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文档简介

压电式传感器和霍尔式传感器第1页,课件共62页,创作于2023年2月5.2.1霍尔元件的基本工作原理霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,得到广泛的应用。可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。特点:霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高,耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。第2页,课件共62页,创作于2023年2月1霍尔效应金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。第3页,课件共62页,创作于2023年2月如图所示,半导体材料的长、宽、厚分别为L、和d。在与x轴相垂直的两个端面C和D上各装一个金属电极,称为控制电极。在控制电极上外加电压u,材料中便形成一个沿x方向流动的电流I,称为控制电流。在z轴方向的磁场作用下,电子将受到一个沿y轴负方向力的作用,这个力就是洛仑兹力。它的大小为:FL=-qvBzxyIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极第4页,课件共62页,创作于2023年2月2霍尔电势

电荷的聚积必将产生静电场,即为霍尔电场,该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为式中EH为霍尔电场,q为载流子电荷,UH为霍尔电势。当FL=FE时,电子的积累达到动平衡,即所以5-1第5页,课件共62页,创作于2023年2月由上式式可见,霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度,它随载流体材料的不同而不同。材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征,所谓载流子迁移率是指在单位电场强度作用下,载流子的平均速度值。载流子迁移率用符号μ表示,μ=v/EI。其中EI是C、D两端面之间的电场强度。它是由外加电压U产生的,即

。因此可以把电子运动速度表示为。这时上式可改写为当材料中的电子浓度为n时,有如下关系式:

I=nqbdv即(5-2)第6页,课件共62页,创作于2023年2月将5-2代入5-1,得第7页,课件共62页,创作于2023年2月令RH

则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度,所以,半导体霍尔系数大于导体。3霍尔系数及灵敏度则第8页,课件共62页,创作于2023年2月KH

为霍尔元件的灵敏度。由上式看出:霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关,还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好,霍尔元件灵敏度的公式可知,霍尔元件的厚度d与KH

成反比。令则第9页,课件共62页,创作于2023年2月1)霍尔电压UH与材料的性质有关

n愈大,KH愈小,霍尔灵敏度愈低;

n愈小,KH愈大,但n太小,需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料通过以上分析可知:第10页,课件共62页,创作于2023年2月2)霍尔电压UH与元件的尺寸有关

d愈小,KH愈大,霍尔灵敏度愈高,所以霍尔元件的厚度都比较薄,但d太小,会使元件的输入、输出电阻增加。霍尔电压UH与控制电流及磁场强度成正比,当磁场改变方向时,也改变方向。第11页,课件共62页,创作于2023年2月3)霍尔电势与磁感应强度的方向有关若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ,则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为Bcosθ,因此

UH=KHIBcosθ第12页,课件共62页,创作于2023年2月4)P型半导体,其多数载流子是空穴,也存在霍尔效应,但极性和N型半导体的相反。5)霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比,只要测出UH

,那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。第13页,课件共62页,创作于2023年2月4霍尔元件的基本结构及特性1)霍尔元件的基本结构组成由霍尔片、四根引线和壳体组成,如下图示。第14页,课件共62页,创作于2023年2月1,2—控制电流端3,4—霍尔电势端第15页,课件共62页,创作于2023年2月2)额定控制电流IC和最大控制电流ICm霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流IC。在相同的磁感应强度下,IC值较大则可获得较大的霍尔输出。霍尔元件限制IC的主要因素是散热条件。一般锗元件的最大允许温升ΔTm<80℃,硅元件的ΔTm<175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的IC就是最大控制电流ICm

。第16页,课件共62页,创作于2023年2月3)输入电阻Ri和输出电阻R0Ri

是流过控制电流的电极间的电阻值R0

是霍尔元件的霍尔电势输出电极间的电阻可以在无磁场即B=0和室温(20±5)℃时,用欧姆表等测量。第17页,课件共62页,创作于2023年2月

在额定控制电流Ic

之下,不加磁场即B=0时,霍尔电极间的空载霍尔电势UH≠0,称为不平衡(不等位)电势,单位为mV。一般要求霍尔元件的UH<1mV,好的霍尔元件的UH小于0.1mV。不等位电势和额定控制电流Ic之比为不等位电阻RM,即

4)不等位电势UM和不等位电阻RM第18页,课件共62页,创作于2023年2月

不平衡电势UH是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电流I流过时,即使未加磁场,A、B两电极此时仍存在电位差,此电位差被称为不等位电势(不平衡电势)UH。第19页,课件共62页,创作于2023年2月5集成霍尔传感器集成霍尔传感器是利用集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的一种传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限,实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器与分立相比,由于减少了焊点,因此显著地提高了可靠性。此外,它具有体积小、重量轻、功耗低等优点,正越来越爱到众的重视。集成霍尔传感器的输出是经过处理的霍尔输出信号。按照输出信号的形式,可以分为开关型集成霍尔传感器和线性集成霍尔传感器两种类型。第20页,课件共62页,创作于2023年2月(一)开关型集成霍尔传感器第21页,课件共62页,创作于2023年2月开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。电路的工作原理是:第22页,课件共62页,创作于2023年2月1)图中的霍尔元件是在N型硅外延层上制作的,N型硅的各项参数很适合做霍尔元件。2)由于在制造工艺中采用了光刻技术,电极的对称性好,零位误差大大减小。3)由于厚度d很小,提高了霍尔元件的灵敏度。4)在0.1T磁场作用下,元件开路时可输出20mV左右的霍尔电压。5)霍尔输出经前置放大的后送到史密特触发器,通过整形成为矩形脉冲输出。6)当B为0时,UH=0。第23页,课件共62页,创作于2023年2月第24页,课件共62页,创作于2023年2月

1)集成霍尔传感器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应。其回差宽度ΔB为ΔB=B(H→L)-B(L→H)2)开关型集成霍尔传感器的这一特性,正是我们所需要的,它大大增强了开关电路的抗干扰能力,保证开关动作稳定,不产生振荡现象。第25页,课件共62页,创作于2023年2月(二)线性集成霍尔传感器线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其输出信号与磁感应强度成比例。通常由霍尔元件、差分放大、射极跟随输出及稳压四部分组成,其典型线路如下图所示。全电路的增益可设置到1000倍左右,与分立元件霍尔传感器相比,灵敏度大为提高。第26页,课件共62页,创作于2023年2月第27页,课件共62页,创作于2023年2月6测量电路1)基本测量电路激励电流由电压源E供给,其大小由可变电阻来调节。RL为输出霍尔电势UH的负载电阻,通常为显示仪表或放大器的输入阻抗。由于霍尔电动势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电动势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的数值从几毫安至几十毫安不等。第28页,课件共62页,创作于2023年2月

为了获得较大的霍尔输出电势,可以采用几片叠加的连接方式。下图(a)为直流供电,控制电流端并联输出串联。下图(b)为交流供电,控制电流端串联变压器叠加输出。2)连接方式第29页,课件共62页,创作于2023年2月3)差分放大电路霍尔元件的输出电压一般较小,需要用放大电路放大其输出电压。为了获得较好的放大效果,需采用差分放大电路。第30页,课件共62页,创作于2023年2月4)仪用放大电路使用一个运算放大器时,霍尔元件的输出电阻可能会大于运算放大器的输入电阻,从而产生误差,采用下图所示的电路,则不存在这个问题。第31页,课件共62页,创作于2023年2月

不等位电势是霍尔元件在加控制电流而不加外磁场时,而出现的霍尔电势称为零位误差。在分析不等位电势时,可将霍尔元件等效为一个电桥,如右图所示。控制电极A、B和霍尔电极C、D可看作电桥的电阻连接点。它们之间分布电阻R1、R2、R3、R4构成四个桥臂,控制电压可视为电桥的工作电压。6)不等位电势的补偿第32页,课件共62页,创作于2023年2月

理想情况下,不等位电势UM=0,对应于电桥的平衡状态,此时R1=R2=R3=R4。如果霍尔元件的UM≠0,则电桥就处于不平衡状态,此时R1、R2、R3、R4的阻值有差异,UM就是电桥的不平衡输出电压。只要能使电桥达到平衡的方法都可作为不等位电势的补偿方法。第33页,课件共62页,创作于2023年2月基本补偿电路

霍尔元件的不等位电势补偿电路有多种形式,下图为两种常见电路,其中RW是调节电阻。基本补偿电路没有考虑温度变化的影响。当温度发生变化,需要重新进行平衡调节。第34页,课件共62页,创作于2023年2月7应用实例霍尔元件具有结构简单、工艺成熟、体积小和频带宽等特点,因此得到广泛的应用。保持霍尔元件的控制电流恒定不变,就可测量磁感应强度B,以及位移、角度等可直接转换为B的物理量,进一步还可以测量先转换成位移或角度,然后间接转换为B的物理量,如振动、压力、速度、加速度、转速等。此外,任何非电量只要能转化为位移的变化,均可利用霍尔式位移传感器的原理变换成霍尔电动势,从而实现这样的非电量的测量。霍尔电势是关于I、B、

三个变量的函数,即UH=KHIBcos

。利用这个关系可以使其中两个量不变,将第三个量作为变量,或者固定其中一个量,其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。第35页,课件共62页,创作于2023年2月1)霍尔式压力传感器第36页,课件共62页,创作于2023年2月霍尔式压力传感器由两部分组成:一部分是弹性敏感元件的波登管用以感受压力P,并将P转换为弹性元件的位移量x,即x=KPP,其中系数KP为常数。另一部分是霍尔元件和磁系统,磁系统形成一个均匀梯度磁场,如右图所示,在其工作范围内,B=KBx,其中斜率KB为常数;霍尔元件固定在弹性元件上,因此霍尔元件在均匀梯度磁场中的位移也是x。这样,霍尔电势UH与被测压力P之间的关系就可表示为UH=KHIB=KHIKBKPP=KP式中KHIKBKP=K—霍尔式压力传感器的输出灵敏度。第37页,课件共62页,创作于2023年2月2)将被测量转换为I与B的乘积右图为霍尔式单相交流功率计的基本电路。设输入电压BiRuicUHZL经过降压电阻R得到霍尔元件的控制电流负载ZL上的电流流过铁心线圈,产生垂直于霍尔平面的交变磁感应强度B,且B正比于i,即第38页,课件共62页,创作于2023年2月霍尔输出电势uH=KHiCB将前两式代入上式可得式中K=KHK1K2—常系数若求uH的平均值,则上式中cos(2ωt+φ)为零,因此通过测出平均霍尔电势,即可求出负载ZL上的有功功率。第39页,课件共62页,创作于2023年2月将图中的电阻改用电容C代替,则使iC产生90º相移,同理可得

可见利用霍尔元件也可测量单相负载上的无功功率。

若使用三个串联的霍尔元件和适当的电路,则可测量三相负载上的有功功率和无功功率。第40页,课件共62页,创作于2023年2月3)霍尔特斯拉计(高斯计)

第41页,课件共62页,创作于2023年2月高斯计:接受所测物体的电磁波频率,然后转换成参数量显示出来。主要用来测试高电压环境电磁波特斯拉计:主要是检测磁体单位面积磁通量的多少,也就是检测磁感应强度。第42页,课件共62页,创作于2023年2月霍尔高斯计(特斯拉计)的使用

霍尔元件磁铁第43页,课件共62页,创作于2023年2月4)霍尔传感器用于测量磁场强度

霍尔元件测量铁心气隙的B值第44页,课件共62页,创作于2023年2月5)霍尔转速表

在被测转速的转轴上安装一个齿盘,也可选取机械系统中的一个齿轮,将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化,霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。SN线性霍尔磁铁第45页,课件共62页,创作于2023年2月霍尔转速表原理

当齿对准霍尔元件时,磁力线集中穿过霍尔元件,可产生较大的霍尔电动势,放大、整形后输出高电平;反之,当齿轮的空挡对准霍尔元件时,输出为低电平。第46页,课件共62页,创作于2023年2月6)霍尔转速传感器在汽车防抱死装置(ABS)中的应用

若汽车在刹车时车轮被抱死,将产生危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。带有微型磁铁的霍尔传感器钢质霍尔第47页,课件共62页,创作于2023年2月7)霍尔转速表的其他安装方法

只要黑色金属旋转体的表面存在缺口或突起,就可产生磁场强度的脉动,从而引起霍尔电势的变化,产生转速信号。霍尔元件磁铁第48页,课件共62页,创作于2023年2月8)霍尔式无刷电动机

霍尔式无刷电动机取消了换向器和电刷,而采用霍尔元件来检测转子和定子之间的相对位置,其输出信号经放大、整形后触发电子线路,从而控制电枢电流的换向,维持电动机的正常运转。由于无刷电动机不产生电火花及电刷磨损等问题,所以它在录像机、CD唱机、光驱等家用电器中得到越来越广泛的应用。普通直流电动机使用的电刷和换向器第49页,课件共62页,创作于2023年2月光驱用的无刷电动机内部结构第50页,课件共62页,创作于2023年2月1.由于无电刷,没有磨损问题,寿命长、可靠性高。2.具有良好的旋转特性,可以取得很宽的转速特性、噪音低、起动转矩为额定转矩的2~3倍、稳定性好。第51页,课件共62页,创作于2023年2月无刷电动机在电动自行车上的应用

电动自行车可充电电池组无刷电动机第52页,课件共62页,创作于2023年2月9)霍尔式接近开关

当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时,霍尔式接

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