第一章 双极型半导体器件_第1页
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第一章双极型半导体器件1第1页,课件共37页,创作于2023年2月第一章双极型半导体器件§1.1半导体的基本知识§1.2

PN结§1.3半导体二极管§1.4特殊二极管§1.5半导体三极管下一页上一页首页2第2页,课件共37页,创作于2023年2月1.1.1导体、半导体和绝缘体导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体,如铁、铜、铝等。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质,其特点为:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。往纯净半导体中掺入某些杂质,会使其导电能力明显改变。§1-1半导体的基本知识下一页上一页首页3第3页,课件共37页,创作于2023年2月1.1.2本征半导体GeSi在绝对零度以下,本征半导体中无活跃载流子,不导电用的最多的半导体是硅和锗,最外层电子(价电子)都是四个。本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。形成共价键后,每个原子最外层电子是八个,构成稳定结构。+4+4+4+4共价键结构束缚电子下一页上一页首页4第4页,课件共37页,创作于2023年2月1.1.3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或铟)而形成,也称为(空穴半导体)。N型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)而形成。也称为(电子半导体)。+4+4+5+4多余电子磷原子++++++++++++++++++++++++N型半导体N型半导体中的载流子是什么?自由电子为多数载流子(多子)空穴称为少数载流子(少子)++++++++++++++++++++++++N型半导体自由电子为多子空穴是多子------------------------P型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。下一页上一页首页5第5页,课件共37页,创作于2023年2月P型半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区,也称耗尽层。§1.2PN结2.1.1PN结的形成------------------------++++++++++++++++++++++++所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。6第6页,课件共37页,创作于2023年2月1.2.2PN结的单向导电性

PN结外加正向电压:

P区接正、N区接负电压

PN结加上反向电压:

P区加负、N区加正电压PNPN内电场外电场变薄结论:PN结导通内电场外电场变厚结论:PN结截止下一页上一页首页7第7页,课件共37页,创作于2023年2月§1.3半导体二极管一、基本结构PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号:1.3PN二、伏安特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR下一页上一页首页8第8页,课件共37页,创作于2023年2月三、主要参数1.最大整流电流

IOM二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。1.3下一页上一页首页9第9页,课件共37页,创作于2023年2月3.反向电流

IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。1.3下一页上一页首页10第10页,课件共37页,创作于2023年2月4.微变电阻rDiDuDIDUDQ

iD

uDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比:显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。1.3下一页上一页首页11第11页,课件共37页,创作于2023年2月二极管:死区电压=0.5V,正向压降

0.7V(硅二极管)理想二极管:死区电压=0,正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例1:二极管半波整流1.3下一页上一页首页12第12页,课件共37页,创作于2023年2月二极管的应用举例2:tttuiuRuoRRLuiuRuo1.3下一页上一页首页13第13页,课件共37页,创作于2023年2月1.4.1稳压二极管§1.4特殊二极管1.4+符号:稳压管是一种特殊的二极管,它专门工作在反向工作区I特性曲线:工作区UZUIZ曲线越陡,电压越稳定。+稳定电压UZ下一页上一页首页14第14页,课件共37页,创作于2023年2月(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。(5)最大允许功耗稳压二极管的参数:(1)稳定电压

UZ(2)电压温度系数

U(%/℃)稳压值受温度变化影响的的系数。(3)动态电阻1.4下一页上一页首页15第15页,课件共37页,创作于2023年2月稳压二极管的应用举例1.41、已知ui=20V,UZ1=6V,求U0=?VZ1RiuiU0分析:电流通路稳压管反向击穿解:U0=6V下一页上一页首页16第16页,课件共37页,创作于2023年2月1.42、已知ui=20V,UZ1=6V,UZ1=9V,求U0=?VZ1RuiVZ2u0答案:u0=6+9=15V下一页上一页首页17第17页,课件共37页,创作于2023年2月1.4.2光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加1.4下一页上一页首页18第18页,课件共37页,创作于2023年2月1.4.3发光二极管有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。1.4下一页上一页首页19第19页,课件共37页,创作于2023年2月1.5.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§1.5半导体三极管1.5下一页上一页首页20第20页,课件共37页,创作于2023年2月BECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高1.5集电结发射结下一页上一页首页21第21页,课件共37页,创作于2023年2月NNPRBEB1.5.2电流放大原理EC集电结反偏发射结正偏发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。IE电子与基区空穴复合形成IBIB穿过集电结形成ICIC三个极电流的关系为IC与IB之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。下一页上一页首页22第22页,课件共37页,创作于2023年2月BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管1.5下一页上一页首页23第23页,课件共37页,创作于2023年2月1.5.3特性曲线ICmA

AVVUCEUBERBIBECEB

实验线路下一页上一页首页24第24页,课件共37页,创作于2023年2月一、输入特性UCE1VIB(

A)UBE(V)204060800.40.8工作压降:硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。1.5下一页上一页首页25第25页,课件共37页,创作于2023年2月二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=

IB称为线性区(放大区)。当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=

IB。1.5下一页上一页首页26第26页,课件共37页,创作于2023年2月IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A饱和区1.5截止区放大区有三个区:下一页上一页首页27第27页,课件共37页,创作于2023年2月输出特性三个区域的特点:放大区:发射结正偏,集电结反偏。即:IC=IB,且

IC

=

IB(2)饱和区:发射结正偏,集电结正偏。即:UCE

UBE

IB>IC,UCE0.3V

(3)截止区:

UBE<死区电压,IB=0,IC=ICEO

0

1.5下一页上一页首页28第28页,课件共37页,创作于2023年2月例:

=50,UCC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k当USB

=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?当USB

=-2V时:ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEIB=0,IC=0IC最大饱和电流:Q位于截止区

1.5下一页上一页首页29第29页,课件共37页,创作于2023年2月例:

=50,USC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k当USB

=2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?IC<

ICmax(=2mA),

Q位于放大区。ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V时:1.5下一页上一页首页30第30页,课件共37页,创作于2023年2月USB

=5V时:例:

=50,USC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k当USB

=5V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEQ位于饱和区,此时IC和IB

已不是倍的关系。1.5下一页上一页首页31第31页,课件共37页,创作于2023年2月三、主要参数前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数:工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为

IB,相应的集电极电流变化为

IC,则交流电流放大倍数为:1.电流放大倍数和

1.5下一页上一页首页32第32页,课件共37页,创作于2023年2月例:UCE=6V时:IB=40A,IC=1.5mA;IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中,一般作近似处理:

=1.5下一页上一页首页33第33页,课件共37页,创作于2023年2月2.集-基极反向截止电流ICBO

AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。1.5下一页上一页

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