半导体器件的命名方法

半导体器件的命名方法1.中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15国产半导体器件的型号命名方法第一部分 第二部分用数字表示器用汉语拼音字母第三部分 第四部分第五部分用数字表用汉语拼件的电极数目 表示器件的材料和极性符意义符意义号 号二极 A N型锗材管 B 料C P型锗材D 料N型硅材料P型硅材料三极APNP型锗管B 材料CNPN型锗D 材料EPNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料用汉语拼音字母表示器件的类别 示 音字器件序号母表示规格号符* V口 意 义号P普通管微波管W稳压管C参量管Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管X低频小功率管％〉G3MHz『c〈1W)D高频小功率管％NA3MHz『C〈1W)U低频大功率(/T<3MHz,PCKN1W)高频大功率(fr^3MHz,PCN1W)光电器件开关管I可控整流器体效应器件B雪崩管J 阶跃恢复管CS场效应器件BT半导体特殊器件FH复合管PINPIN型管JG激光器件

例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。2.美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。表2-16美国半导体器件型号的命名法第一部分 第二部分 第三部分第四部分 第五部分用符号表示器用数字表示PN结用字母表示材件的等级 数目 料符号意义符号意义第一部分 第二部分 第三部分第四部分 第五部分用符号表示器用数字表示PN结用字母表示材件的等级 数目 料符号意义符号意义J军品1二极管无非军品2三极管3四极管表示不加热即半导体器件用数字表示器件登记序号符号意义2〜4位数字用字母表示同一器件的不同档次*意义表示器件改进型符号登记A、顺序B、号 C…例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。3.日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。表2-17日本半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的结构和类型用2〜3位数字表示器件登记顺序号用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型符号意义符号意义符号意义01光电器件二极管S半导体器件A高频PNP型三极管快速开关三极管2三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结的器件C高频及快速开关NPN三极管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅

GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。4.欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表-18。表2-18欧洲半导体器件命名法第一部分第一二部分第三部分第四部分用字母表示器件使用的材料用数字或字母加数字表示登记号用字母表示对同一型号器件的改进用字母表示器件的类型及土要特性符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A锗材料A检波二极管、开关二极管、混频二极管P光敏器件位代表半导体器件的ABC表示同一型号的半导B硅材料B变容二极管Q发光器件数字登记序号（同一类型器件使用一个登DE体器件在某一C砷化镓C低频小功率三极管R小功率可控硅参数方面的分D锑化锢D低频大功率三极管S小功率开关管记号）档标志R复合材料E隧道二极管T大功率可控硅F高频小功率三极管U大功率开关管一个代表专用半导体器G复合器件、其他器件X倍增二极管字母件的登记序号（同H磁敏二极管Y整流二极管位一类型器件使用一K霍尔器件Z稳压二极管数字个登记号）

L高频大功率三极管补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。常见的后缀有以下几种。（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。其代表的意义如表2-19。表2-19稳压二极管后缀字母的含义符号ABCDE允许误差％±1±2±5±10±20后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。2.5.4几种常用半导体三极管的性能1.常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。表2-20常用小功率半导体三极管特性型号极限参数直流参数交流参数类型PCM(mW)’CM(mA)V…(BR)CEO(V)’CEO(uA)CE(sat)(V)8f(MHz)%(pF)CS9011EFGHI300100180.050.3281503.5NPN39547297132CS9012EFGH600500250.50.664150PNP7896118144CS9013EF400500250.50.664150NPN7896

GH118144CS9014ABCD300100180.050.360150NPN60100200400CS9015ABCD310600100180.050.560506PNP0.760100100200400CS901631025200.050.328〜97500NPNCS9017310100120.050.528〜726002NPNCS9018310100120.050.528〜72700NPN8050100015002585〜300