第三章 三极管及放大电路

第三章三极管及放大电路第一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四三位改变世界的人物1956年WillifamBradfordShockley，JohnBardeen及WalterHouserBrattain荣获诺贝尔物理奖，诺贝尔委员会在赞词中说：“表彰三位学者在半导体研究及发现电晶体的效应。”第二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.1.1BJT的结构简介3.1半导体三极管（BJT）3.1.2BJT的电流分配与放大原理3.1.3BJT的特性曲线3.1.4BJT的主要参数第三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四BJT(BipolarJunctionTransistor)。三极管是通过一定制造工艺，把两个PN结结合在一起的器件。有两种类型:NPN型和PNP型。

3.1.1BJT的结构简介第四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四发射区发射极，用E或e表示（Emitter）基极，用B或b表示（Base）基区集电区集电极，用C或c表示(Collector)发射结(Je)

集电结(Jc)第五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四

结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.1.2BJT的电流分配与放大原理1.内部载流子的传输过程

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

载流子的传输过程第八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.电流分配关系通常IC>>ICBO

为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

=0.90.99根据传输过程可知IC=InC+ICBOIB=IB’-ICBOIE=IB+IC第九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四

是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

>>1根据IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO（穿透电流）第十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四总结三极管各极电流关系：第十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态第十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四a、共发射极b、共基极c、共集电极c第十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四4.放大作用+Vi-电压增益:放大的条件:发射极正偏、集电结反偏。第十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。第十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四vCE=0V

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE

-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下

IB减小，特性曲线右移。vCE=0VvCE

1V当vCE=0V时，相当于两个PN结并联，简化为发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线3.1.3CE-BJT的特性曲线第十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(3)输入特性曲线的三个部分①死区

②非线性区③线性区

第十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。IC<IB,深度饱和时VCES约等于0.3V。iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。JC和JE都反偏，IB=IC=0放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。IC=IB,相当于一个电流控制电流源第十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四温度升高时：（1）输入特性曲线左移（2）ICBO增大，输出特性曲线上移（3）增大3.温度对三极管特性曲线的影响第十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.1.4BJT的主要参数(1)共发射极直流电流放大系数

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IBvCE=const1.电流放大系数

第二十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(2)共发射极交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const(4)共基极交流电流放大系数α

α=IC/IE

VCB=const当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。第二十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四

(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+）ICBO

2.极间反向电流 (1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

发射极开路时，集电结的反向饱和电流。

第二十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCE

3.极限参数(3)反向击穿电压

V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。V(BR)EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。

V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO第二十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四由V（BR）CEO、PCM和ICM确定的安全工作区：安全工作区过损耗区第二十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四1.既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。？思考题2.能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？3.为什么说BJT是电流控制器件？第二十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四三极管工作情况总结1：三极管处于放大状态时，三个极上的 电流关系： 电位关系：第二十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四三极管工作情况总结2：1）根据发射结和集电结的偏置电压来判断；2）根据静态工作点来判断：IBQ

0，管子工作在截止区，ICQ=

IBQ，管子工作在放大区，IBQ>

ICQ/，管子工作在饱和区；3）根据UBEQ值来判断Si：UBEQ0.5V，管子工作在截止区，UBEQ0.6VUCEQ管子工作在饱和区.4）根据UCEQ值来判断：UCEQ=VCC，管子工作在截止区，UCEQ=0，管子工作在饱和区第二十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四放大截止饱和例：三极管工作状态的判断第二十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.2共射极放大电路电路组成

简化电路及习惯画法

简单工作原理

放大电路的静态和动态

直流通路和交流通路第二十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四放大电路的概念和性能指标放大放大电路实际上是一种控制器,控制着电源向负载输送能量的大小放大器可以看成一个黑匣子,输出量和输入量的比值称为放大倍数dBdBdBPIV10lgAA20lgA20lg===功率增益电流增益电压增益TTiIVR=¥===LsRVTToIVR,0第三十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四单管共射极放大电路1.电路组成输入回路（基极回路）输出回路（集电极回路）四部分作用：第三十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.简化电路及习惯画法第三十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.简单工作原理Vi=0Vi=Vsintvi变化——iB变化————iC变化——————vCE变化——vo变化iC=iBvCE=VCC-iCRC第三十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四静态：只考虑直流信号，即vi=0，各点电 位不变（直流工作状态），用Q点表示直流通路：电路中无变化量，电容→开路，电感→短路交流通路：电路中电容→短路，电感→开路，直流电源对公共端短路动态：只考虑交流信号，即vi不为0，各点电 位变化（交流工作状态）4.放大电路的静态和动态第三十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四5.直流通路和交流通路交流通路直流通路共射极放大电路电容C1和C2断开C1和C2短路，VCC对公共端短路第三十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.3放大电路分析方法

3.3.1静态工作情况分析

1、等效电路法:近似估算

2、用图解分析法确定静态工作点3.3.2动态工作情况分析1、用图解法分析动态工作情况2、等效电路法:小信号模型第三十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四共射极放大电路

3.3.1静态工作情况分析方法1.用近似估算法求静态工作点根据直流通路可知：采用该方法，必须已知三极管的值。一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.3V,可忽略不计。直流通路+-第三十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入输出特性曲线。共射极放大电路方法2.用图解分析法确定静态工作点直流通路IBVBE+-ICVCE+-第三十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(1)画直流通路(2)把电路分为线性和非线性两部分I输入回路输出回路(3)输入特性曲线上求IB（同二极管方法）VBE=VBB-IBRbQ（IB=40A）第三十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四MN(4)作输出部分的伏安特性曲线=40uA(5)作线性部分的伏安特性曲线—直流负载线 VCE=12-4IC(VCC=12V,RC=4K)

用两点法做直线M(12V,0)，N(0,3mA)(5)直线MN与IB=40uA曲线的交点(5.6V,1.6mA)就是静态工作点Q（5.6V，1.6mA）Q第四十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四MN12V300K4K=40Q讨论：电路参数变化对Q点的影响Rb改变：Q点沿MN向下移动.Q第四十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四12V300K4K=40MNQRC改变：Q1第四十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四MNQVCC改变：QI第四十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四总结：电路参数变化对Q点的影响Rb改变：Q点沿MN向下移动RC改变：VCC改变：第四十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四1、画交流通路和交流负载线MN交流负载线

3.3.2动态工作情况分析方法1.用图解分析法确定动态工作第四十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四vi=0.2sint(V)vi=0.2sint(V)ib=20sint(uA)iB=20uA~60uAvoviic=ib=0.8sin

t(mA)vce=3.2sint(V)vCE=2.4V~8.8Vvovi2、在动态特性曲线上画出输出信号波形第四十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四方法2.用等效电路法：小信号模型、

H参数模型、微变等效电路模型图解法的步骤：1、画直流通路和直流负载线；2、确定静态工作点；3、画出交流通路和交流负载线；4、分析电路（如求电压放大倍数、非线性分析等）第四十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第四十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第四十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四静态工作点在交流负载线的中点时可获得最大不失真输出最大不失真输出第五十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四

放大电路要想获得大的不失真输出幅度，要求：工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位；要有合适的交流负载线。

第五十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四共射极放大电路例题：

放大电路如图所示。已知BJT的ß=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：

（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？

（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降）第五十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第五十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.4小信号模型分析法3.4.1BJT的小信号建模3.4.2共射极放大电路的分析

H参数的引出H参数小信号模型模型的简化H参数的确定（意义、思路）利用直流通路求Q点画小信号等效电路求放大电路动态指标第五十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四图解法的适用范围：信号频率低、幅度大的情况。电路中输入信号很小时:把放大电路当作线性电路处理——微变等效电路第五十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。3.4.1BJT的小信号建模第五十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四一、h参数等效电路I1I2+V1—+V2—双端口网络如果I1和V2是独立源：第五十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四I1I2+V1—+V2—双端口网络h21I1h12V2++__V1V2I1I1第五十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四二、三极管共射h参数等效电路 共射接法等效的双端口网络：输入：Vbe，Ib输出：Vce，Ic输入特性表达式：

vBE=f1(iB,vCE)输出特性表达式：

iC=f2(iB,vCE)IbIc+Vce_+Vbe_注：由于都是正弦信号，在频率较低时无相移，所以未用复数表示1.模型第五十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四求全微分：+_+_VbeVceIbIch11h12Vceh21Ibh22第六十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四输出端交流短路时的输入电阻输入端交流开路时的电压传输比输出端交流短路时的正向电流传输比输入端交流开路时的输出电导2.参数的物理意义第六十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第六十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四+_+_vbevceibichiehrevcehfeibhoerbeIbIcVbeVce++__Ibbeec第六十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.估算rbe体电阻re’<<结电阻rb’e发射极电阻re约为rb’e发射结的伏安特性为ebcb’re’rerbb’rb’crc很小第六十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四ebcb’re’rerbb’rb’crc很小第六十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四分析步骤：画直流通路，计算静态工作点Q计算rbe画交流通路画微变等效电路计算电压放大倍数Av计算输入电阻Ri计算输出电阻Ro3.4.2共射极基本放大电路的分析第六十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四

共射极放大电路1.利用直流通路求Q点一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，已知。第六十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.在交流通路和小信号等效电路中分析交流参数共射极放大电路icvce+-交流通路RbviRbRbviRcRbviRcRLiVbIcIOVbIH参数小信号等效电路第六十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四根据则电压增益为bebirIV=bcII=b)//(LccORRIV-=beLcbebLcbbebLcciO)//()//()//(rRRrIRRIrIRRIVVAV-=-=-==bb

RbviRcRLiVbIcIOVbI（可作为公式）3.求电压增益第六十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四4.求输入电阻bebiii//rRIVR==5.求输出电阻RbRcRLRiRbRcRLiVbIcIOVbIRo令0i=V0b=I0b=IbRo=Rc

所以第七十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四例1：电路及参数如图，rb=100 求Av，Ri，Ro=50解：静态工作点（40uA,2mA.6V)

=100+5126/2=0.763K第七十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四IbIb=-7.62交流通路：微变等效电路：=330K//26.263K=24.3K第七十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四例2Rs=100，RL=4K，求Avs=Vo/Vs=50解：静态工作点（40uA,2mA.6V）rbe=0.763K第七十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四交流分析：RiRi第七十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四例3：电路及参数如图，=40，

rbb’=100， (1)计算静态工作点 (2)求Av，Ri，Ro解：(1)画直流通路求静态工作点第七十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四直流通路第七十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第七十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第七十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(2)画交流通路及微变等效电路，求Av，Ri，RoRiRoRo=Rc=4K第七十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四例4.电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。bIrbeebcRerbeebciIiVRb2Rerbe+-ebciIiVRb1Rb2RcRerbe+-ebciIiVbIboVRb1Rb2RcReRLrbe+-+-ebc第八十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.5放大电路的工作点稳定问题温度变化对ICBO的影响温度变化对输入特性曲线的影响温度变化对的影响稳定工作点原理放大电路指标分析固定偏流电路与射极偏置电路的比较3.5.1温度对工作点的影响3.5.2射极偏置电路第八十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.5.1温度对工作点的影响

ICBO

ICEOT

VBE

IB

IC

温度升高会导致静态工作点上升。第八十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.5.2射极偏置电路1.稳定工作点原理目标：温度变化时，使IC维持恒定。如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。第八十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.放大电路指标分析①静态工作点第八十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四②电压增益<A>画小信号等效电路<B>确定模型参数第八十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四输入回路：<C>增益电压增益：输出回路：第八十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四③输入电阻由电路列出方程则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻第八十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四④输出电阻对回路1和2列KVL方程其中第八十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.固定偏流电路与射极偏置电路的比较基本共射极放大电路静态：从IB开始求起从IE开始求起第八十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四RbviRcRL固定偏流共射极放大电路电压增益：输入电阻：输出电阻：Ro=Rc动态：第九十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四例：电路及参数如图，=50，

rb=100， (1)计算静态工作点 (2)求Av，Ri，Ro28K12K0.4K1.6K3K

解：(1）画直流通路求静态工作点VBVE第九十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四28K12K0.4K1.6K3K

VBVE第九十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四28K12K0.4K1.6K3K(2)画交流通路及微变等效电路，求Av，Ri，RoIb

微变等效电路：交流通路：

RiRoRo=Rc=3K第九十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.6共集电极电路和共基极电路电路分析复合管

静态工作点动态指标

三种组态的比较3.6.1共集电极电路3.6.2共基极电路第九十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.6.1共集电极电路1.电路分析（1）求静态工作点由得第九十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四（2）电压增益

令：共集电路又称射极跟随器RiRo（3）输入电阻第九十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四令Vi=0，在输出端加信号Vo，则：Io=Ie+Ib+Ib（4）输出电阻

第九十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四共集电极电路特点：◆电压增益小于1但接近于1，◆输入电阻大，对电压信号源衰减小◆输出电阻小，带负载能力强2.复合管作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe复合管也称为达林顿管第九十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四bce12T2T1第九十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第一百页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.6.2共基极电路1.静态工作点直流通路与射极偏置电路相同第一百零一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.动态指标①电压增益电压增益：输出回路：输入回路：第一百零二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四②输入电阻③输出电阻第一百零三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四三种组态电路比较共射组态共集组态共基组态A

uR

iR

o（反相,大）（同相,大）（同相，1）（最大）（最小）（最小）(中)(大)(大)第一百零四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四三种组态电路比较共射电路：电压和电流放大倍数均大，输入输出电压相位相反，输出输出电阻适中。常用于电压放大。共集电路：电压放大倍数是小于且接近于1的正数，具有电压跟随特点，输入电阻大，输出电阻小。常作为电路的输入和输出级。共基电路：放大倍数同共射电路，输入电阻小，频率特性好。常用作宽带放大器。第一百零五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四基本概念直接耦合多级放大电路阻容耦合多级放大电路变压器耦合多级放大电路多级放大电路的频率响应3.6.3多级放大电路第一百零六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四单级电路第一百零七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四一、直接耦合多级放大电路静态分析：VBB=IB1Rb1+VBE1VCE1=IB2Rb2+VBE2VCE1=VCC-（IC1+

IB2）RC1VCE2=VCC-

IC2RC2IC1=IB1IC2=IB2IB1、VC1、

IB2

VC2、

IC2、IC1优点：低频性能好， 易于继集成缺点：静态点相互影响温度漂移问题第一百零八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四Ib1Ib2Ib1Ib2动态分析：Ri1=Rb1+rbe1Ri2=Rb2+rbe2第一百零九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四二、阻容耦合多级放大电路缺点：低频性能差， 不易继集成优点：静态点互不影响Ri1=Rb1//rbe1Ri2=Rb2//rbe2第一百一十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四n2RL三、变压器耦合多级放大电路第一百一十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四优点：静态点互不影响，变压器起阻抗变换作用缺点：不利于集成第一百一十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第一百一十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第一百一十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四第一百一十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.7基本放大电路的频率响应频率失真相位失真幅度失真第一百一十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四1.RC低通滤波电路其中，是角频率 =RC令：上限截止频率(1)分析第一百一十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四幅频特性相频特性第一百一十八页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四当f<<fH时当f=fH时当f>>fH时第一百一十九页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(2)波特图幅频特性相频特性第一百二十页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四2.RC高通滤波电路(1)分析令：下限频率第一百二十一页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四当f<<fL时当f=fL时当f>>fL时幅频特性相频特性第一百二十二页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四(2)波特图幅频特性相频特性第一百二十三页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四3.7.1三极管的高频等效模型ebcrerb’erbb’rb’crc三极管结构b’CC第一百二十四页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四忽略rce和rb‘c并把C到输入输出回路中CCrbb’b’rb’erb’crcegmVb’ebece+_VbeVb’e+_+_VceIbIc混合模型C’rbb’b’rb’ercegmVb’ebece+_VbeVb’e+_+_VceIbIcC’简化混合模型Ib和Ic应有点h21e就是第一百二十五页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四IcC’rbb’b’rb’ercegmVb’ebece+_VbeVb’e+_+_VceIbC’f和fT

：是指Vce=0时两电流之比，所以K=0第一百二十六页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四已知：即：所以：与RC低通滤波电路的频响表达式相同的截止频率进一步分析：f很大、很小和等于f第一百二十七页，共一百四十九页，编辑于2023年，星期四fT：频率增大使|

|下降