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文档简介

24光刻技术24.1光刻工艺概述24.2光刻胶24.3涂胶244对位和曝光24.5显影光刻光刻胶和刻蚀.24光刻技术24.1光刻工艺概述24.2光刻胶24.3涂胶244对位和曝光24.5显影基板光刻胶基板↑↑↑24.1光刻基板紫外光工艺概述掩模板基板基板基板基板光刻胶基板↑↑↑24.1光刻基板紫外光工艺概述掩模板基板基板基板2、光刻胶的组成成分功能聚合物当被曝光时,聚合物结构由可溶变为聚合(或反之)溶剂稀释感光剂调节化学反应添加剂工艺效果(如染色剂等)未反应的归一化膜厚1.03光刻胶的特性灵敏度曲线0.5(1)灵敏度入射剂量(C/cm2)0100通常负胶的灵敏度高于正胶。2)分辨率光刻工艺中影响分辨率的因素有:光源、曝光方式和光刻通常正胶的分辨率要高于负胶(3)对比度对比度的定义为D100对比度是图中对数坐标下对比度曲线的斜率,表示光刻胶通常正胶的对比度要高于负胶。正胶和负胶比较PRPRFilmSubstrateSubstrate24.3涂胶一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度1)滴胶2)加速旋转3)甩掉多4)溶剂挥发余的胶2.4.4对位和曝光

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