三极管与场效应管的区别

三极管与场效应管的区别场效应管是场效应晶体管(FieldEffectTransistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。三股言2场效应至的国别■三顿辭导电机卧J眨用拿于.殳用少冇貝用券予^电国洌Phjf\N-Ph-p沟试M沟窗裁滴ap二如泅或更丈匸Gm二输入电酢佶TO%*11/^10u血枉宇室射舞射下.仍然m怜＜］胡好J筒笙.成啊丘*偉于焼咸舲应用厚欝C：飯耳E斯TS不可搐棒愤升夸的習号氏占碾可倒濟使用存场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。来自：/s/blog_5939cb750100eq3s.html阅读(2)评论(0)分享(1)评论|分享赞电源VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf的区别一、解释VCC：C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压；VDD：D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压；VEE：发射极电源电压,EmitterVoltage,一般用于ECL电路的负电源电压.VSS：S=series表示公共连接的意思，通常是指电路公共接地端电压。VPP：不同芯片对Vpp的定义稍有不同，比如电压峰峰值，单片机中Vpp多数定义为编程电压Vddf：Vddf为Flash(闪存)供电的外部电压二、说明1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。3、在场效应管(或COMS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。4、一般来说VCC我拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源另外一种解释：Vcc和V?e出现在双极型晶体管电路中，和集电极(collector)发射极(emitter)有关，所以一正一负。Vdd,Vss在MOS电路中出现，和漏级(Drain),源极(Source)有关，也是一正一负。Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见V?e和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc来源于集电极电源电压,CollectorVoltage,一般用于双极型晶体管,PNP管时为负电源电压,有时也标成-Vcc,NPN管时为正电压.Vdd来源于漏极电源电压,DrainVoltage,用于MOS晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用PMOS晶体管,所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上.

Vss源极电源电压,在CMOS电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地.Vee发射极电源电压,EmitterVoltage,一般用于ECL电路的负电源电压.Vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路.什么是0C门？什么是0D门？什么是集电极开路（OC）?我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极管为反相之用，使输入为"0"时，输出也为"0"）。对于图1，当左端的输入为“0”时，前面的三极管截止（即集电极C跟发射极E之间相当于断开），所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上，右边的三极管导通（即相当于一个开关闭合）；当左端的输入为“1”时，前面的三极管导通，而后面的三极管截止（相当于开关断开）。由软曲桂制耳JI时巨魁不谥拦氐戏乎B7-亠费番由软曲桂制耳JI时巨魁不谥拦氐戏乎B7-亠费番muLLh出我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制，“1”时断开，“0”时闭合。很明显可以看出，当开关闭合时，输出直接接地，所以输出电平为0。而当开关断开时，则输出端悬空了，即高阻态。这时电平状态未知，如果后面一个电阻负载（即使很轻的负载）到地，那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了，所以这个电路是不能输出高电平的。再看图三。图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合，则有电流从1K电阻及开关上流过，但由于开关闭和时电阻为0（方便我们的讨论，实际情况中开关电阻不为0，另外对于三极管还存在饱和压降），所以在开关上的电压为0，即输出电平为0。如果开关断开，则由于开关电阻为无穷大（同上，不考虑实际中的漏电流），所以流过的电流为0，因此在1K电阻上的压降也为0,所以输出端的电压就是5V了，这样就能输出高电平了。但是这个输出的内阻是比较大的（即1KQ）,如果接一个电阻为R的负载，通过分压计算，就可以算得最后的输出电压为5*R/（R+1000）伏，即5/（l+1000/R）伏。所以，如果要达到一定的电压的话，R就不能太小。如果R真的太小，而导致输出电压不够的话，那我们只有通过减小那个1K的上拉电阻来增加驱动能力。但是，上拉电阻又不能取得太小，因为当开关闭合时，将产生电流，由于开关能流过的电流是有限的，因此限制了上拉电阻的取值，另外还需要考虑到，当输出低电平时，负载可能还会给提供一部分电流从开关流过，因此要综合这些电流考虑来选择合适的上拉电阻。如果我们将一个读数据用的输入端接在输出端，这样就是一个IO口了（51的IO口就是这样的结构，其中P0口内部不带上拉，而其它三个口带内部上拉），当我们要使用输入功能时，只要将输出口设置为1即可，这样就相当于那个开关断开，而对于P0口来说，就是高阻态了。什么是漏极开路（OD）？对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD,原理分析是一样的。另一种输出结构是推挽输出。推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关，当要输出高电平时，上面的开关通，下面的开关断；而要输出低电平时，则刚好相反。比起OC或者OD来说，这样的推挽结构高、低电平驱动能力