提职申请报告

提职申请报告软件与微电子学院XXX2004年5月12日个人简历教学工作科研工作社会工作主要内容2004年5月12日简历1991.7在北京大学计算机系获硕士学位2001.7在北京大学计算机系获博士学位1991.7-至今

，北京大学软件与微电子学院任教1995－1996香港科大，访问学者，显示用IC设计1999.7-至今，北京大学软件与微电子学院副教授2004年5月12日教学工作

承担的课程本科生课程2门，研究生课程2门，其中根底课或专业根底课2门1、主讲研究生专业根底课?高等半导体器件物理?连续讲授了四年〔01，02，03，04年〕借鉴国外优秀教材，实现了课程更新，由过去的以传统器件为主转变为以当代微电子学中的主流器件为主线，并介绍集成电路进入纳米尺度后的各种新效应、新结构、新器件的课程体系取得了较好效果，并建立了较为完整的课件2004年5月12日2、主讲本科生根底课?微电子与电路根底?2004年起开始主讲这门新课之前合作讲授?微电子学概论?3年〔00、02、03〕3、连续5年开设本科生实验课?微电子学专业实验?自2000年起对微电子学专业实验进行了全面更新，由以前分散的半导体材料和器件测试实验转变为系统的IC设计和测试实验。4、合作开设研究生限选课程?纳米半导体器件?已讲授了5年，每次都根据微电子学的开展进行更新教学工作2004年5月12日指导硕士研究生4名，2003年7月毕业1名〔陈松涛〕协助韩汝琦教授指导博士研究生5名合作出版教材/讲义3本，其中?微电子学概论?，张兴、黄如、刘晓彦，2002年全国普通高等学校优秀教材二等奖教学工作2004年5月12日科研工作小尺寸半导体器件模拟蒙特卡罗器件模拟流体动力学器件模拟超深亚微米MOSFET器件模型新型器件结构主要研究领域2004年5月12日小尺寸半导体器件模拟作为负责人建立了包括全能带半导体器件蒙特卡罗模拟软件和全流体动力学器件模拟软件的半导体器件模拟平台。包括了一系列的创新性成果：提出了电子隧穿势垒的蒙特卡罗模拟方法；首次提出了基于量子波尔兹曼方程的MC模拟方法，实现了多维量子效应的MC模拟；在流体动力学器件模拟中提出双量子效应修正方法为半导体器件的研究和设计提供了先进的CAD工具。成为国内唯一同时拥有这两种自主知识产权软件的单位，并受到了国际同行的关注。大大提升了北京大学在半导体器件模拟领域的水平和知名度。2004年5月12日小尺寸半导体器件模拟全能带蒙特卡罗半导体器件模拟软件已推广到中科院微电子中心使用，并完成了国防科技预研工程“深亚微米－纳米器件物理研究〞的器件模拟局部，并通过鉴定，鉴定委员会认为：“该软件为深亚微米/纳米半导体器件的设计提供了强有力的分析工具。该工作有所创新，并已进入该研究领域的国际先进水平。〞该软件已在973和自然基金工程中应用，并被富士通和三星公司采用。全流体动力学半导体器件模拟软件该软件已在973工程、自然基金和富士通工程中应用。通过验收。2004年5月12日超深亚微米MOSFET器件模型提出了一系列深亚微米MOSFET量子效应的模型并建立了与BSIM3兼容的整套器件模型相关论文在国际学术会议上宣读获奖,在国际刊物发表并被他人引用，完成了国防科技预研工程“深亚微米－纳米器件物理研究〞的器件模型局部的工作，并通过鉴定，鉴定委员会认为：“所开发的这整套器件模型，可为MOSFET的设计和优化提供根底〞。完成了2项863工程，通过了验收。提出了新结构器件模型首次提出可描述高K栅介质MOSFET的器件模型。相关论文在IEEEElectronDeviceLetter上发表。作为负责人，开发了通用的半导体器件特性参数及模型参数提取软件包集成电路工艺和集成电路设计之间的桥梁作用。通过了863工程的验收。2004年5月12日新型器件结构新器件结构的研究及优化设计提出了基于积累模式的n沟SBTT提出了SOISBTT、双栅SBTT亚100nmSOI肖特基势垒隧道晶体管的制备设计了栅长为100nm－60nm的新型n沟SOISBTT利用我们提出的新型微细加工技术制备成功了70nm的n沟SOISBTT，在ElectronicLetter上发表。2004年5月12日主持国家级工程4项，总经费378万元，到校经费总额144.6万元。参加国家级工程1项，省部级工程3项，到校经费总额216.5万元。主持其他工程3项，到校经费总额8.02万美元承担的科研工程科研工作2004年5月12日主持的国家级科研工程目前承担的国家级工程973工程：适于20~50纳米的器件模型、仿真及模拟软件根底研究；2000.5-2005.5,300万；课题负责人〔北大：刘晓彦；清华：余志平〕国家自然科学基金重大研究方案工程：双栅肖特基隧道晶体管〔30万元〕；2004.1－2006.12,课题负责人完成的国家级工程国家八六三方案预启开工程：超深亚微米设计关键技术，2001.3-2001.8,课题负责人，17万，通过验收国家八六三方案工程：VDSM器件与互连线建模关键技术研究2002.9-2003.12,课题负责人，36万，通过验收2004年5月12日主持的其它科研工程三星公司：Devicemodelingandsimulationfornano-scalenon-planarMOSFETs，2003.8－2004.7,负责人，10.02万美元目前承担的工程富士通公司：DevicesimulationforSBTT，2000.7－2001.6，负责人之一〔韩汝琦〕，4万美元富士通公司：Semiconductordevicesimulation，2000.7－2001.6，负责人之一〔韩汝琦〕，4万美元已经完成的工程2004年5月12日参加的科研工程国防科技预研工程?深亚微米/纳米硅器件及其物理研究?1996.01-2000.12，器件模型和模拟，150万元，通过验收教育部科学技术研究重点工程?突破微电子器件物理限制假设干关键问题的研究，子课题负责人，15万元，通过验收国防科技预研基金工程：深亚微米半导体器件的蒙特卡罗模拟1999.9－2001.9,工程负责人之一，7.5万元，评议为优目前参加的科研工程国家八六三方案工程：0.09umCMOS集成电路大生产工艺与可制造性，负责器件模型建立，2003.6－2005.10已经完成的工程2004年5月12日科研工作合作出版译著1部，著作1部，教材1部在国内外学术刊物和重要学术会议上发表论文30余篇。被SCI收录13篇，EI收录18篇，被ISTP收录8篇。2篇论文被他人引用3次SCI/EI收录第一作者4篇，第二作者8篇作为第一撰稿人完成GF报告2篇，863工程验收报告2篇。主要论著2004年5月12日论〔译〕著：S.Sze主编，刘晓彦、贾霖、康晋锋译?当代半导体器件物理?〞〔译著〕，科学出版社，2001年6月，全书共八章，本人翻译了其中的第三、五、八章并负责全书的初审和统稿张兴、黄如、刘晓彦?微电子学概论?，北京大学出版社，1999年9月，全书共九章，本人编写了第二章半导体物理及半导体器件物理根底和第三章集成电路根底。该书获2002年全国普通高等学校优秀教材二等奖。2003年又完成了该书第二版的修改工作。甘学温,黄如,刘晓彦,张兴?纳米CMOS器件?，科学出版社，2003年8月，全书共六章，本人编写了第四章纳米CMOS器件中的栅工程。讲义：1、刘晓彦韩德栋?微电子学专业实验?，校内讲义2002年7月，2003年7月修改主要论著2004年5月12日论文：XiaoyanLiu,JinfengKang,RuqiHan,DirectTunnelingCurrentModelforMOSDeviceswithUltra-thinGateOxideIncludingQuantizationEffectandPolysiliconDepletionEffect,SolidStateCommunication，Vol125,n3-4,January,2003,p219-223，被SCI、EI收录〔引用因子1.671〕LiuXiaoyan,KANGJinfeng,HANRuqi,GateCurrentforMOSFETswithHighKDielectricMaterials,ChineseJ.SemiconductorVol23,n10,October,2002,p1009-1013，被EI收录XiaoyanLiu,JinfengKang;LeiSun,RuqiHan.ThresholdVoltageModelforMOSFETswithHigh-KGateDielectricsIEEEElectronDeviceLett.Vol.23,No.8,2002,270,被SCI、EI收录(引用因子2.619〕XiaoyanLiu,JinfengKang,RuqiHan,TheInfluenceofTunnelingEffectandInversionLayerQuantizationEffectonThresholdVoltageofDeepSubmicronMOSFET’SolidStateElectronics,44(2000),pp1435-1439，被SCI、EI收录，被HouYT,LiMF，IEEETELECTRONDEV48(12):2893-2898DEC2001引用(引用因子0.913)XiaoyanLiu;ShuzuoLou;ZhiliangXia;DechaoGuo;HuiwenZhu;JinfengKang;RuqiHan,Characteristicsofdifferentstructuresub-100nmMOSFETswithhigh-kgatedielectrics,2001.6thInternationalConferenceonSolid-StateandIntegrated-CircuitTechnology,Volume:1,2001333–336，被ISTP收录XiaoyanLiu;KuiLuo;GangDu;LeiSun;JinfengKang;RuqiHan,NchannelSOISchottkybarriertunnelingtransistors.6thInternationalConferenceonICSICT,Volume:1,2001Page(s):562–565，被ISTP收录2004年5月12日经验收的研究报告：刘晓彦韩汝琦?中国国防科学技术报告－深亚微米－纳米硅器件及其物理?2000年10月，撰写人，已通过验收刘晓彦韩汝琦?中国国防科学技术报告－深亚微米半导体器件的蒙特卡罗模拟?2001年10月，撰写人，已通过验收刘晓彦?国家八六三方案工程验收自评估报告－SOC设计关键技术和制造关键技术研究?2001年8月,撰写人，已通过验收刘晓彦?国家高技术研究开展方案(863方案)中期评估报告－VDSM器件与互连线建模关键技术研究?2003年3月,撰写人，已通过验收2004年5月12日社会工作微电子学系副主任，分管教学工作ULSI科学与技术研究所副所长新器件研究室副主任微电子学专业教学实验室主任参加北京大学‘创立世界一流大学工程’学科建设子工程：微电子测试分析教学实验室的建设，在实验室的开展方向、水平、管理、具体布置、测试设备选购和安装调试等方面做了大量工作。担任国家自然科学基金委重大研究方案“半导体集成化芯片系统根底研究〞专家组秘书，参与了该重大方案的申请、研究指南的编写及工程评审等的工作。2004年5月12日承担了4门课程，2门根底课，1门实验课，1门一般课指导硕士研究生4名，2003年7月毕业1名合作出版译著1部，著作1部，教