IRF3205场效应管的参数、工作原理及电路实例

WordIRF3205场效应管的参数、工作原理及电路实例

I（RF）3205场效应管，主要是以下几个方面：

1、IRF3205什么是管子？

2、IRF3205引脚图说明

3、IRF3205CAD模型

4、IRF3205场效应管参数

5、IRF3205用什么管子替代

6、IRF3205（工作原理）及结构

7、IRF3205场效应管特性曲线

8、IRF3205逆变器电路图

9、IRF3205继电器（驱动电路）

10、IRF3205（仿真）（模拟）电路图

11、IRF3205驱动电路

12、IRF3205其他应用

一、IRF3205什么是管子？

IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采用TO-220AB封装，工作电压为55V和110A。特点是其导通电阻极低，仅为8.0mΩ，适用于逆变器、（电机）速度控制器、（DC）-DC转换器等（开关电路）。

IRF3205是一种容易买到，价格较低的（MOSFET），具有低导通电阻。但是IRF3205具有高阈值电压，因此不适用于（嵌入式）控制器的开/关控制。

IRF3205引脚图说明

二、IRF3205引脚图说明

IRF3205场效应管总有3个引脚，具体的如下所示：

IRF3205引脚图说明

IRF3205引脚图说明

三、IRF3205CAD模型

1、IRF3205电路符号

IRF3205电路符号

2、IRF3205封装尺寸

IRF3205封装尺寸

3、IRF32053D模型

IRF32053D模型

四、IRF3205场效应管参数

N沟道功率MOSFET器件

漏源击穿电压(VBR(DSS))为55V

栅极到源极电压(Vgs)为+/-20V

栅极的（阈值电压）（Vg(th)）为2至4V

漏极（电流）(Id)为110A

脉冲漏极电流(IDM)为390A

功耗为(PD)为200W

漏源导通电阻(RDS(ON))8mΩ

门体漏电流(IGSS)为100nA

总栅极电荷(Qg)为146nC

反向恢复时间(trr)为69至104ns

峰值（二极管）恢复(dv/dt)为5V/ns

上升时间(tr)为101ns

结壳热阻(Rthjc)为75℃/W

结温（TJ）在-55至175℃之间

1、电压规格

IRF3205MOSFET的电压规格是栅源电压为+/-20V，漏源击穿电压为55v，栅极阈值电压在2到4V之间。

从IRF3205MOSFET的电压规格可以看到IRF3205是一种常见的功率器件。

2、电流规格

IRF3205MOSFET的电流值为漏极电流为110A，脉冲漏极电流值为390A，这些电流规格表明IRF3205MOSFET是一种大电流功率器件。

漏源漏电流为25uA，栅源正向漏电流为100nA，该功率器件的漏电流值较小。

3、功耗规格

IRF3205MOSFET的功耗为200W，TO-220功率MOSFET封装使其成为功耗更高的器件。

4、漏源到导通电阻

漏源导通电阻为8mΩ，是MOSFET显示的电阻值。

5、结温

IRF3205MOSFET的结温为175℃。

6、反向恢复时间(trr)

IRF3205MOSFET的反向恢复时间为69至104ns，这是开始导通之前放电所需的时间量。

7、总栅极电荷(Qg)

IRF3205MOSFET的总栅极电荷为146nC，需要向栅极注入以开启MOSFET所需的总栅极电荷。

五、IRF3205用什么管子替代

IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306和IRFB3006等MOSFET器件是IRF3205的等效器件。

大多数这些MOSFET具有几乎相同的（电气）规格，因此我们可以将它们等效使用。

在下表中，我们列出了每个MOSFET的电气规格然后进行对比，例如IRF3205与IRFB1405与IRFB4310，比较将帮助我们选择最适合我们的等效产品。

IRF3205替代型号

每个IRF3205、IRFB1405和IRFB4310MOSFET的电压规格几乎相同。IRFB4310MOSFET的电流规格和功耗值高于其他两个MOSFET器件，IRFB1405MOSFET的导通电阻值较高。

六、IRF3205工作原理及结构

IRF3205MOSFET与普通MOSFET不同，IRF3205MOSFET的栅极层有厚氧化层，可以承受高输入电压，而普通MOSFET的栅极氧化层很薄，不能承受（高压），即施加高电压会极大地影响整体性能。设备。

IRF3205MOSFET中的栅极、源极和漏极类似于BJT（双极结型（晶体管））中的基极、集电极和发射极。

源极和漏极由n型材料制成，而元件主体和衬底由p型材料制成。在衬底层上添加二氧化硅使该器件具有金属氧化物（半导体）结构。IRF3205MOSFET是一种单极器件，通过（电子）的运动进行传导。

在器件中插入绝缘层，使栅极端子与整个主体分离。漏极和源极之间的区域称为N沟道，它由栅极端子上的电压控制。

与BJT相比，MOSFET保持领先，因为BJT不需要输入电流来控制剩余两个端子上的大量电流。

IRF3205工作原理及结构

七、IRF3205场效应管特性曲线

1、IRF3205MOSFET的输出特性

下图显示了IRF3205MOSFET的输出特性，该图是用漏源电流与漏源电压绘制的。

在固定的电压范围内，电压值会相对于电流值增加。电流值增加到一定限度并变得恒定，同时电压将增加到无穷大范围。

IRF3205MOSFET的输出特性

2、IRF3205MOSFET的导通电阻特性

下图显示了IRF3205MOSFET的导通电阻特性，该图绘制了漏源导通电阻与结温的关系。

在峰值电流值处，电阻从某个极限开始，温度值向更高的值增加。导通电阻值随着结温的增加而增加，这表明在MOSFET的启动阶段电阻较低，然后会向上限增加。

IRF3205MOSFET的导通电阻特性

八、IRF3205逆变器电路图

下图为使用IRF3205的逆变电路，该图显示了使用TL494PWM模块的逆变器电路，该模块带有一个由IRF3205MOSFET制成的h桥。

1TL494模块用于产生PWM脉冲并转发到H桥电路，基于IRF3205MOSFET的H桥将PWM脉冲转换为交流（信号）。

IRF3205逆变器电路图

九、IRF3205继电器驱动电路

下图为使用IRF3205MOSFET的继电器驱动电路，MOSFET接在线圈端地。

IRF3205继电器驱动电路、

十、IRF3205仿真模拟-设计H桥

IRF3205是用于快速开关的N沟道Mosfet，因此被用来设计H桥。

这里设计了这个（Proteus）模拟，将直流电压转换为交流电压，如果仔细观察，在H桥中使用了IRF3205MOSFET：

IRF3205仿真模拟-设计H桥

同时，将IRF5210用于H-桥中的计数器。如果你运行仿真，在（示波器）上应该会显示交流正弦波