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文档简介
2023年研究生类研究生入学考试专业课电气与电子信息-模拟电子技术历年高频考题带答案难题附详解(图片大小可自由调整)第1卷一.历年考点试题黑钻版(共50题)1.由理想运算放大器组成的电路如下图所示,电容C1、C2和C3足够大,三极管的β值很大,UBE=0.5V,UA=∞,忽略基区电阻,计算电压增益。
2.已知某晶体管电流放大系数β的频率特性如下图所示,由图可判断该管的ωβ=______,ωT=______。
3.对于单晶体管放大电路,下列描述哪个是正确的?______A.共基极放大电路的高频性能优于其他两种电路B.静态工作点的改变,只会影响动态范围,不会影响放大电路的其他指标C.对任何形式的单晶体管放大电路,晶体管的改变,不会影响静态工作点D.共射极放大电路的输入电阻最大4.设计一个放大器,电压放大倍数为11,信号为正弦波,频率为1kHz,幅度不大于1V。要求画出电路图,标明各元器件名称、型号及元器件参数,例如电阻阻值、功率、电容容量、耐压。并说明选择这种元器件的理由。5.在负反馈放大电路中,随着反馈深度的增加,则闭环电压放大倍数的稳定性将______。A.降低B.提高C.不变6.共集电路又称为电压跟随器;共基电路又称为电流跟随器。7.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载电阻后,输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻Ro=______。8.当集成运算放大器的输入偏置电流IIB=0.6μA,输入失调电流IIO=0.2μA时,则两个差分输入管的基极偏流分别为______。9.由两个三极管组成的双端输入差动放大电路______。A.具有较高的差模电压放大倍数和较低的共模电压放大倍数B.能够有效降低输出电阻和增大输入电阻C.具有较高的差模电压放大倍数和较高的共模电压放大倍数D.具有较高的功率放大倍数和较低的失真10.关于稳压管,下列说法哪个是正确的?______A.只有锗管可以作为稳压管B.稳压管的反向击穿电压必须大于6VC.发生热击穿,稳压管不会被损坏D.与普通二极管相比,硅稳压管的动态电阻较小11.对于场效应晶体管,相当于一个______控制型器件,它的控制作用可以用参数______表示。12.在由偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位______,由奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位______。13.设计一个低通二阶有源滤波器,截止频率为100Hz,通带内平坦,直流放大倍数为10。要求画出电路图,标明各元器件名称、型号及元器件参数(例如,电阻阻值、功率、电容容量、耐压),并说明选择这种元器件及参数的理由。电容可选0.1μF。14.集成运放的输入失调电压UIO是______。A.两个输入端电压之差B.输入端都为零时的输出电压C.输出端为零时输入端的等效补偿电压15.在稳压电源电路中,为了稳定输出电压,一般采用什么负反馈?16.改善放大电路低频响应的方法是采用直接耦合放大电路;改善高频响应的较好方法是采用共基电路。17.放大电路的图解分析法是针对电子器件的非线性特性的一种直观的信号分析方法。18.分别标出图1(a)和(b)所示电路的变压器的同名端,使之满足正弦波振荡的相位条件。
图119.电流并联负反馈适合于内阻较______的信号源,能够稳定较大电路的______增益。20.若希望放大器从信号源索取的电流小,可采用______负反馈;若希望电路负载变化时,输出电流稳定,则可引入______负反馈;若希望电路负载变化时,输出电压稳定,则可引入______负反馈。21.某理想乙类OCL功放电路在输出功率最大时,每管的管耗等于1W,则可知该电路所能输出的最大功率Pom≈______。22.某MOS场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,由此可判断该管的类型为______。23.电路如图1所示,试定性画出“uo1、uo2、uo3、uo4波形(只需画一个周期),设A1~A4均为理想运算放大器,电容上的初始电压为0V,R4C的值很大,uo4的变化不超出线性的范围。
图124.试设计一个Aif=10的负反馈放大电路,用于驱动RL=50Ω的负载。它由一个内阻为Rs=10kΩ的电流源提供输入信号。所用运算放大器的参数为:Ri=10kΩ,Ro=100Ω,低频电压增益Auo=104。
(1)要求只用一个运算放大器,所用电阻最少
(2)画出所设计的完整电路,并简要说明设计理由,若采用了负反馈电路需说明反馈回路的组态
(3)指出所选用电阻的阻值25.负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件为______,正弦波振荡电路的相位条件为______,放大器都工作在______条件下。26.在串联负反馈电路中,信号源内阻Rs的值越小,反馈效果越好。27.在半导体二极管中,可以用于高频开关电路的是______。A.硅稳压管B.点接触二极管C.面接触二极管D.整流管28.简单叙述N沟道增强型和耗尽型MOS管的主要区别。29.理想运算放大器在±15V供电条件下,当零输入时,其输出应为______。30.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为______。A.β增大,ICBO和UBE减小B.β和ICBO增大,UBE减小C.β和UBE减小,ICBO增大D.β,ICBO,UBE都增大31.关于场效应管,下列描述哪个是正确的?______A.N沟道JFET的输入电阻小于P沟道JFET的B.MOSFET的输入电阻一般小于JFET的C.场效应管是电流驱动型的D.场效应管是电压驱动型的32.用一定频率的方波信号去测试某放大电路的频率响应,若方波响应很好,则电路的频带较宽。33.阻容耦合放大电路在高频段电压放大倍数下降的原因是______。A.耦合电容的影响B.晶体管的结电容和导线的分布电容的存在,以及电流放大系数β的下降C.发射极旁路电容的影响34.提高电压放大电路的输入阻抗有什么好处?35.某麦克风内阻为1MΩ,输出电压为1V(有效值),如果将它直接与10Ω扬声器相接,扬声器上的电压和功率各为多少?如果在麦克风和扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻Ri=1MΩ,输出电阻Ro=10Ω,电压放大倍数为1,试求这时扬声器上的电压和功率各为多少?这个结论说明了什么?36.开关电源中续流二极管的主要作用是什么?37.在放大电路中引入深度负反馈,一定可以______。A.增加输入电阻B.提高增益稳定性C.降低输出电阻D.提高共模抑制比38.在功率放大器中,当输入信号为正弦波,输出幅度足够大时,______。A.甲类最高效率为78.5%B.甲乙类最高效率大于78.5%C.乙类比甲类、甲乙类的效率都高D.甲类效率最高39.电路如图1所示,已知Rd=4.7kΩ,Rs1=1kΩ,Rs2=1kΩ,Rg=80kΩ,Rb1=33kΩ,Rb2=10kΩ,RC=3.3kΩ,Re=1.3kΩ,Rf=10kΩ,RL=18kΩ,VCC=12V,Ce=100μF,C1=C2=C3=20μF,耗尽型VT1管的IDSS=5mA,UGS(off)=-2V,双极型晶体管VT2的参数UBE=0.7V,β=100,rbb'=200Ω,回答下列各问:
图1
(1)计算电路的静态工作点;(2)画出电路的交流通路及小信号微变等效电路;(3)计算电路的放大倍数、输入电阻及输出电阻;(4)若要在电路中引入交流电压串联负反馈,请标出所连接的反馈网络;(5)设电路为深度负反馈,估算电压增益。40.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射线为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为______状态。41.电路如图1所示,已知:稳压管VDZ的稳定电压UZ=10V,试求当R2的变化范围为0~100Ω,ui=-15V时,输出电流IL的变化范围。
图142.正弦波振荡电路的组成部分有哪些?43.由运算放大器组成的积分运算电路属于集成运放的非线性应用。44.有源滤波器与无源滤波器的区别是在电路中引入了______环节,这是为了______。45.电路如下图所示,写出输出电压“uo1、uo2、uo3、uo4、uo的表达式。
46.电流源电路在集成电路中的主要作用是______。47.分别指出下图中各图电路的功能,并说明它们的主要区别。
48.图1是一个电路的输入/输出波形。正弦波是输入波形,方波是输出波形。画出这个电路的转移特性曲线,并画出这个电路图;计算出这个电路中所用元件的参数(须写明表达式);说明选择这个电路中关键器件的原则。其中反馈电阻可选10kΩ。
图149.关于隔离放大器,下列描述哪个是正确的?______A.变压器可以用于低频信号的隔离放大B.隔离放大器的共模抑制比很低C.只要是小信号放大,都必须用隔离放大器D.隔离放大器的电压放大倍数很高50.下图所示电路工作状态正常,电容器容量足够大,只存在交流负反馈的电路是______图;只存在直流负反馈的电路是______图;交、直流负反馈都存在的是______图;存在正反馈的电路是______图。
第1卷参考答案一.历年考点试题黑钻版1.参考答案:可将电路分为两级放大电路,第一级为共射放大电路,第二级为理想运算放大电路。先算第一级放大电路的静态工作点:
所以静态电流为:
静态电压为:UCE=12-(R3+R4)IE=4V
利用小信号分析法,该共射放大电路的电压放大倍数为:
三极管的β值很大,可得:
第二级放大电路为差动放大器电路,其电压放大倍数为:
所以电压增益为:2.参考答案:4Mrad/s
400Mrad/s3.参考答案:A4.参考答案:根据放大倍数为11可知为同相比例放大器,且;根据频率为1kHz可知,放大器可用741;根据幅度不大于1V可知,电源电压需大于11V,可选15V。画出电路如下图所示。
Rf=10R1,RP=R1∥Rf。选R1=1kΩ,则Rf=10kΩ,RP=R1∥Rf=1∥10=0.91kΩ。R太小,易造成I太大;而R太大,易受温度影响,不稳定。5.参考答案:B6.参考答案:A7.参考答案:1kΩ8.参考答案:IB1=0.7μA,IB2=0.5μA9.参考答案:B10.参考答案:D[解析]稳压管一般是硅管;反向击穿电压低于6V的稳压管,发生热击穿时,超过一定电流值,稳压管会被损坏。因此正确答案为D。11.参考答案:电压
gm或跨导12.参考答案:相同
相反13.参考答案:画出电路图如图下图所示。
由图可得
即,所以有:
对此有:
因为截止频率为100Hz,则有:fn=100Hz
通带内平坦,可得:
直流放大倍数为10,则可得:Aup=10
已知C=0.1μF,又R3与R4总是同时出现,不妨设R3=R4=Rx。
可得:
所以有:Rx=1.59×104Ω=15.9kΩ
则可得:R3=R4=Rx=15.9kΩ
又,所以有:
又,所以有:
其中,放大器可选用741。14.参考答案:C15.参考答案:一般采用电压负反馈。16.参考答案:A17.参考答案:A18.参考答案:如图2所示,在题图(a)所示电路中,1和3是同名端;在题图(b)所示电路中,1和4是同名端。
图219.参考答案:小
电流20.参考答案:串联
电流
电压21.参考答案:5W22.参考答案:P沟道耗尽型MOS场效应管23.参考答案:uo1、uo2、uo3、uo4波形如图2所示。其中,A1为理想运放构成的文氏桥正弦振荡电路,其输出波形为uo1;A2为反相输入比例运算器;A3为反相输入过零比较器;A4为反相输入积分器。
图224.参考答案:画出所设计的完整电路如下图所示。
反馈电路由Rs=10kΩ的电流源提供输入信号,且Aif=10,所设计的电路为电流并联负反馈,电压放大倍数可表示为:
由此可得输入电阻为Ri=10kΩ,故:RP=10kΩ
反馈电阻为:Rf=50Ω25.参考答案:φA+φF=(2n+1)π
φA+φF=2nπ
正反馈26.参考答案:A27.参考答案:B[解析]点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路28.参考答案:从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于当栅-源极间电压Ugs=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型没有。29.参考答案:030.参考答案:B31.参考答案:D32.参考答案:A33.参考答案:B34.参考答案:提高电压放大电路的输入阻抗可以稳定输入电流,抑制温漂。35.参考答案:(1)当不接入放大器时,电路如下图(a)所示,可得:
因此有:
(2)当接入放大器时,其电路如图图(b)所示,可得:
则可得:
代入得:
因此有:
显然,当功率匹配时,接入放大器时输出功率更大。36.参考答案:主要作用是在开关管关闭时,储能电感能与续流二极管构成回路,在此种情况下,二极管是导通的。37.参考答案:B38.参考答案:C[解析]乙类功率放大器效率最高。39.参考答案:(1)由图可知基极电压为:
则可得:
VT1静态电流为:IC≈IE=1.6mA
VT1静态电压为:UCE=VCC-RCIC-IERe=4.6V
由图可知:UG=0,Us=ID(Rs1+Rs2),UGS=UG-Us=-ID(Rs1+Rs2)
已知,所以:
VT2静态工作点为:ID=0.648mA,UDS=7.66V
(2)交流通路如图2所示,电路的小信号等效电路如图3所示。
图2
图3
(3)输入电阻Ri=Rg=80kΩ
R'b=Rb1∥Rb2∥Rd∥(rds+Rs1)
计算参数:
输出电阻为:Ro=R'o∥RC≈RC=3.3kΩ,R'L=RC∥RL
放大倍数:
总的放大倍数为:Au=Au1Au2=3.7
(5)深度负反馈,,所以:
B网络:
所以有:40.参考答案:饱和41.参考答案:首先用“瞬时极性法”判别图示电路为深负反馈电路。此时理解运放A一定满足输入“虚短”和“虚断”,从而使U+=U-,I+=I-=0。
简化原电路为如图2所示电路,可得:U-=U+=-5V,I+=I-=0,IE=IL=IR2
图2
所以,当R2=0时,有:
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