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文档简介

一种共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构的制作方法引言在现代计算机领域，存储器件的发展和创新一直是推动计算性能提升的关键。随着计算需求的不断增长，人们对高速、高密度的存储器件的需求也越来越迫切。本文介绍了一种基于共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构的制作方法，该方法可以满足高速、高密度存储需求，并具备良好的可扩展性和可靠性。背景传统的计算机存储器件包括静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM），但它们都存在功耗大、面积大、可靠性低等问题。相比之下，Flash存储器具有非常高的存储密度和可擦写性，但其读写速度较慢。因此，研究人员一直在探索如何在Flash存储器内实现计算功能，以提高计算性能和存储密度。方法1.共浮栅型Flash存内计算器件共浮栅型Flash存内计算器件是一种在Flash存储单元内集成计算功能的新型存储器件。它包括浮栅传输门、加法器和寄存器等部分，并且具备可编程的存储单元。其制作方法如下：1.1Flash存储单元的制作准备硅衬底，进行刻蚀、清洗等工艺步骤，形成硅氧化物（SiO2）隔离层。制作主浮栅，通过化学气相沉积（CVD）在硅氧化物上生长一层多晶硅。制作场氧化物（FOX），通过在主浮栅上生长一层氧化硅形成。制作控制浮栅，通过CVD在氧化硅上生长一层多晶硅。进行刻蚀和离子注入，形成源和漏极。通过金属化工艺步骤制作接触电极和金属导线。1.2加法器和寄存器的制作制作加法器的逻辑电路，通过布线、刻蚀等工艺步骤，在硅衬底上形成逻辑门电路。制作寄存器的逻辑电路，同样通过布线、刻蚀等工艺步骤，在硅衬底上形成逻辑门电路。利用金属化工艺步骤制作加法器和寄存器的接触电极和金属导线。2.共浮栅型Flash存内计算器件阵列结构共浮栅型Flash存内计算器件阵列结构是一种在Flash存储单元组成的阵列中实现计算功能的存储器件结构。其制作方法如下：准备多个Flash存储单元，制作各个存储单元的浮栅传输门、加法器和寄存器等部分，具体制作方法参考上述第1部分。在硅衬底上进行布线和刻蚀，将各个Flash存储单元互联起来，形成阵列结构。在阵列结构中添加控制逻辑，用于控制计算和存储操作的顺序和时序。利用金属化工艺步骤制作阵列结构中的接触电极和金属导线。优势高速性:共浮栅型Flash存内计算器件具有较高的计算速度，能够满足计算需求的高效率和低延迟性。高密度:由于共浮栅型Flash存内计算器件与存储单元集成在一起，能够实现计算和存储一体化功能，从而大大提高存储密度。可扩展性:共浮栅型Flash存内计算器件阵列结构具备良好的可扩展性，可以根据需求进行灵活的扩展和布局。可靠性:制作方法采用传统的工艺步骤，保证了制造过程的可靠性和稳定性。结论本文介绍了一种共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构的制作方法，该方法能够在Flash存储器内实现计算功能，提

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