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文档简介
刘布氏第4章MOSFET及其放大电路LBM刘布氏第4章场效应管及其放大电路FET原理1.了解FET分类、电路符号。2.理解N-MOSFET工作原理;沟道状态与工作分区。放大区vcs和vps对i的影响。二、FET的特性曲线(N-MOSFET)1.理解i~v转移特性曲线、i~v输出特性曲线及其参变量ves;2.掌握ib~vcs之间的平方律公式、FET的偏置电路1.电路结构;2.静态工作点的联立求解方法。LBM刈本民四、FET的小信号模型1.理解gn的含义及计算式2.理解含义;3.完整小信号模型;4.掌握低频小信号模型。五、FET的CS和cD组态放大器熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。LBM刘布氏重点、难点知识点1、基本结构及其导电机理2、伏安特性及其两种表达方式3、基本放大电路的静态与动态参数4、基本放大电路技术指标定义与分析LBM刘布氏第4章MOSFET放大电路4.1结型场效应管4.1.1.结型场效应管的结构(以N沟为例):两个PN结夹着一个N型沟道三个电极:G:栅极D:漏极P、S
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