标准解读

《GB/T 42969-2023 元器件位移损伤试验方法》是一项国家标准，旨在为电子元器件在受到物理位移影响时可能产生的损伤提供一套系统的试验方法。该标准适用于评估由于振动、冲击或其他形式的机械应力导致的位器件内部结构或功能变化的情况。

根据此标准，试验对象包括但不限于各种类型的半导体芯片、集成电路以及其他敏感于外部力作用下的电子元件。它定义了若干关键术语，如“位移损伤”指的是由外力引起的元器件性能下降或失效；而“试验条件”则指为了模拟实际使用环境而设定的具体参数值，比如加速度、频率范围等。

标准中详细描述了几种不同类型的测试程序，包括但不限于：

  1. 振动试验：通过特定频率和振幅的正弦波或随机振动来模拟运输过程中可能遇到的震动情况。
  2. 冲击试验：采用半正弦波形或梯形脉冲等方式施加瞬时大能量冲击，以检测元器件对突发强烈振动的抵抗能力。
  3. 重复跌落试验：模拟产品从一定高度自由落下至硬质表面的过程，考察多次摔落后元器件的状态变化。

此外，《GB/T 42969-2023》还规定了如何准备样品、选择合适的夹具固定装置、记录数据及分析结果等方面的具体要求。对于每一种试验类型，都给出了推荐的操作步骤和技术指标，确保测试过程的一致性和可比性。

遵循本标准进行的试验有助于制造商了解其产品的耐久性，并据此改进设计或生产工艺，提高最终产品的可靠性和市场竞争力。同时，也为相关行业提供了统一的质量控制依据。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2023-09-07 颁布
  • 2024-01-01 实施
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文档简介

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T42969—2023

元器件位移损伤试验方法

Displacementdamagetestmethodforcomponents

2023-09-07发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T42969—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国空间技术研究院中国工程物理研究院核物理与化学研究所西北核技术研

:、、

究院中国电子科技集团公司第四十四研究所中国科学院新疆理化技术研究所扬州大学

、、、。

本文件主要起草人罗磊于庆奎唐民朱恒静张洪伟郑春陈伟丁李利汪朝敏李豫东文林

:、、、、、、、、、、、

薛玉雄

。

Ⅰ

GB/T42969—2023

元器件位移损伤试验方法

1范围

本文件描述了元器件位移损伤的试验方法

。

本文件适用于光电集成电路和分立器件如电荷耦合器件光电耦合器图像敏感器

,(CCD)、、(APS)、

光敏管等用质子中子进行位移损伤辐照试验其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行

,、。。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

电离辐射防护与辐射源安全基本标准

GB18871

测量管理体系测量过程和测量设备的要求

GB/T19022—2003

测量不确定度评定和表示

GB/T27418—2017

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

位移损伤displacementdamage

粒子在材料中通过弹性或非弹性碰撞导致材料晶格结构损伤

。

32

.

位移损伤剂量displacementdamagedoseDDD

;

单位质量材料吸收的产生位移损伤的能量

。

注位移损伤剂量常用某种能量粒子的位移损伤等效注量来表征如质子中子等效注量来描述器

:,10MeV、1MeV

件的位移损伤

。

33

.

非电离能损non-ionizingenergylossNIEL

;

入射粒子通过非电离方式在单位距离内传递给晶格的能量

。

注非电离能损的常用单位为兆电子伏平方厘米每克2

:(MeV·cm/g)。

34

.

原位测试in-situtesting

不移动器件在辐照位置对器件进行电参数或功能性测试

,。

35

.

移位测试

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