011和该第一表面相背对第三表面6012，且述基体601上分布有若干作流体通道的通孔604，述第一表面上设置有多竖直纳米柱603形成的阵，环绕所述通孔604分的多根纳米柱603的顶部连接有流体阻挡602，所述流体阻挡部602设置于所通孔604的流体入上方，使待处理流体无法绕过前述纳米柱阵列而直进入所述通孔604并且，在所述纳柱603表面及所述基体601的第一表上还设置有光催材料层605。在以包含光化材料层605的过滤芯对流体进行处理时，辅以紫外光照等还可对流体中的一有机污染物等进光催化降解，实现对体的多重净化。273.其中，为于光线透入，所流体阻挡部、基体凸起部中的部分全部可以由透明材料成。在本实施例一些具体实施方中，所述流体阻挡可以整体由透明材制成，例如光线入。274.其中，较典型的光催化材可以是二氧化钛等但不限于此。275.其中，为成所述光催化材层605，本领域技术人员以采用业界已知的多种方式，例涂布(旋涂、喷涂、印刷等)、物或化学气相沉积(如mocvd、pecvd原子层沉积等)、溅射等等且不限于此。276.其中，所光催化材料层605的厚度以被控制在纳米，以尽量减少其对所述过滤芯片流体通量的影响277.该第六实例中所采用的基、微/纳米线/管阵列、流体阻挡、通孔等的结构、设置形、材质等可与前述及的相同或相，故而此处不再赘。278.请参阅图15示，较为优选的在本技术的第七实例中，一种过滤片包括基体701，述基体701具有第一表面7011和该第一表面相背对第三表面7012，且述基体701上分布有若干作流体通道的通孔704，述第一表面上设置有多竖直纳米柱703形成的阵，环绕所述通孔704分的多根纳米柱703的顶部连接有流体阻挡702，所述流体阻挡部702设置于所通孔704的流体入上方，使待处理流体无法绕过前述纳米柱阵列而直进入所述通孔704并且，在所述纳柱703表面及所述基体701的第一表上还设置有抗菌材料705。在以包含抗菌材料705的过滤芯片对流体行处理时，可以在流体处理过程中，同灭杀流体中的细、病毒等，实现对体的多重净化。279.其中，较典型的抗菌材料以是诸如au、ag等贵金属等，但限于此。280.其中，为成所述抗菌材料705，本领域技术人员可采用业界已知的多种方式，例如布(旋涂、喷涂、印刷等)、物理化学气相沉积(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。281.其中，所抗菌材料层705的厚度可被控制在纳米级以尽量减少其对所述过滤芯片的体通量的影响。282.该第七实例中所采用的基、微/纳米线/管阵列、流体阻挡、通孔等的结构、设置形、材质等可与前述及的相同或相，故而此处不再赘。283.本技术的述过滤芯片可以过物理、化学方法备，例如可以是学生长法、物理加工等，特别是mems(微机电统，microelectromechanicalsystems)法等284.例如，请阅图16所示，在本技术的八实施例中，一种滤芯片的制备工艺可以包括如步骤：285.s1：在衬(例如硅片)的一侧表面(定为第一表面a)上设置图形的光刻胶掩模；286.s2：对所衬底的第一表面行刻蚀，从而在所衬底的第一表面成彼此间隔设置的多垂直纳米线，之除去所述第一光胶掩模；287.s3：在所衬底的第一表面布可溶性或可腐蚀有机物和/或无机物，并使有机物和/或无物填充各垂直纳线之间的间隙，形牺牲层；288.s4：在所牺牲层上设置光胶，并进行光刻；289.s5：对所牺牲层进行刻蚀使分布在所述衬底第一表面的第二中的多根垂直纳米项部暴露出，之除去光刻胶；290.s6：在所衬底的第一表面置光刻胶掩模，并所述衬底第一表上的、与所述流体挡部相对应的区暴露出；291.s7：在暴出的、与所述流阻挡部相对应的区内沉积形成流体挡部；292.s8：剥离去光刻胶；293.s9：在所衬底的第二表面设置图形化的刻蚀模；294.s10：对所述底的与第一表面背对的另一侧表面(定为第三表面b)进行刻蚀，直至露填充在相邻垂直米线之间的牺牲料，从而在所述衬的第三表面形成槽，所述槽孔所在置与所述衬底的一表面的第一区域对应，所述衬底的一表面的第二区环绕所述第一区设置；295.s11：除去所刻蚀掩模及填充各垂直纳米线之间牺牲材料，制得滤芯片。296.前述各步中采用的刻蚀方可以是光刻、机械蚀、干法刻蚀、法刻蚀等。297.例如，在述步骤s1中，形成图形化纳米图形)的光刻胶掩模方法包括：光刻技术、米小球掩膜技术纳米(金属)颗粒掩膜技术等，且限于此。298.例如，在述步骤s2中，可通过业界知的方式，例如rie、icp湿法腐蚀、电化学腐等刻蚀出垂直纳线阵列。299.例如，在述步骤s3中，填充的可溶有机物可以是光刻等或可腐蚀无机物如金属、sio2、化硅等。300.例如，在述步骤s10中，可通过业已知的方式，例rie、icp、湿法腐蚀、电化学腐等刻蚀出所述槽。301.显然，本术过滤芯片的制工艺是简单可控的适合批量化大规生产。302.请参阅图17示，在本技术的九实施例中，一种滤芯片的制备工可以包括如下步骤303.s1：在衬(例如硅片)的第一表面生形成彼此间隔设的多根竖直纳米线/管；304.s2：在所衬底的第一表面布可溶性或可腐蚀有机物和/或无机物，并使有机物和/或无物填充各竖直纳线/管之间的间隙，形成牺牲；305.s3：在所牺牲层上设置光胶，并进行光刻；306.s4：对所牺牲层进行刻蚀使分布在所述衬底第一表面的第二域中的多根竖直纳米顶部暴露出，之除去光刻胶；307.s5：在所衬底的第一表面置光刻胶掩模，并所述衬底第一表上的、与所述流体挡部相对应的区暴露出；308.s6：在暴出的、与所述流阻挡部相对应的区内沉积形成流体挡部；309.s7：剥离去光刻胶；310.s8：在所衬底的与第一表相背对的第三表面设置图形化的刻掩模；311.s9：对所衬底的第三表面行刻蚀，直至露出充在相邻垂直纳线之间的牺牲材料，而在所述衬底的三表面形成槽孔所述槽孔所在位置所述衬底的第一表的第一区域相对，所述衬底的第表面的第二区域环所述第一区域设置312.s10：除去所刻蚀掩模及填充各垂直纳米线之间牺牲材料，制得滤芯片。313.前述步骤用以生长形成竖纳米线/管的方式可以选自mocvdpecvd、电化学沉积等业已知的多种方式314.前述各步中采用的刻蚀方可以是光刻、机械蚀、干法刻蚀、法刻蚀等。315.例如，前步骤中形成图形(纳米图形)的光刻胶掩模的方法括：光刻技术、纳米小球膜技术、纳米(金属)颗粒膜技术等，且不于此。316.例如，在述步骤中可通过界已知的方式，例rie、icp、湿法腐蚀、电化学腐蚀等对底进行刻蚀。317.例如，在述步骤中，填充可溶性有机物可以光刻胶等或可腐无机物如金属、sio2、sin等。318.请参阅图18示，在本技术的十实施例中，一种滤芯片包括基体801，所述基体801具有背对的第一表面8011和第表面8012，且所述体801上的第一区8013分布有若干作为流体道的通孔804，所述第表面的第二区域8014置有多个微/纳米片803(微片和/或纳米片)平行排布成的阵列，环绕所述孔804分布的多根微/纳米片803的顶部的局部区域与体阻挡部802连接，所流体阻挡部802设置于所述通804的流体入口上方，待处理的流体无绕过前述的微/纳米片阵列而接进入所述通孔804。319.其中，因述微/纳米片微/纳米片具较薄的厚度，使这些微/纳米片微/纳米片可密集排于所述基体的一表面，通过调这些微/纳米片的间距，即可形成具有选尺寸的开口部的槽(可以称为微流道)，实现对流中不同粒径范围的颗粒行清除处理，特别是，当用的均是纳米片，通过将这些纳片之间的间距控制在纳米级，不仅可以除流体中的极微的颗粒，而且因米片自身厚度极小还可使其对于流体阻力被控制在很的水平，并形成大的流体通量(特别是纳米片具有较高的度时)，远远优于现有的多孔、基于横向流道过滤芯片等。320.其中，所基体801可以具有较大的度，使其对前述/纳米片阵列形成较好的支撑，同还可进一步增强述过滤芯片的机强度，使所述过滤片耐压、耐弯折、碰撞、耐冲击，而使其可以在多环境中应用而不致坏，例如可以应于对高压、高速体进行处理，这功能是现有的多孔等无法企及的。321.其中，所过滤芯片各部分(801、802803、804)的材料选择围是多样的，可以是无机料，也可以是有材料，例如金属非金属无机材料、料、陶瓷、半导、玻璃、聚合物。当这些部分都择使用无机材料时所述过滤芯片还具耐温度变化的特，可以处理高温低温流体。322.其中，所流体阻挡部可以片状的，其厚度等依据实际应用需而调整。323.进一步的在本实施例中，通孔周围还可对称不对称的设置一以上的支撑体，藉由述支撑体还可增对所述流体阻挡的支撑，实现流体挡部与基体之间为牢固稳定的配，并可有效的对分在流体阻挡部与体之间的微/纳米片阵形成保护，避免流体阻挡部和/或基体在受到外力用后，对前述微/纳片阵列挤压而造的微/纳米片坍塌、损毁等问题。324.其中，所支撑体可以是多形态的，例如可以有矩形、梯形、阶形截面等等，且不于此。在该第十施例的一些具体施方案中，所述支体可以为自所述通边缘部向上突出成的凸台等，其端顶撑连接所述流阻挡部。325.其中，所支撑体的数量、径、分布密度等可据实际需要而调，但应尽量少的占用述基体第一表面空间，避免其对述微/纳米片阵列的流体通量造成大的影。326.采用前述计的过滤芯片可(超声)清洗，多次使用，仍旧保持良好的流体处理能力。327.当利用所的过滤芯片对流进行处理时，含有质颗粒的流体在入前述微/纳米片阵列，其中粒径大于定数值的颗粒(或一些与流体不相的液滴，例如空气中水滴或油中的水)被阻挡在前述微/纳米片阵列之，之后流体经由各微/纳片之间的沟槽到通孔104的入口处后再进入通孔104，实现对流体的净化和或者对所需颗粒(液滴)的集回收。328.请再次参图18-图19所示，在该第实施例的一些具应用方案中，前述微/纳米片的厚可以为1nm～50μm，高度以为50nm～200μm，相微/纳米片之间的沟槽度可以为1nm～50μm。所通孔804的孔径可以为1μm～1mm。所述基体的度可以在1μm以上。所述体阻挡部的厚度可为0.5μm～200μm。329.形成于相微/纳米片之前的沟槽的截可以是规则或不规形状的，例如可以是多边形(三形、四边形或其)、圆形、椭圆形、星形等等330.前述微/纳米可以规则或不规、均匀或非均匀的布在所述基体的一表面上。331.另外，在第十实施例中，述通孔804和流体阻挡部802的状(特别是纵向或横向截面的形状)可是多样的，例如可以是圆、正方形、长方或其它形状。332.请参阅图20示，较为优选的在本技术的第十一施例中，一种过芯片包括基体901所述基体901具有相背对第一表面和第二面，且所述基体901上分布有若作为流体通道的孔904，所述第一表面上设置有多片横向连续延伸的微纳米片903形成的阵列，中微/纳米片之间形成有供流体通过的沟槽，述沟槽的开口部口径大于0但小于混杂于待处理流体内的选定颗粒的粒，其中，有多个/纳米片直接从所述通孔904上过，从而使这些微/纳米片基体之间配合形与通孔904连通的流体通道，且处理的流体仅能通过该体通道进入通孔904。333.进一步的在该实施例中，可于微/纳米片阵列上连接流阻挡部902，所述流体阻挡部902设于所述通孔904的体入口上方，使处理的流体无法绕过前述的/纳米片阵列而接进入所述通孔904。334.进一步的在通孔904周围也可设置个或若干支撑体335.该第十一施例中所采用的体、微/纳米片阵列、流体阻部、通孔、支撑体等的结构、置形式、材质等与前文述及的相或相似，故而此处再赘述。336.在本技术第十一实施例中，所述过芯片可具有与第、第二实施例相类似的结构，不之处在于，在通上还可架设有一以上的，例如对称不对称排布的多根撑梁，藉由所述撑梁还可增加对述流体阻挡部的支，实现流体阻挡部基体之间更为牢稳定的配合，并有效的对分布在流阻挡部与基体之间微/纳米片阵列形成保护，避因流体阻挡部和/或基在受到外力作用后，前述微/纳米线阵列挤压而造的微/纳米片坍塌、损等问题。337.其中，所支撑梁可以是多形态的，例如可以桥形等，且不限此。且进一步的，所支撑梁还可与其支撑体配合，例第二实施例中述及支撑体配合。338.其中，所支撑梁的数量、寸、分布密度等可据实际需要而调，但应尽量少的遮挡述通孔的流体入，避免其对所述滤芯片的流体通量成大的影响。339.该第十一施例中所采用的体、微/纳米线阵列、流体阻部、通孔等的结构、设置形式材质等可与前文及的相同或相似故而此处不再赘述340.请参阅图21示，在本技术的十二实施例中，一过滤芯片可以具与第十、第十一实例中任一者相似结构，不同之处于：在纳米片1103表面及基体1101的一表面上还设置光催化材料层1105。在以包含光化材料层1105的过滤片对流体进行处时，若辅以紫外光等，还可对流体的一些有机污染物等行光催化降解，现对流体的多重化。341.其中，为于光线透入，所流体阻挡部1102、基体、凸起部的部分或全部可以由透明料制成。在本实例的一些具体实方案中，所述流体挡部可以整体由透材料制成，例如线射入。342.其中，较典型的光催化材可以是二氧化钛等但不限于此。343.其中，为成所述光催化材层1105，本领域技术人员以采用业界已知的多种方式，例涂布(旋涂、喷涂、印刷等)、物或化学气相沉积(如mocvd、pecvd原子层沉积等)、溅射等等且不限于此。344.其中，所光催化材料层1105的厚度以被控制在纳米级以尽量减少其对所述过滤芯片的流体量的影响。345.该第十二施例中所采用的体、微/纳米线阵列、流体阻部、通孔等的结构、设置形式材质等可与前文及的相同或相似故而此处不再赘述346.请参阅图22示，较为优选的在本技术的第十三施例中，一种过芯片可以具有与第、第十一、第十实施例中任一者似的结构，不同之在于：在纳米片1203表及基体1201的一表面上还设置抗菌材料层1205。在以包含抗菌材层1205的过滤芯片对流体进处理时，可以在体的处理过程中，同步灭杀体中的细菌、病等，实现对流体多重净化。347.其中，较典型的抗菌材料以是诸如au、ag等贵金属等，但限于此。348.其中，为成所述抗菌材料1205，本领域技术人员可采用业界已知的多种方式，例如布(旋涂、喷涂、印刷等)、物理化学气相沉积(如mocvd、pecvd、原子层沉等)、溅射等等，且不限于。349.其中，所抗菌材料层1205的厚度可被控制在纳米级，尽量减少其对所述过滤芯片的体通量的影响。350.该第十三施例中所采用的基体、微/米线阵列、流体阻部、通孔等的结构、设置形式材质等可与前文及的相同或相似故而此处不再赘述351.本技术的述过滤芯片可以过物理、化学方法备，例如可以是学生长法、物理加工等，特别是mems(微机电统，microelectromechanicalsystems)法等352.在本技术第十四实施例中一种过滤芯片的制工艺可以包括如步骤：353.s1：在衬(例如硅片)的一侧表面(命为第一表面)上设置图化的光刻胶掩模；354.s2：对所衬底的第一表面行刻蚀，从而在所衬底的第一表面成彼此间隔设置的多沿横向延伸的垂纳米片，之后除所述第一光刻胶掩；355.s3：在所衬底的第一表面布可溶性或可腐蚀有机物和/或无机物，并使有机物和/或无物填充各垂直纳片之间的沟槽，形牺牲层；356.s4：在所牺牲层上设置光胶，并进行光刻；357.s5：对所牺牲层进行刻蚀使分布在所述衬底第一表面的第二域中的多根垂直纳米顶部暴露出，之除去光刻胶；358.s6：在所衬底的第一表面置光刻胶掩模，并所述衬底第一表上的、与所述流体挡部相对应的区暴露出；359.s7：在暴出的、与所述流阻挡部相对应的区内沉积形成流体挡部，再剥离除去刻胶；360.s8：在所衬底的与第一表相背对的另一侧表(命名为第三表面)上设置图形化的刻蚀模，再对所述衬的该另一侧表面行刻蚀，直至露出充在相邻垂直纳米之间的牺牲材料从而在所述衬底该另一侧表面形成孔，所述槽孔所位置与所述衬底第一表面的第一域相对应，所述衬的第一表面的第二域环绕所述第一域设置；361.s9：除去述刻蚀掩模及填在各垂直纳米片之的牺牲材料，制过滤芯片。362.前述各步中采用的刻蚀方可以是光刻、机械蚀、干法刻蚀、法刻蚀等。363.例如，在述步骤s1中，形成图形化纳米图形)的光刻胶掩模方法包括：光刻技术、米小球掩膜技术、纳米(金属)颗掩膜技术等，且限于此。364.例如，在述步骤s2中，可通过业界知的方式，例如rie、icp湿法腐蚀、电化学腐等刻蚀出垂直纳片阵列。365.例如，在述步骤s3中，填充的可溶有机物可以是光刻等或可腐蚀无机物如金属、sio2、等。366.例如，在述步骤s8中，可通过业界知的方式，例如rie、icp湿法腐蚀、电化学腐等刻蚀出所述槽。367.请参阅图23示，在本技术的十五实施例中，一过滤芯片主要用对混杂有选定颗粒流体进行处理，包括基体1300，所述基体1300具有相背对的第一表面1301和二表面1302，且述基体1300上分布有干作为流体通道的通孔1303。任一通孔1303内分布有若微/纳米线/管1400(即微米线、微米管、纳线、纳米管中的一种或多种)，尤其是纳米线/管(纳米线和/或纳米管)。述微/纳米线/管1400一端定于所述通孔1303的壁上，另一端沿所述通孔径向延伸。这些/纳米线/管2以相互交叉的形式集成为多孔结构。所述孔结构内孔洞的径大于0但小于所述选定颗粒的径。368.再请参阅24，所述多孔结构俯视的视角观察分布于所述通孔1303内的网格结构。369.其中，因述微/纳米线/管1400具有大的高径比(或者长径)，使得这些微/纳米线/1400可密集排布于所述通内，而通过调整这微/纳米线/管1400的分布密、长度等，即可流体1500中不同粒径范围的颗粒行清除处理，特别是，采用的均是纳米/管时，通过将这些纳米/管交叉形成的孔洞孔径控制在米级，不仅可以除流体中的极微的颗粒，而且因纳线/管自身直径极小还可使其对于流的阻力被控制在低的水平，并形成大的流体通量，远优于现有的多孔、基于横向流道过滤芯片等。370.其中，所基体1300可以具有较大的度，籍以进一步增所述过滤芯片的机械强度，使述过滤芯片耐压耐弯折、耐碰撞耐冲击，进而使其以在多种环境中应而不致损坏，例可以应用于对高、高速流体进行处，这一功能是现有多孔膜等无法企的。371.特别是，所述的微/纳米线/管1400分布于所述通孔1303，使得这些微/纳米线/1400实际上受到基体1300的保护，而，即使所述过芯片受到压力等，也会使这些微/纳米线/管1400被损坏372.其中，所过滤芯片各部分(1301、1302、1303)的材料选择范是多样的，可以是无机料，也可以是有材料，例如可以金属、陶瓷、聚合，等等。当这些部都选择使用无机料时，所述过滤片还具有耐温度变的特性，可以处理温和低温流体。373.采用前述计的过滤芯片可(超声)清洗，多次使用，仍旧保持良好的流体处理能力。374.当利用所的过滤芯片对流进行处理时，含有质颗粒的流体在入前述多孔结构时，中粒径大于一定值的颗粒(或一些与流体不相容液滴，例如空气中的水滴油中的水滴)被阻挡在前述多结构之外，之后体从通孔1303中流出，现对流体的净化/或者对所需颗粒(液滴)的富集回。375.在该实施的一些具体应用案中，前述微/纳米线/管1400的径可以为1nm～500μm。376.在该实施的一些具体应用案中，前述通孔1303的孔径可以1μm～1mm。377.在该实施的一些具体应用案中，前述基体的度可以在1μm以上。378.前述纳米的横向截面结构以是规则或不规则状的，例如可以多边形(三角形、四边或其它)、圆