维修员电子基础知识培训

电子产品维修基础知识培训目录

第一部分1.常见的电子元器件的分类2.常用的电子元件单位及换算3.常见元件在PCB板上的丝印4.常见电子元件误差及耐压表示方法5.贴片电阻（排阻）的识别6.电容的识别7.电感元件的识别8.二极管、三极管9.集成电路(IC)10.晶振11.光耦器的识别12.插座13.BT14.LCD第二部分1.欧姆定律2.何谓BOM3.何谓SOP4.何谓SIP5.电气性能要求6.电子故障检修方法7.PND正常工作需满足哪几个条件8.修理工常用的设备仪表9.修理工如何提高自已的技术水平(1)、电阻类(Res):电子学符号R贴片电阻、色环电阻、压敏电阻、温敏电阻(2)、电容类(Cap):电子学符号C贴片电容、安全电容、电解电容磁片电容、聚酯电容、钽电容(3)、电感类(IND):电子学符号L贴片叠层电感、贴片绕线电感色环电感、绕线电感1.常见的电子元器件的分类:

第一部分(4)、二极管(DIODE):电子学符号D贴片二极管、整流二极管、稳压二极管、阻尼二极管、发光二极管、变容二极管(5)、三极管(TRA):电子学符号Q§T(6)、开关(KEY):电子学符号SW拨档开关、按键开关(7)、集成电路(IC):电子学符号UQFP、PLCC、SOP、BGA、DIP(8)、晶振(CRYSTAL):电子学符号Y(9)、插座(JACK):电子学符号J1.常见的电子元器件的分类:(10)、光电耦合器(OPTO)(11)、变压器(12)、FUSE(保险管)

1.常见的电子元器件的分类:2.常用的电子元件单位及换算:(1)、电阻:基本单位:欧姆符号:Ω常用单位:千欧符号:KΩ兆欧符号:MΩ换算关系:1MΩ＝1000KΩ=1000000Ω(2)、电容:

基本单位:法拉符号:F

常用单位:毫法符号:mF

微法符号:μF

纳法符号:nF

皮法符号:pF

换算关系:

1F＝103mF=106μF＝109nF＝1012pF2.常用的电子元件单位及换算:(3)、电感:基本单位:亨利符号:H常用单位:毫亨符号:mH微亨符号:uH纳亨符号:nH换算关系:1H=103mH=106μH=109nH2.常用的电子元件单位及换算:(1)、贴片电阻的丝印:3:常见元件在PCB板上的丝印电阻元件代号元件位置(2)、二极管的丝印：元件位置元件位号二极管负极标识3:常见元件在PCB板上的丝印(3)、贴片三极管丝印图元件代号元件位置3.常见元件在PCB板上的丝印(4)、贴片IC的丝印:IC代号IC方向标识元件位置元件位置IC第一脚标示IC第一脚标示3:常见元件在PCB板上的丝印(5)、晶振的丝印:

晶振标识元件位置3:常见元件在PCB板上的丝印4.常见电子元件误差及耐压表示方法

(2)、耐压字母识别法:

CDJKMZ±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%+80%-20%(1)、误差字母识别法:ABC25V50V100V贴片电阻是一种外观上非常单一的元件。方形、黑色，表面有丝印标识元件值，体积小。阻值识别规则：阻值识别规则：第一、二位表示元件值有效数字，第三位表示有效数字后应乘的位数。它的允许误差应在材料的厂家编码中用误差代码来识别。例:图片中的电阻丝印为750第一、二位75

第三位0＝75*100＝75欧电阻丝印7505.贴片电阻的识别元件值读取的例子：图片中电阻的丝印为331，读取其元件值：第一、二位33X第三位1＝33X10＝330欧排阻排阻丝印820阻值识别规则：第一、二位表示元件值有效数字，第三位表示有效数字后应乘的位数.例:图片中的排阻丝印为820第一、二位82

第三位0＝82*10^0＝82欧5:贴片电阻（排阻）的识别贴片电阻有5种参数，即尺寸、阻值、允差、温度系数及包装。1．尺寸系列：贴片电阻系列一般有7种尺寸，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。不同尺寸的电阻，其功率额定值也不同。2．阻值系列：标称阻值是按系列来确定的。各系列是由电阻的允差来划分的(允差越小则阻值划分得越多)，其中最常用的是E-24(电阻值的允差为±5%)。贴片电阻表面上用三位数字来表示阻值3．允差：贴片电阻(碳膜电阻)的允差有4级，即F级，±l%；G级，±2%；J级，±5%；K级，±10%。4．温度系数：贴片电阻的温度系数有2级，即w级，±200ppm/℃；X级，±lOOppm/℃。只有允差为F级的电阻才采用x级，其它级允差的电阻一般为w级。5．包装：主要有散装及带状卷装两种。贴片电阻的工作温度范围为-55--+125℃，最大工作电压与尺寸有关：0201最低，0402及0603为50V，0805为150V，其它尺寸为200V。贴片电阻参数：(1)、贴片电容有:贴片钽电容、贴片瓷片电容、叠层贴片电容、贴片电解电容贴片钽电容:是有极性的电容，丝印上标明了电容值为6.8μF和耐压值25V。贴片钽电容容量耐压正极6:电容的识别贴片钽电容内部结构贴片瓷片电容6:电容的识别贴片瓷片电容：体积小，无极性，无丝印。基本单位pF贴片瓷片电容盘装方式1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去耦去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。电容的作用:电容的作用:3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。纸多层贴片电容6:电容的识别纸多层贴片电容:与贴片电容基本相同，材质纸质。基本单位为pF,但此电容容量一般在uF级贴片电解电容电容值耐压值负极6:电容的识别贴片电解电容:丝印印有容量、耐压和极性标示。其基本单位为μF。贴片电解电容和钽电容都有耐压和极性标示。6.电容的识别铝电解电容与其他电解电容结构特点的区别1、铝电解电容器：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。2、钽铌电解电容器：它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。3、陶瓷电容器：用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。4、云母电容器：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。5、薄膜电容器：结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。7.电感元件的识别贴片叠层电感电感（inductanceofanidealinductor）是闭合回路的一种属性。当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗，也就是电感，单位是“亨利（H）”。贴片叠层电感:外观上与贴片电容的区别很小,区分的方法是贴片电容有多种颜色其中有褐色、灰色、紫色等，而贴片电感只有黑色一种。贴片功率电感7.电感元件的识别贴片电感实例：元件值读取的例子：图一中电感的丝印为100，读取其元件值：第一、二位10X第三位0＝10X1＝10μH图二中电感的丝印为红红红，读取元件值：第一、二位22X第三位2＝22X100＝2200nH=2.2μH图一图二自感当线圈中有电流通过时，线圈的周围就会产生磁场。当线圈中电流发生变化时，其周围的磁场也产生相应的变化，此变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势（感生电动势）（电动势用以表示有源元件理想电源的端电压），这就是自感。互感两个电感线圈相互靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度，利用此原理制成的元件叫做互感器。当一根导线中拥有恒定电流流过时，总会在导线四周激起恒定的磁场。当把这根导线都弯曲成为螺旋线圈时，应用电磁感应定律，就能断定，螺旋线圈中发生了磁场。将这个螺旋线圈放在某个电流回路中，当这个回路中的直流电变化时（如从小到大或许相反），电感中的磁场也应该会发生变化，变化的磁场会带来变化的“新电流”，由电磁感应定律，这个“新电流”一定和原来的直流电方向相反，从而在短时刻内关于直流电的变化构成一定的抵抗力。只是，一旦变化完成，电流稳固上去，磁场也不再变化，便不再有任何障碍发生。电感作用电感量电感器电感量的大小，主要取决于线圈的圈数（匝数）、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大；磁心导磁率越大的线圈，电感量也越大。允许偏差允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高，允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。品质因数它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。主要参数1:通常是用贴片元件的长与宽组合在一起,表示贴片元件体积大小的一种表示,通常用英寸(Inch)(1Inch=2.54cm)2:常用贴片元件的规格有以下几种:A:0402表示该元件：长0.04Inch宽0.02InchB:0603表示该元件：长0.06Inch宽0.03InchC:0805表示该元件：长0.08Inch宽0.05InchD:1206表示该元件：长0.12Inch宽0.06InchE:1210表示该元件：长0.12Inch宽0.1InchF:0201表示该元件：长0.02Inch宽0.01Inch贴片元件规格识别3:规格图示3310.08(inch)0.05(inch)

元件规格：0805此图表示：331的电阻的规格是0805inch常见贴片元件尺寸规范介绍单位（英制）0201040206030805100812061210单位（公制）0.6x0.31.0x0.51.6x0.82.0x1.252.5x2.03.2x1.63.2x2.5注：1）此处的0201表示0.02X0.01inch，其他相同；2）在材料中还有其它尺寸规格例如：0202、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍；3）对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同，一般情况下使用英制单位称呼为多，例如一般我们在工作中会说用的是0603的电容，也有时使用公制单位例如说用1608的电容此时使用的就是公制单位。在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有更多的通用性，国际上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作，形成了相应的尺寸系列。其中在不同国家采用不同的单位基准主要有公制和英制，对应关系如下表：8.二极管、三极管(1)、二极管简介A、从封装材料分:可以分为玻璃二极管、塑封二极管；B、从半导体材分:可以分为锗材质二极管、硅材质二极管;从功能分:有开关二极管、整流二极管、发光二极管;C、不同的半导体材料特性不同，一般开关二极管采用锗二极管，整流二极管、发光二极管多采用硅二极管,一般锗二极管采用玻璃封装，硅二极管采用塑封。D、二极管有极性区分，一般二极管的负极用白色、红色或黑色色环标识，发光二极管一般用引脚长度不同来区分极性，较短的引脚为负极二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。(2)二极管的封装图片

二极管极性标示贴片玻璃二极管负极塑封二极管(2)二极管的封装图片贴片发光二极管盘装卷带1.整流整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。2.开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3.限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4.续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。二极管应用5.检波检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小，工作频率较高，一般都采用锗材料制成。6.阻尼阻尼二极管多用在高频电压电路中，能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流，一般用在电视机电路中，常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.显示用于VCD、DVD、计算器等显示器上。8.稳压这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56等。[1]9.触发触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅；，在电路中作过压保护等用途。二极管应用三极管的分类按照三极管的加工工艺可以将三极管分为NPN管，PNP管，MOS管。(3):三极管半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。截止状态：当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。饱和状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。三极管工作状态三极管工作状态NPN型,当B与E之间电压Vbe>0.5V时,如果三个管脚电压关系是Vc>Vb>Ve,则会处於放大状态;如果是Vb>Vc>Ve则会处於饱和状态(相当於开关);如果此时Ve>Vc则仍会处於截止状态.PNP型,当B和E之间电压Veb>0.5V时,如果三个管脚电压关系是Ve>Vb>Vc,则会处於放大状态;如果是Ve>Vc>Vb则会处於饱和状态(相当於开关);如果此时Vc>Ve则仍会处於截止状态.注:三极管放大状态时,导通能力大小由基极电流Ib决定,因此三极管是电流控制型元件.根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态MOS管mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。

A、SOJ封装IC（双排直列J形内侧)

9:集成电路(IC)IC的分类主要依据IC的封装形式，基本可分为:SOJ（双排内侧J形）、PLCC(四方J形引脚）、QFP（正四方)、BGA(底部球状形)、DIP（双列直插）四种形式。IC方向指示缺口IC第一脚指示SOJIC(双排直列),IC的丝印面具有型号丝印、方向指示缺口、第一脚指示标记。集成电路(IC)中央处理器（英文CentralProcessing

Unit，CPU）是一台计算机的运算核心和控制核心。CPU、内部存储器和输入/输出设备是电子计算机三大核心部件。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。CPU由运算器、控制器和寄存器及实现它们之间联系的数据、控制及状态的总线构成。差不多所有的CPU的运作原理可分为四个阶段：提取（Fetch）、解码（Decode）、执行（Execute）和写回（Writeback）。CPU从存储器或高速缓冲存储器中取出指令，放入指令寄存器，并对指令译码，并执行指令。所谓的计算机的可编程性主要是指对CPU的编程。RAM（randomaccessmemory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器（DynamicRAM,DRAM)。ROM是只读内存（Read-OnlyMemory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。集成电路(IC)Flash存储器又称闪存，全名叫FlashEEPROMMemory，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。集成电路(IC)FLASHMT29F32G08CBACA4GB镁光NANDFlashDie(LUN)FunctionalBlockDiagram8MBYTE=64MBIT1bit就是1位二进制数.

1Byte就是1个字节.1个字节是由8个二进制位组成的.

所以1Byte=8bit.SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步动态随机存储器）的简称，SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。DDR2/DDRII（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。集成电路(IC)DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，DDR3内存采用1.5V电压集成电路DDR2128MBK4T1G164QF-BCF7高速800x16PackagePinout(Topview):84ballFBGAPackage集成电路(IC)方向指示缺口型号丝印生产周期国际上采用IC脚位的统一标准：将IC的方向指示缺口朝左边，靠近自己一边的引脚从左至右为第一脚至第N脚，远离自己的一边从右至左为第N＋1脚至最后一脚。注：有部分厂家生产的IC不是用方向指示缺口来标识，而是用一条丝印来表示方向辨认脚位的方法和上述方法一样。B、PLCC(四方J形引脚)C、QFP（正四方翅形引脚）正四方IC引脚脚位辨认方法:将方向指示标记朝左并靠近自己，正对自己的一排引脚左边第一脚为IC的第一脚，按逆时针方向依次为第二脚至第N脚。QFPIC封装:在集成电路的集成量和功能的增加的同时，IC的引脚不断的增多，而IC的体积确不能增大太多，因此，IC为解决这个矛盾设计出四边都有引脚的正四方IC封装形式。IC方向标示生产周期型号丝印生产厂家D、

BGA(底部锡球引脚)BGA封装:随着技术的更新集成电路的集成度不断提高，功能强大的IC不断被设计出来，引脚不断增多QFP方式已不能解决需求，因此BGA封装方式被设计出来，它充分利用IC与PCB接触面积，大幅的利用IC的底面和垂直焊接方式，从而解决了引脚的问题。锡球引脚BGA极性标示型号丝印生产周期生产厂家10.晶振石英晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信