闪存的读写原理

闪存的读写原理闪存采用MOSFET来存放数据MOSFET结构如下图aWordLine闪存采用MOSFET来存放数据MOSFET结构如下图aWordLineControlGaleFloatingGateBitLineP-substrate数据就存放在floatinggate（悬浮门）之中，一个门可以存放lbit数据如图所示，门中电压有个阈值Vth如果检测到电压超过Vth,那么便认为这个bit是0数据的写入和擦除，都通过controlgate来完成。至于具体的步骤。涉及到半导体基础知识，如果需要了解，请参考模拟电路相关书籍。这是一个比特，对于闪存来说，如图

JABitline-S0964拦Ebxtes(33,792cells)perpage{4K}wor<ihnfrSiControixJABitline-S0964拦Ebxtes(33,792cells)perpage{4K}wor<ihnfrSiControix,Gate'\.-FloM呻曲怯]Msmo-rycd>Page(4K)这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个page,—个page由33792个刚才那样的门组成。共4KByte，注意这里单位是千字节lByte=8bit这里总共有64个page，组成了一个block。wordline是字线，由其控制读取和写入，所以page是最小的读写单位而这个block是最小的擦除单位。我们知道闪存颗粒分为SLCMLCTLC这就是因为对电压的分级不同。SLC将电压分为2级，大于Vth表示0小于Vth表示1，一个CELL只表示1个bitMLC是Multi-LevelCell，将电压分为4份，分别可以表示00011011，一个CELL表示2个bitTLC是Triple-LevelCell,将电压分为8份，可以表示000001010011100101110111一个CELL表示3个bit闪存大致可以分两部分，NAND颗粒和控制器。Anobit是做控制器的，而且自己没有晶圆厂。这和ARM有点类似，即Anobit只提供设计，而不负责实际生产。苹果即便收购了Anobit也还是要从别处（比如IMFT）继续采购NAND颗粒、并且让第三方（比如三星）代工生产最终的闪存成品。所以这次收购的性质其实和之前收购P.A.Semi的性质有点类似，是苹果为了更好的整合上下游的一次技术性收购。换句话说，这次收购是为了吸纳人才和核心技术。Anobit现在两个产品线里面，企业级闪存控制器并非苹果所爱，嵌入式闪存控制器则是苹果看重的大头。从Anobit官网的说明［1］不难看出它的优势：高速、低功耗、支持20nm以下的NAND颗粒、支持MLC甚至TLCNAND颗粒（一个闪存单元存储两到三个比特位信息，意味着闪存的平均成本更低）。这些在现在的平板电脑和智能机领域都是非常吸引人的特性。Anobit宣称他们的嵌入式产品现在是业界最高性能的，若所言非虚（苹果如果出手的话，我倾向于相信这点），苹果收购Anobit将对其他需要闪存的移动设备厂商形成很大的压力苹果现在已经是全球闪存产能的最大单一采购商，如果Anobit被苹果纳入囊中并且不给竞争对手授权技术的话，其他厂商将更难在移动设备的核心存储上和苹果竞争高性能和低价格。同时有流言说苹果在考虑给亚洲的某家闪存代工厂提供巨额融资，这和前次苹果财报会议上提到的给核心部件供应商提供融资以保障供应链不谋而合。这些迹象显示苹果预期在未来一两年内有大量的闪存增量需求。给定iPhone/iPad/iPod产品线已经全线使用闪存的状况下，我认为有两个可能的解释：一是苹果预期现有使用闪存的产品线需求会大幅度上升；二是有新的产品