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文档简介

器能再次被（程序循环等）单元附近（顺序、程序循环、数组等）息在几个级别的器中必须保持相同的值1.2器1.2器 不必要的等待周期，减少数据时间，数相应带宽分别为528MB/S800MB/S和DDR（DoubleDataRate）SDRAM：双称为双倍速率SDRAM。DDRSDRAM可以 2）SDRAM：DDR2内存拥有两倍于DDR内存预能力，即:DDR24倍外部总线的频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可达到400MHz。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了DDR3（DoubleDataRate3）SDRAM：的优势。DDR3内存工作电压1.5V，DDR3内存预能力为DDR2的二倍。 （SmartMedia）卡、CF(CompactFlash)卡，MMC（MultiMediaCard）卡、SD（SecureDigital）卡和棒（MemoryStick）等。Mask 一一 二． 四．五．单元电DD1”：T1截止，T2“0”：T2截止，T1导通字选线低电平，T5T6截T5T5BDD1”：T1截止，T2“0”：T2截止，T1导通字选线低电平，T5T6截T5T5BDD1”：T1截止，T2“0”：T2截止，T1导通字选线低电平，T5T6截DTDTCsCs ，状态不能长久保持，在电荷泄漏 DTDTDTV':DdDV=V'-d )·C/(C+Cssd假定假定C d= ，Vpre＝2.51时,V =0,V=DV(1)=(3.5v-2.5v)·1DV(0)=(0v-2.5v)·1/(1/(1 )=19.6)=－49DT 放大器(SenseAmplifier)。 TTSenseAmplifierActivateWordlineActivate

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