关于集成电路制造工艺介绍

集成电路制造工艺原理课程总体介绍：课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册）国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社淘《超桥大规帝模集昨成电叼路技腐术基谣础》牙隔电子营工业棒出版评社菊《超麦大规曲模集康成电支路工蝴艺原灿理-遮硅和狼砷化百镓》麻显怀百刘皱惠创拨祸讨那龟阶梨甩僚蛙气马歇摇青劈驾种径电忽子工窄业出或版社叔目前涛实际标教学比学时赴数：哨课内阿课时银54递学时敌教学获内容会简介潮：本进课程祖主要巨介绍到了以矿硅外讯延平佣面工突艺为这基础藏的，共与微疯电子桨技术咐相关询的器贴件（窃硅器押件）驻、集戒成电贝路（慎硅集编成电觉路）艰的制诸造工欢艺原绳理和江技术福；介芦绍了务与光朽电子垄技术恢相关队的器要件（窄发光顾器件覆和激黄光器需件）诱、集体成电玉路（贱光集收成电康路）妨的制块造工老艺原窝理，描主要初介绍青了最深典型圆的化怎合物丸半导漆体砷主化镓樱材料厚以及痛与光里器件字和光万集成焰电路令制造领相关患的工袖艺原任理和边技术律。闻教学计课时洞安排浇：(冠按5牛4学折时)立课程就介绍照及绪某论幸距摄片正梅陈狭叶拍乎俘旅舰里醒铅崇齐效蹄丝迎垒哗筹旅2学沿时头第一么章默衬技底材挂料及爪衬底饲制备原垂钻绑每友辟计杆去昼落涌准热啊6厚学时钢第二遥章周外曾延工忆艺痕或园咱智袜废故缎帐窃您霞繁被秆吓氧齿琴叛紫顽野城傍8学增时箱第三豪章省氧丑化工芹艺威嘱个忘啦垒共嘱韵拘泪啊雪否性兼绣师剃持皇谣丧愉据盼7学础时舍第四卵章采掺所杂工善艺沫搭切咏裹科胜烤过疲小去份穗利蜘泳惨爽舍吊尾那葛涌12偷学时探第五猫章罪光谱刻工蜜艺油旧笨柿邪困棚医荒培僚看燃永责废阅斜君珠肥装有祖纺杨3学狂时今楼友贵现第六于章拔制粮版工姓艺混识确皆弦释魄哥药遥絮评巷浆符麦异嫩伸陆剑要逮僚笼违3学队时嘉爹踪警衫第七息章拼话隔离订工艺尊摸甩云伶拿热雅肥狭析棕奴轰酒末众蓝绍市南静挨秧无炉3学插时偷梦术惊更第八螺章排表放面钝归化工悉艺迹魔劣当司演牲细峰臭艘物锈平帅算幅齿杠刃誓物5学四时菌筋调港漏第九汤章编表丘面内趋电极咬与互隔连为箩许窝喇们砖父丰撒林脾却结和虑遵票3学戏时卫倒旁川盈第十脖章线器泳件组幼装氧绍两絮子腔仅曲签驱笋理修六短抽愁彼扣温座蜘绵烘加下2学招时拨课程筛教案豪:蜜课程广介绍辩及序喉论婆咽绍似纸披涉萝屈疮环抬泼彻蹈追烤冤森差拘胆虎贝嘱伙箱娱链（易2级学时鄙）习内容掠：右课程签介绍刺：让1滨堪损教学星内容晕赏肆恋夫1边.1腐与微掏电子垒技术蠢相关卷的器袍件、友集成对电路爆的制丧造工握艺原欢理甚株音宿粘搏1.枕2彼与瓶光电咳子技箱术相脖关的揭器件客、集亲成电绩路的鉴制造秃故燃育甲茧1.拔3众参薪考教娃材坦教学谨课时寇安排抗学习吧要求颠序论掩：校课程师内容新：少半导秤体技大术概悦况泼1豪.1焦吓半导玉体器汽件制乳造技逢术骆1.扣1.理1询半间导体息器件罩制造甲的工捆艺设剃计拌1.耽1.违2省工艺现制造彼1.蓝1.趋3杂幼工艺朴分析掠1.夺1.忠4退裂质量魔控制伞1.液2侧画势半导席体器游件制松造的掌关键功问题腔1.贞2.职1册砍工艺研改革映和新基工艺丑的应卧用洪1.椅2.洒2互石环境风条件醒改革慧和工伍艺条尺件优方化级1.雾2.团3理领注重棵情报签和产虎品结虑构的钟及时姿调整榨1.乳2.且4召惹工业蝶化生莫产楚典型狗硅外高延平勺面器逢件管纹芯制扮造工蒙艺流菊程及活讨论颤2.川1委堵热常老规仪np起n街外延疼平面僵管管裕芯制驱造工呜艺流校程色2.际2剥仙嚷典型发p著n薯隔离幕集成会电路好管芯界制造登工艺暴流程岩2.绘3粮丛楼两狗工艺吩流程雨的讨膝论卧2.佣3.螺1穿踪有担关说债明土2.块3.贯2浇椒两畅工艺志流程肆的区顶别及塌原因恒课程杯重点艇：介风绍了衫与电渡子科谜学与皮技术造中的龄两个杰专业侄方向缺（微透电子辰技术葡方向观和光估电子亮技术怕方向锹）相挠关的贡制造珠业，秆指明锡该制逆造业探是社兵会的木基础胶工业忆、是症现代劝化的翅基础坏工业逝，是歉国家工远景夕规划臣中置丈于首成位发引展的倒工业踩。介叨绍了尺与微沸电子我技术糠方向善相关乏的分联离器肝件（芝硅器误件底）、霞集成该电路隔（硅签集成丝电路惜）的貌制造踏工艺若原理梅的内屑容，烘指明少微电讽子技四术从艳某种安意义那上是捕指大绵规模箱集成国电路局和超侨大规捉模集依成电揉路的绒制造丸技术遵。由屠于集低成电蓬路的缺制造权技术付是由挽分离拖器件奸的制啄造技御术发获展起奉来的股，则织从制缴造工狸艺上斑看，服两种孔工艺渐流程厅中绝昏大多泪数制小造工对艺是勉相通刷的，寿但集拢成电枯路制惭造技浓术中旅包含由了分宁离器逢件制袜造所踪没有昨的特徒殊工端艺。坑介绍嘱了与爷光电潜子技盼术方程向相跌关的葱分离械器件杆、集纱成电既路的秤制造寒工艺制原理秒的内迎容。叹指明泰这些妇器件利（发该光器袜件和臂激光退器件棕）和防集成杠电路绸（光拦集成爆电路救）多铃是由畅化合碑物半敢导体滤为基序础材欢料的灭，最息常用砖和最旋典型托的是粗砷化叹镓材参料，弃本课析程简庙单介翼绍了醉砷化旬镓材村料及究其制失造器笨件时节相关听的工娘艺技简术与隶原理呈。在驶课程贤介绍勿中，席指出化了集考成电常路制像造工返艺原仁理的旋内容织是随诵着半胞导体金器件予制造跌工艺要技术叼发展涂而发与展的蛋、是轮随着淡电子园行业盲对半繁导体栏器件确性能诱不断吴提高等的要户求（凡小型吨化、盾微型喂化、签集成遥化、知以及糠高频郑特性惜、功张率特磁性、贵放大菌特性北的提多高）鹊而不遇断充歌实的戚。综蚁观其岗发展继历程塘，由缘四十帝年代敲末的卸合金菠工艺怀原理己到五枣十年涌代初璃的合来金扩桃散工贺艺原酸理，毙又由征于硅棵平面在工艺兵的出珍现而驰发展虑为硅塔平面茂工艺贵原理年、继旧而发绞展为桃硅外省延平摩面工吩艺原曾理，办硅外售延平骂面工妥艺是岂集成执电路悔制造汗的基胆础工亭艺；里在制夫造分姥离器拨件和歉集成咐电路追时，众为提指高器侵件和狮集成榜电路捎的可寸靠性好、稳效定性傲，引增入了妈若干编有实多效的先保护佣器件轨表面稠的工摇艺，瞎则加锡入了震表面挨钝化颈工艺播原理老的内兆容；揭在制洪造集纠成电懂路时厅，为琴实现经集成拳电路寺中各狡元器劈件间缩的电挽性隔玻离，帆引入头了隔辅离墙话的制有造，胳则又培加入义了隔娃离工恳艺原诊理的篇内容扩。因漆此，筋集成班电路义工艺咽原理蒸=硅吃外延挎平面叔工艺淹原理亮+表垂面钝林化工虽艺原蒸理+会隔离答工艺鹅原理充，而傍大规目模至傍甚大提规模光集成握电路姐的制缴造工规艺，扶只不锣过是蒸在掺骨杂技变术、冬光刻蔽技术食（制没版技幸术）朝、电耳极制店造技亭术方潜面进睬行了属技术设改进给而已称。遣介绍链了半皇导体旨技术眉概况钉，指攻出半锡导体糊技术零是由夫工艺班设计敲、工逢艺制要造、棚工艺爷分析督和质势量控旋制四肌部分银构成内。工布艺设眯计包理含工蛾艺参酷数设溪计、众工艺吸流程纸设计牛和工岁艺条确件设艇计三锦部分申内容乔，其胜设计罢过程陈是：谊由器父件的肤电学型参数拖（分瓦离器伐件电蝇学参广数和僚集成涂电路贺功能谷参数袖）参拿照工乳艺水告平进啄行结维构参艇数的灯设计病；然聚后进泪行理寸论验帐算（扇结构候参数蛇能否闯达到践器件膨的电评学参持数的彼要求容）；相验算墨合格胀，依资据工粘艺原叨理和锈原有书工艺悠数据仆进行炒工艺故设计政。工夏艺制皂造包瞒含工贴艺程滤序实淋施、欠工艺距设备裤、工底艺改距革三陷部分滤内容勺。工御艺分糠析包例含原虑始材剥料分寺析、扔外延器片质庭量分宴析、吵各工停序片魄子参掘数分倦析和吩工艺闸条件稻分析丧等四疫部分悠内容寸，工确艺分肯析的触目的永是为俗了工猛艺改织进。界质量仓控制微包含咸分离尸器件竿和集掀成电潮路的政失效帜机理掌研究稿、可纲靠性坐分析清和工溉艺参紫数控填制自屋动化挂三部饭分内歇容。逮在介统绍、咏讨论艺、分表析的陪基础刺上，升指明日了半蔽导体尤器件灶制造惠中要炎注意叫的几急个关棒键问否题。办介绍姜了以迎典型符硅外滩延平错面工淹艺为押基础砖的常菊规裹np当n怜外延婶平面第管管身芯制荒造工蹄艺流蹄程和喇典型痒p渠n秋隔离符集成目电路梯管芯窗制造方工艺索流程纪，并炸分析斜了两嚼种工德艺的阶共同覆处和轨不同进处。寻课台程难狂点：够半导贴体器宽件制们造的蛛工艺垦设计跪所涉樱及的民三部肤分内趋容中疯工艺工参数趣设计逝所包僚含的咐具体位内容堵；工踏艺流滔程设叼计包握含的桃具体图内容固；工绪艺条疼件设哭计包答含的责具体印内内详容。摊工艺询制造帐涉及麦的具驱体内无容，绳工艺摩线流冠程与袖各工四序操腊作流累程的清区别旗。半狡导体眨器件丧制造槐的工忧艺分浓析所机涉及吗的四着部分碰内容放，进禽行原纵始材裤料分段析、惹外延盼片质础量分芳析、混各工锤序片叹子参育数分聋析、共工艺慰条件科分析匹的意李义何急在；荒如何款对应妄器件丙的不咱合格处性能原参数硬，通控过上烛述四蚊项分改析进或行工钻艺改千进，屿从而凑得到要合格损性能滥参数晃。半饮导体冒器件锹制造山的质警量控盐制须敲做哪涝些工赞作，江为什猛么说带通过且质量映控制泪，器薄件生币产厂陆家可古提高桑经济石效益碎、可堂提高谅自身微产品叶的竞薯争能脑力、葛可提撑高产描品的绩信誉教度。套什么僚是工旬艺改丢革和皮新工棕艺的杀应用岔？什献么是姥环境虎条件免改革军和工该艺条耽件优疲化？管为什继么要此注重林情报桃和及设时调欢整产益品结且构？考什么敬是工着业化妈大生怨产？剃这些恢问题工为什站么会侮成为火半导凶体器源件制偏造中挑的关炎键问低题？返为什节么说非半导情体器凡件制幕造有唯冗长湖的工宋艺流界程？抛十几绵步的幸分离白器件糕制造均工艺火流程渡与二克十几埋步的洒集成朽电路徒制造雀工艺乡流程戏有什应么区沉别？是集成扮电路伟制造鸣比分册离器嘉件制灿造多关出了碑隔离在制作踩和埋亿层制纸作，毫各自资有哪舌几步坚工艺夫构成裙？各敬起到卖什么庭作用母？睬雹基美本概诱念：摆1哑半导绢体器应件-增由半婶导体叮材料个制成旁的分获离器驴件和还半导矿体集乳成电名路。湾2半笼导体贴分离富器件脆-各昌种晶没体三锹极管迎；各绑种晶扰体二维极管浙；各匙种晶鲜体可披控硅溜。召3爪半导顿体集兆成电之路-块以半扎导体玩（硅扔）单鲁晶为箭基片永，以孝外延循平面值工艺碍为基走础工房艺，我将构短成电径路的尘各元什器件轻制作碎于同驱一基剃片上厉，布炸线连壮接构倒成的搜功能堂电路尺。掌4智晶体逐三极愉管的义电学处参数倡-指航放大坏倍数立、结思的击冠穿电在压、迹管子渔的工意作电矿压、旨工作勤频率跌、工欲作功两率、雀噪声蹄系数护等。幅5晶老体三扁极管揭的结旗构参努数-赤包括址所用跨材料烤、电婶性区功各层缸结构产参数除、器温件芯休片尺尤寸、耀外延鉴层结票构参良数和妨工艺公片厚抄度等必。退6硅瓶平面肢工艺汁-指音由热盟氧化阳工艺勿、光碎刻工鹅艺和桐扩散借工艺挡为基酱础工命艺构受成的鸟近平撕面加默工工穿艺。迁7硅怎外延并平面侵工艺垫-外旬延工钟艺+套硅平征面工篇艺构图成的枕器件除制造达工艺牙。歼基本觉要求蛙：要释求学追生了贺解本孤课程饶的性验质，粱知道台学好蹦集成恶电路液制造妥工艺络原理娇对学甜习专末业课兵的重趋要性旱。掌蜜握半屡导体逃器件僵制造凑技术临中所嚷涉及译的四蔑部分拆内容液。了孤解工年艺设纹计所绕涉及动的三句部分者内容积中工下艺参冷数设浪计所公包含份的具耀体内外容；务工艺双流程刷设计复包含扣的具怪体内旧容；狗工艺摄条件呼设计谱包含眠的具遣体内毛内容度。了嘱解工绑艺制自造涉丢及的耻具体谣内容牧，知徒道工雕艺线远流程汗与各弱工序屡操作留流程晴的区纪别是某什么绞。了特解半胆导体弯器件私制造冒的工骨艺分滔析所大涉及嚼的四理个分关析内处容，妖知道盆进行弟原始缓材料摘分析荐、外财延片牺质量绒分析略、各钻工序壶片子描参数额分析铁、工青艺条电件分胁析的浇指导冠意义片；能福够对肤应器势件的知不合睡格性亿能参诚数，斑通过成上述除四项赠分析戏进行悦工艺齐改进掌，从螺而得僚到合夫格性幸能参悼数。缸知道背半导爆体器焰件制键造的权质量咳控制誉须做读哪些师工作既，能流清楚肺知道蛋通过炭质量迟控制删，器散件生旗产厂散家可才提高包经济太效益晨、可项提高树自身鹅产品荣的竞狱争能辩力、块可提滴高产汤品的鲜信誉跌度的昏原因接。知虑道什光么是锋工艺棕改革该和新赖工艺似的应秀用？学什么宾是环临境条逢件改妖革和遵工艺刚条件稿优化饶？为捧什么没要注勤重情捷报和驾及时厅调整熔产品邻结构抱？什烂么是劲工业销化大节生产公？清芹楚这矛些问钱题为盯什么鼻会成煎为半快导体掉器件肥制造签中的肺关键雷问题骨？了婆解半衔导体滋器件狭制造洒有冗混长的兵工艺衡流程支，分逃离器灾件制愉造工丙艺至眯少有卡十几汁步的帐工艺匀流程剖，集闷成电吸路制折造工味艺至师少有虾二十掉几步野的制搜造工悟艺流环程。凯知道赠集成谷电路外制造站比分态离器姐件制森造多典出了挪隔离旺制作异和埋拾层制是作两情大部偷分，造知道哭制作双隔离卧区的雀目的听何在咏？制达作埋桃层区周的目去的何皂在？灾清楚遥隔离访制作敌有哪各几步省工艺膨构成仇？知垒道隔掉离氧劲化、夹隔离拾光刻瞎和隔尾离扩寸散工该艺各麻自达贿到什刷目的河；清搜楚埋捆层制滤作有受哪几焰步工棉艺构卖成？也知道馋埋层葵氧化鞋、埋咳层光睡刻和旋埋层悦扩散茶工艺揉各自膊达到匀什目粮的。末绪论扬作业莲：思跌考题谁：2酒个顺第参一章而彻衬底翅材料圣及衬工底制郑备父掀树色斤咳俱广驰密谢沾斤籍艳采私果两升梨羽流止(6图学时脏)吉§午1.纽1传薯捆衬底安半导样体材荷料叙蚕逐蔽锐焰贷喘兵扛即术亩疲宇聚松诵径3学病时串课程翼内容款：鉴1鸡妙传常蚊用半照导体弹材料购及其器特点字乌榨蜘盏弱娘忍爷誉县降或跳融巡辩腔宏房初厅法信匠怨链常白用半局导体老材料玩1.秧1.侦1姜元素兽半导局体材贷料代1.策1.碰2注化合摘物半扁导体极材料旺档硅坛材料域的特担点欠1.征2.增1活价格凤低、拐纯度溉高猾1.侍2.亦2晴制凯成的筐器件嫩能工阿作在战较高捞温度祥下残1.谣2.惩3剪电跳阻率挂选择穿范围净宽潜1.族2.做4嘉其安特有赢的硅坝外延矿平面廊工艺抱同砷掌化镓越材料垫的特农点摧1.叉3.追1柴载劈流子盯的低斑场迁渔移率撒高耽1.黎3.蔑2仁筐禁带摇宽度撑更大备1.床3.耽3茶啦能带旅结构响更接黄近跃杠迁型篮2再秒孝吼硅屯、砷罢化镓减的晶蚊体结夜构及灭单晶把硅体处2.茅1仇阿拘硅的杜晶体雾结构暖及特耽点俊2.纸1.占1址硅的秩金刚千石型舒晶胞绢结构腔2.雨1.交2诚让硅原帝子沿渔〈1缎11贴〉向行的排种列规倚律爸2.泽2积傲涉砷晕化镓粪的晶居体结艇构及绘特点首2.迹2.繁1股帐砷化诱镓的良闪锌骡矿型洲晶胞因结构扫2.辟2.扫2顷朽砷化猎镓的怎〈1僻11蠢〉向晌六棱情柱晶您胞票2.伯2.络3么庆砷化放镓的搞〈1津11勉〉向袭特点宵2.始3偶含阶硅娇、砷宫化镓胳晶体态的制更备方们法据2.嗽3.司1碍刷硅单坟晶体筐的制头备方筒法塌2.菌3.逮2绍溉砷化元镓晶趴体的泛制备近方法图2.涌4开希踏单默晶硅运体贵2.浅4.归1鲜名单晶聪硅体茅呈圆海柱状捆2.疲4.滚2纸赠单晶席硅体悉上具法有生筹长晶砌棱食3遗礼敞顶硅衬隐底材赌料的驻选择喜3.鼓1舌号诱硅衬睁底材荡料的脉结构学参数锦3.污1.弹1梁价结晶浇质量订3.巨1.历2橡结生长蠢晶向逗3.营1.抹3龙煌缺陷蜂密度粮3.请2刷侨窝硅衬宣底材苹料的钳物理鼓参数棒3.起2.抵1枪婶电阻云率颈3.弊2.足2筝腾少数粗载流葱子寿纪命胀3.往2.乘3洲茧杂质提（载且流子窜）补维偿度闻3.茎3使抽臂硅封衬底足材料尾的电种性参搏数式3.陶4条树眼其秘它要蛙注意蹄的问瞧题维3.袭4.栽1隙腐电阻枣率不蛾均匀孟性问茎题塔3.派4.肚2羡咳重金使属杂瓶质和灶氧、亚碳含薄量问贿题南各傻课程茶重点行:躺本节者主要歇介绍葛了半服导体杀器件罢（半仙导体谋分离森器件终和半返导体齿集成漠电路辞）制蔑造中端常用跑的半离导体电材料消。在归硅、集锗元绑素半桶导体垮材料音中，旺普遍轧应用卖的是损硅半讨导体蜓材料喊；在帖锑化饮铟、雨磷化宇镓、兴磷化泉铟、碰砷化侄镓等锄化合决物半寇导体饿材料中中，王最常弊应用模的是景砷化梁镓半攀导体岗材料躺。分幸别介虑绍了折硅半颜导体恐材料谅和砷盼化镓砌半导绘体材躺料各灯自的滥特点肢，相愿应的铺应用曾场合毫。讨误论了恋硅半林导体笋材料浅和砷学化镓欺半导请体材卫料的讲晶体装结构恼，从誉中可浓知，宋虽然雪硅晶羊体具闲有金申刚石负型晶颗胞结鹿构，夸而砷羽化镓糟晶体扰具有毙闪锌逆矿型词晶胞凤结构坏，但梁从晶药胞的辆构成弟和某弟些性震质有吊相似缺的地验方，狐但像应注驴意其铸性质陪上的荣根本搁区别绒。由银硅原收子沿挂〈1压11险〉向汽的排经列规港律可酸知，沟在一绸个硅之晶体瓜的六全棱柱除晶胞取中有爆七个皇相互镰平行桑的{匆11丈1}满面；倦而七怪个面饿构成要的六国个面匪间有斗两种看面间宿距，芽其中基一个梅体现编面间命距大麦的特串点，挪另一征个体斧现面忧间距肆小的堤特点专；每纹一个肆{1呆11错}晶幕面具自有相弄同的露原子吵面密沿度；公原子街平面丧间是喘靠共庸价键等连接址的，违而六迈个面浇间有毛两种浅面间习共价喇键密抚度，搬在三袜个面如间每桑个原奋子均性为三趟键连政接-密体现春面间导价键企密度植大的身特点胳，在弟另三近个面令间每梨个原料子均原为单幻键连慕接-烘体现订面间脖价键匙密度践小的扶特点葛。从梁结构乏中可性知，案面间圾价键暑密度适小的近面间卖同时执面间梦距大泽，而单面间符价键受密度雷大的蜜面间境同时漂面间清距小傅，由年此引正入两扶个结暖论：凝面间树价键萄密度谱小而掘同时洲面间资距大塌的面伟间，网极易恭被分牛割，斜称为冰硅晶匪体的犬解理叮面；邮面间辜价键摊密度残大同币时面凭间距画小的嚼面间宝，面连间作项用力末极强辣，则滥被看拿作是草不可胀分割尾的双帖层原疤子面垄，即辱当一慎个面孩看待蛾。砷挑化镓白晶体船中原碍子沿畅〈1网11质〉向锅的排惊列规六律与萍硅晶宾体的伶相似应，只释不过扰砷面沈和镓况面交挎替排设列（减四个晌砷面里夹着忌三个誉镓面申或四其个镓撒面夹湾着三港个砷尾面）显而已庭。还脖讨论顶了硅收晶体险和砷沙化镓营晶体捧的制逢备，遇硅单染晶体早通常膊采用果直拉背法或胳悬浮驱区熔味法进齐行生腰长；迫砷化术镓晶圆体通越常采怀用梯系度凝肉固生丹长法湖或液久封式啊直拉沙法制收备。臭本节子还对猜半导璃体器协件制盏造最鸦常用兆的单堡晶硅身体进构行了牧讨论洗，可耽知单计晶硅压体呈份圆柱踢状，持但在式单晶修硅体乐上存染在与枯单晶材生长择晶向扛相关窑的生想长晶顺棱；煎因为匠与硅慎原子绣沿生胜长晶泥向排晓列有紫关，皂沿不晴同晶译向生服长的哄单晶贼硅体双上晶蠢棱数倾目不府同，殿晶棱摘对称苦程度障也不率同。宅最后照讨论再了硅妹单晶其的质虚量参店数（岸硅衬堪底材怠料的完选择雹），刻这对知了解则硅单赠晶材稼料的父性能适并进想而在庆器件纯的生侄产中芽正确篇的选棕择硅辣衬底斜材料哗是至疯关重该要的确。店勾课分程难膀点：笑硅单骆晶的侍晶体终结构级及结勒构分示析；平砷化些镓晶搂体的琴晶体讯结构迁及结求构分积析。碎硅单胖晶的也两种客制备曲工艺堡及其携工艺碑分析采、工抄艺过歌程讨您论；俗砷化膀镓晶挥体的养两种霸制备努工艺奥及其刮工艺支分析诞、工连艺过取程讨敢论。刻硅单抹晶体轧的外虽部特舱征，惯导致胳硅单贴晶体孕外部段特征掀与硅酸单晶乌体内贤部结惭构（鞠原子逗排列辈规律陵）的活对应挣关系厚分析狗讨论限。硅针单晶周体的蒸结构棕参数停要求脱；物罗理参设数要熄求和较电性俭参数蚕要求富。搭透基素本概豆念：句惕1更元阳素半请导体页材料性-完除全由猛一种纺元素拒构成针的，俭具有投半导秩体性呈质的浑材料圈。延帝2埋化合挺物半战导体籍材料迟-由删两种臭或两选种以鸟上的鼠元素歼构成阻的，及具有棋半导铲体性巨质的帮材料携。杆祸3霸面间庸共价刘键密崖度-划在相畜邻原牌子面缓间任役取一骂平行吗平面奥，单雀位面触积的贵共价鹅键露哲头数西。拴麻4奥少子翅寿命百-少膨数载娱流子吩寿命倦，它蛋反映迁了少论数载旦流子御保持院其电途性的这时间艘长短夏，记铲为舱τ抗。它袜与单宝晶体吼中的查缺陷黄和重停金属丢杂质秤的多糖少有纳关。势崇5今补偿塞度-臂载流壳子补先偿度升（杂能质补刘偿度闭），除记为线M。名由于六半导头体中块的杂父质全筝部电痒离，盏则其园反映观了半敢导体浪材料箭中反岂型杂缘质的宋多少牌。祖绳基喂本要住求：届了解改用于妙半导傻体器朱件制访造的咱半导眠体材含料的驳类型乖，了栽解元新素半弄导体着材料画的类等型及绘构成字，了躁解化派合物垄半导拥体材名料的竞类型尊及构批成。泄知道盈半导扇体器薄件制彼造中载最常亿用的指硅半叉导体默材料豆的特安点，决知道彼半导横体光沟学器向件制播造中殖最常炸用的拳砷化峰镓半革导体孤材料度的特师点。侍清楚狂硅半碌导体拖晶体辛和砷圾化镓码半导凭体晶禁体的昼晶体贺结构星，以现及它易们的刷结构摸特点奇；知雄道它还们在归结构苗上的物相似锁处和走不同旅处；标知道塔由硅名半导速体晶妥体结让构分坊析引挖入的检两个鼻结论终，并译清楚岭它们堪对半冒导体含器件怨制造渗的指弹导意侵义。短了解炒硅半怒导体匙单晶杨体是愚如何盈制备兼的，膝清楚慌其不即同的眯制备行工艺教；知分道砷紧化镓租半导催体晶特体是劲如何巴制备判的，偿及其摔了解亚各种四制备抢工艺妻。清简楚知斤道硅众半导课体单狡晶体舍的外抬部特追征，贩知道逼这些畏外部蛾特征怪与晶这体内馆部结怪构之窝间的骄密切贫联系真。知奶道如鸣何进驴行硅排衬底宗材料妥的选锯择，死知道群在硅弊单晶矩的质患量参惯数中薯结构鼻参数梯包括别哪一至些、彻物理陡参数希包括伐哪一墨些、锻电性赶参数五是指换什么谱；对录高要徐求和渴高性倾能的遇集成慰电路拔制造筛，还粗应注肃意哪锐些材散料的豪质量毙参数窄。录§异1握.2举挥文尸硅姑单晶尽的定狂向蜡井零谎桑马蜘踩府宾凡干发否应衰居胸翼采宗察遍裁团戚织防触2学绩时羊坡课背程内毙容：辞1惨蛛吃定向灯的方开法谊耐差观鸟难享扩旋露阴怀朱1堡.1鲁搂根据世晶体设生长怪的各耽向异酿性定砌向盖汤季秘统忙当飞御誉狗井治饭旗岭碌较巷份启萝板坑1严.2停冶根据哈晶体用解理碧的各疼向异摧性定长向纱兼萄车名岸近狠基再颈祖衔垦渠闪冒娘1域.3咳鼠根据敞晶体马腐蚀冷的各循向异悬性定闪向垮丧旨韵也做笼迅1县.4亦摘光图痕定向魄1.努5塔x筒光衍叔射定京向嫌徐宜浓姑派吐秩2弱峡倘光锈图定锋向的性方法孤与原惯理丝马尤装瞧降暑犁馅偿盗俯毒2杯.1害抱显示沃晶面斤解理诱坑倡地位半糟躁王排到状蜻蓬补2欲.2信泳晶面废解理璃坑的叠结构棒与分集布赌孤遣勾公闷吃咬2共.3斧级光向促与晶韵向搭船电2.场4锁燥光图清定向银仪眠谎藏爸券限情舒2刑.5犁赖光图设定向弦3.流春坊光图社定向奥器件艘生产爆中的着应用派3.违1认雾定向絮切割挪帖边维爸3.彼2衣溜定向剃划片慕及定意位面跳的制固造刚冲课似程重滔点：扣本节冬介绍贼了常何规集霉成电阳路制背造中妻硅单饮晶体铃定向遭。粗降略的纽可根申据晶井体生衬长的件各向极异性倒定向获、根盟据晶烛体解落理的称各向勉异性蜡定向挠、根某据晶康体腐汪蚀的危各向返异性梯定向爽；较舱精确秆的可奏进行依光图欢定向筋；更蛇精确摩的可雷进行陕x爹光衍裂射定贤向。蒸本节躲主要疫介绍俗了常拘规集挡成电禁路制眠造中液最常背用的仆光图衰定向乒，根么据光庄图定奉向的早三个中必备袄条件攻，进袖行了嫩显示璃晶面漆解理宽坑的勇讨论予；晶挺面解哑理坑夜的结困构与润分布吐的讨目论；荣平行航光照月射晶艰面解弄理坑稀后，境得到购的反盏射光疗象与例晶体水晶向颈关系跪的讨肉论；城讨论皂了常陪见的忘光图辣定向驻仪；武并对饼光图捞定向膀的设剃备要钉求和斯光图艘定向玩步骤梁进行怜了讨展论。榨最后微，讨其论了密光图泡定向累在常痛规集回成电务路制私造中承两种叙常见辱的应生用，责定向扮切割持是在唱一定壤生长古晶向傲的硅嚼单晶卖棒上瞎切出喉所需愉晶面模的硅疲单晶刊片；耐而定鲁位面睁的制蜂造是途为了絮适应农器件和生产置中的餐定向剥划片虎，指惕出定线向划涌片可竖以获季得大堤量完拼整的痰管芯愧，定艰位面夹为定荒向划穷片提译供了款划片叮的参聋考平皱面。淡按课秃程难趟点：走为什贯么可傻根据籍晶体么生长嚷的各逗向异峰性、突晶体小解理号的各净向异瓶性、吸晶体逆腐蚀备的各贞向异访性进宽行定粗向，冈与晶校体结艇构的趴关系膏如何惩。在伴光图吹定向藏中，肺显示裁晶面及解理械坑采缴用了纤电化搁学腐匆蚀，围腐蚀爹前为夺什么贩要进耀行金滥刚砂纠研磨建？在炭电化扣学腐两蚀液剪中，重晶格秧畸变疮区和柳晶格横完整鲜区各话具有形不同擦的性县质，效进行百了什震么不晕同的挡化学巩反应盾，其锯反应越机理念是什肝么。鼠当在谎低指铲数晶式面的菌晶片膛上制与备晶友面解威理坑冲时，栏获得底的是纤以平索行该阔低指粮数晶饺面的恐面为惕底、逗以{仍11戴1}三面为画侧面告围成户的平箱底锥福坑，团此类锦结构宵的形晋成机留理及趣与晶号体结赴构的学关系醒。光逆图定描向中千光象呜与晶懂向之里间的辩一一股对应勺关系耕。考转虑定肝位面肢划片客时就转能减也少管贡芯的额碎裂阵的理朽论依他据。均粉亡冷线该垮棉址颠牲基脉本概芬念：肿速1竭光锈图定役向-宾用平所行光裤照射搭单晶貌体上初的晶杰面解计理坑园，根睁据反汇射光驼象判昨定、徐调正稿晶向环的方初法。慧眉局弄谋2炸晶面残解理营坑-阁以低咽指数坏晶面孙围成沫的、片与晶芳面（淹晶向救）有章一定秘对应订关系辈的晶某面腐蹲蚀坑罪。其进侧面艇为解安理面瞧。位迈睡熊静昌债秋啦羡机念糖庭稻铁优安3羊晶格廉畸变耽区-帝指晶德格有畜损伤芳的或唯不完死整的隔区域厕，该色区域见存在锯较大摔的晶挖格内拒应力哪，内丘能大佳。喜锻4脸晶格狱完整秧区-库指晶澡格结岩构完晨整或原完美何的区腔域，煮该区弟域晶喂格内辜应力克低，编内能点小。摩丸5碗反遮射光址象-仍用平松行光准照射峡晶面鄙解理德坑抬，晶钉面解久理坑孝某组早平面沸对光干的反扑射而宵得到疤的光捕图（笋光象狐）馅。铲橡换近篇厌饰姨丘6善定向浴切割桃-光逃图定灭向+岸垂直婚切割室。挠恳7第定灾向划战片-碌按规糕定沿补解理仍向进丙行划勒片形的方所法。兼疑基迎本要莲求：妖了解禾硅单撒晶体焦定向怠的目缴的、痒可采做用的馆方法无、定垃向原隐理。竖知道触几种妻粗略护定向仗方法酒的理凯论依甜据，糠较精缸确定市向方庆法间休的比年较。是清楚略光图劝定向脖的方刃法和逝原理伶，能吗通过唤合适照方法记得到搜晶面桐解理讯坑、贤能通签过一地定手麻段得彻到反价射光慧象、示能由捷反射殊光象谣与晶袖体晶叙向的济关系够分析静判定躺晶向忆、当翅晶向此有偏斥离时四能通唤过调塘整光逮图调辱正晶愿向。宝知道踢光图尤定向傲是如腐何在拣半导输体器听件制偿造中盲得到未应用杏的，婆知道证光图艳定向量在定扇向切株割中揉所起向的作决用、耗知道结光图塞定向稳如何眼参与滚定位磨面的哭制作唉和定阁位面践是如促何在静定向歼划片翁中起界到作何用的姐。持§泳1并.3广材丧硅衬较底制钢备工蹄艺简码介瓣爆吹侵验崖总鼠捷裹渐疲粮高狸生下紫破餐浇1学矛时萌颠课大程内驼容：狐1医祸硅验单晶尾的切版割灰1.途1歼令工番艺作乐用携朗阵汇蠢兴考酒1捧.2裁溜切轿割原绕理丑漠唉亡婆三泥竹阵1累.3管纷切好割设罚备茶倘瑞虏窑袍胖栗茫负1买.4潮串切罩割方音法斧1.们5骂孙切侦割要鬼求爽1.魄5.痰1松硅畜片厚援度袍1.艺5.溪2关硅沫片两献面平限行度咸1.苍5.携3式硅被片厚护度公公差浸疮扯葵梦鹊哲勇1活.6赞想行注意域事项附四凉钻炉公纺联2肝拐霞关研我磨工港艺脑全栽扩佳咐鸣葵贼2雪.1胳帐事研磨乱的作湾用翁柳丝刮授蝴洽厌响2糊.2抄贝乖研磨斧的方劈法徒幕2.劳2.肝1竖单触面研乖磨芽2.鲜2.厅2役双睬面研叛磨宵仗乌角却绍刷吐2麦.3虫聪拿研磨脾要求显处鸡枕鼓溪轻覆拥2钟.4苗撕评影响锁研磨执的因虏素悔2.秋4.辫1宁枣磨料台的影犯响尖2.云4.梦2块贵磨盘筐压力校的影叙响宏仓伐焰岂率党叮3燕正单食栽抛衣光工视艺倡礼皆咱坟值营舟饥3趟.1疑记板抛拉光的愤作用雷矿听逃伯吓屯检蜓3喜.2陷响隙抛缎光的君要求辉强棚等券目是基止3据.3刮肿铃亲抛光津的方欧法装懒3.摄3.趣1怎机械秧抛光卸工艺附3.胸3.见1外.1值方班法及纺原理碰3.脾3.缘1挎.2谊优僻缺点造3.刷3.售1墓.3黎适掉用范龟围汗3.撇3.螺2物顾化久学抛伍光工筝艺谢3.矩3.阿2弓.1益原浸理盖3.非3.狮2慎.2薄方少法挨3.严3.比2习.3世优缺爸点喜3.密3.逆2仰.4饶适用撒范围偿3.氏3.猪3元娇化丢学机全械抛盯光工闻艺元3.茄3.误3孟.1无方鸡法及刑原理淡3.苍3.掀3委.2轮化学心机械崖抛光辰种类朴3.无3.剂3仇.3暂抛贩光过雕程分邪析剂功课崇程重凤点：妹本节孕简单镰介绍凝了衬站底制蜓备中黑切片律、磨经片和映抛光药三个瓦工艺屯的基档本情副况。树关于妹硅单佩晶体梳的切逮割，译讨论朋了该桨工艺购的四悠个作担用：椒即决穗定了赞所切愿出的斥硅单猛晶片糖的晶谨向、破晶片收厚度多、晶叔片平海行度滑和晶窄片翘宏度；饥讨论略了切袜割原辩理：梦实际搅上是罪利用险了刀盈片上看的金践刚砂菊刀刃踏对硅叉单晶驴棒进杀行脆苦性磨补削，高由于殃切割喷刀片染的高羊速旋扣转和亡缓慢彩进刀畅，而挨使硅亡单晶缴棒变感成了重一片挪一片告的硅沾单晶撑片；洗介绍月了两称种切话割设南备，裁一种药是多言用于摄硅单警晶片胶的切聪割的期内圆忙切割茅机，疮另一取种是司用于祖定位盆面切润割的如外圆历切割纯机；讽最后林还给拉出了么硅单塔晶体涛的切接割的索要求遵和注失意事国项。诸关于筒硅单膝晶片热的研枣磨，仍讨论慨了该拖工艺化的四中个作屋用：境即去杰除切壤片造狼成的吓刀痕页、调遍节硅凭单晶冈片的愈厚度铲、提姓高硅念单晶屯片的边平行保度和圣改善旬硅单贝晶片袜的平侮整度掘；讨类论了若硅单刚晶片星研磨旷的方肥法，锦根据萝设备付的不剪同分商为硅恐单晶钓片的垮单面狮研磨锤和硅腊单晶得片的财双面鸦研磨联，其锦研磨颤机理膛是相城同的番；讨猫论了舞影响烂硅单泻晶片椒研磨援的因亚素，疗研磨董质量食主要蚀取决潮于磨塘料的印质量裕和磨稀盘压煮力的跃大小京。关猾于硅塌单晶属片的刷抛光瓶，讨桂论了奥该工型艺的拿作用糊，主附要是愤去除扇磨片拴造成闪的与咳磨料悉粒度侵相当蒸的损荐伤层西，以单获得投高洁灶净的瘦、无首损伤泄的、室平整菌光滑丛的硅淹单晶池片的港镜面脑表面愁；讨赚论了扯抛光递工艺互的三肠种抛极光方誉法，炮即机俭械抛玉光、城化学仇抛光凭和化净学机逼械抛歉光方怒法。墨机械觉抛光木是采唱用更葛细的巴磨料布在盖绣有抛塌光布六的磨枣盘上伟进行轻细磨牧，由况于其啄工艺储过程俘中无肠化学宾反应引，则御该工燥艺适乒用于辽化合籍物半码导体山晶片驰的表伸面抛顾光；瓦化学吹抛光抚是利娇用化司学腐述蚀的匙方法承对晶峡片表纹面进仙行抛仪光，块它对允待研站磨片顺平整沾度要挪求较男高，浆化学镰抛光惩可分池为液塔相抛饺光和浙气相凯抛光性两种欢抛光客方式肤，由提于该慧抛光状工艺单抛光景速度德快、斯效率领高，暴则该故工艺种更适们用于登高硬鲁度衬枝底表站面的音抛光姜（如她蓝宝催石、饱尖晶蹄石等约）；睛化学春机械月抛光争是硅若单晶溉片抛良光的休常用遭工艺捡，该件工艺慕综合降了碍机械框抛光舟、化戚学抛启光两窗种方抖法的寒各自概的优利点，束从方谱法上属看，钥是采涌用了盐机械吉抛光动设备祖而加推入了侍化学劣抛光擦剂，艘化机案抛光世的种捞类可冰分为证酸性易抛光妻液抛央光和塔碱性衣抛光过液抛交光两句种，顶酸性巾抛光演液抛悟光有热铬离尸子抛详光和门铜离愉子抛刻光两沫种方省式，茶碱性系抛光蜻液抛园光为掩二氧钱化硅爆抛光骑、也位分为丰胶体局二氧辜化硅罩抛光宜和悬置浮二预氧化串硅抛辜光两园种方酱式。敬悲课程琴难点亦：硅衫单晶笑切割况的方户法与岭原理窄；硅煌单晶独切割偏的要闹求和竹注意搜事项流。硅套单晶销片研辞磨的暂方法膨和原脆理；爪硅单吨晶片稻单面疯研磨使方式率和双预面研懒磨方羊式的是区别罚；注倚意磨饮料质撞量和愚磨盘川压力俭是如移何影蝇响研亩磨质夹量的辟。硅翻单晶铲片的龙三种尾抛光低方法货各自燥的抛腾光原挽理与准抛光禁工艺深；三寇种抛姨光方鼻法各阀自的爽应用山特点略和应头用范岂围。在基本即概念勉：令排1纽晶拖片的弟平行稿度-绿指某折晶片吉的厚冲度不抢均匀宗的菠状况道。困2影晶片格的厚犯度公葱差疲-晶奸片与溉晶片冷之间扔厚度宪的差誉别。扶3晶涛片的湿单面富研磨肢控-晶届片的尖单面胀研磨骆指将恳晶片索用石镇蜡粘工在压嗽块上挖，在蝇磨盘末上加网压对水空面琴进行懂研磨粥的方花法。议4恨晶片燃的双益面研隐磨吵–杀指将员晶片阳置于暑行星委托片痰中，魄在上住、下尊磨盘顿中加乌压进种行双包面研弱磨的真方法继。悦5桶机朵械抛幸光-庙采用艰极细德的磨虽料、故在盖叼有细隐密抛导光布饲的抛油光盘振上对煌衬底娱表面座进行别细磨脊的工后艺过菊程。旱6化厘学抛食光-愈利用赶化学剥腐蚀谅的方污法对叮衬底成表面庭进行各去损撒伤层套处理军的过惹程。害7挣化学服机械瓦抛光波-采牧用机浮械抛吧光设抬备、判加入掘化学最抛光辽剂对内衬底争表面俘损伤疤层进萍行处豪理的弊过程怪。位丸基测本要灵求：蓬熟知闻半导盯体集仰成电列路制王造对候衬底推片的寸要求译，了碑解衬虾底制索备工小艺是稼如何惯一步各步达款到以读上要秤求的术。清孕楚知因道晶两片切铃割工知艺的避方法缩与原添理，接了解霜晶片兵切割钱工艺哪过程携，知跃道晶昆片切棚割的狱工艺狂要求损和注挨意事退项。托清楚摊知道汁晶片参研磨出的工新艺方泪法和机工艺员原理肝，熟毕悉两森种研移磨方苏法，虑知道撤研磨烧工艺灾达到那的目佣的和险要求询，能船分析恶影响也研磨幼质量搞的各优种因际素。之清楚竭知道寇晶片塌抛光粪的各往种工湿艺方贺法和已工艺冻原理轨，能大根据歼不同法的待燃抛光宇衬底皇的实融际状耗况选饺择合失适的类抛光弄方式拌，合细适的彼抛光信方法萝。俯第一复章衬书底材芝料及蔬衬底诸制备赵作业煎登液啊乘淡思钳考题稼3题食+习绍题3餐题夕联第症二章眉：鱼怕外悔延工冲艺原振理势围避姜蛾夕生馆鬼消归援我般颤垫克篇势孔掉据（8忽学时朴）箩§互2.陷1和县缎明外延痰技术割概述退扇键加岭虫吓侍慰康哀罪园瞒锯康齐斩航勿港向途峰婶逝俯1沫.5卷学时银肤课咱程内薪容：兔1默俱瘦外延萍分类笋黎衔料技映但1巨.1仆化吉由外剧延材虫料的柿名称期不同赴分类城得股类技继私1到.2日叠拔由嗽外延远层材败料与端衬底侮材料含相同乔否分蹦类锈1.两2.抖1械同仗质外愈延垃1.移2.勇2怪枕异质观外延增仓虎棍萄叨绿1就.3浓蚕占由标器件趴作在叔外延葛层上盛还是匆衬底弦上分婶类译1.类3.可1弃锹正外腊延恩1.贩3.暑2木毫负外菜延（切反外瘦延）圣帆柏碎除抵帜1余.4摧色驻膨由外延延生锻长状岛态分档类腹1.铃4.钓1蹈液相衫外延谣1.单4.赶2肾虹气相闸外延声1.杂4.煮3乌衔分子棉束外拔延挽键昨组嘴渗遭1悟.5截裁秘侦由外徐延生越长机税构分衣类崇1.敢5.姐1毛直接武外延换1.翅5.捏2喇间接闯外延眉2纺客芒外延勤技术配简介斩2.构1亩竞径定义兽2.凝1.游1惯秧外延掌技术贯2.物1.燕2致罢外延结层嚼2.贸2宗码亡外泊延新戒技术慕2.艺2.景1日迅低温弓外延雁2.殊2.阵2贼边变温棚外延难2.孟2.姿3芬扁分步阶外延警2.毅2.丽4城分子减束外需延拆3这过德形集成灵电路夸制造酷中常居见的坑外延罢工艺颂3.寻1裳脚筋硅外婶延工先艺糖3.遥1.伞1闭典工型外泊延装霉置片3.芬1.葡2贺硅外朝延可竿进行祥的化速学反催应胸3.辫2忍雕碎砷选化镓赔外延设工艺鞋3.特2.续1龙护气相榨外延悦工艺居3.翼2.绑2忘等液相恒外延蠢工艺终歉课番程重并点：蹲本节栗介绍暑了什魂么是纽外延肥？外摇延技爬术解粗决了副哪些堆器件袜制造落中的琴难题狱。介摔绍了距外延口技术疲的分焦类，违由外音延材池料的肿不同馆可分源为硅稠外延盈、砷鸭化镓秃外延为等等饺；由谊外延泪层与赶衬底皂材料妨相同慢否可韵分为讲同质驳外延件和异捎质外晶延；及由在耳外延枣层上远还是绝在衬驼底上作制造钞器件草可分秒为正础外延泰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原子笨〈双锹层原灭子面乓-不怠可分炼割〉斜厚度妄的）顿晶核爸→阁随其江它硅硬原子地在晶唯核上剧加接险、晶穷核扩涨大苹→度形成壶若干卷分立桃（非垂对称桃六棱权形的藏）结御晶体百→胳随其弱它硅纽原子盒在结搁晶体偏上加卸接、浑结晶垄体扩矿大口→吃若干巾分立石的结际晶体娘连成秆一片眠→弦形成惩一层像（具催有原戒子厚坑度的听）新钩单晶拳层耕→械再在塞新单睡晶层猛形成其若干哨分立标的（装具有禁原子乓厚度鸽的）匠晶核适→挠再晶产核扩感大险→…趁→巧形成公一定吗厚度劝的外缸延新亏单晶笛层；帆基于盗上述叫外延侮生长争的结锤晶学顺过程搞本节糕就为衡什么前首先远形成结晶核暮、形石成的扣晶核茶为什竟么是蓝分立晌的、至形成慰晶核舰的理醒论、跃如何底由晶西核形霜成侵结晶扁体、屑结晶组体申形成完受到呆的结能晶学热上的库限制党、为子什么拦在{饮11研1}打面上丢的捐结晶鞋体是漠非对勾称六昼棱形营的等痕等需结晶号学问口题和变原理泽进行容了讨葛论。握本节煌还对禽厌外延括系统斤及外掩延生森长速脉率进筛行了扬介绍展和讨曲论。削关于葱外延推生长吃系统凯，对见典型席的卧贴式外创延生匹长反智应器桨系统繁进行笛了形奴态讨榆论，蛙指出丑外延喂生长吵反应承系统节是一喷个流亿体系刷统、装介绍闪了流暂体的办两个寺性质膜、给献出了米流体排的两荐种流止动形趣态、锄流体荒形态批判据撇和判欢定、谣以及械对实港际外怒延系肝统中曲的流是体形裕态进胸行了添讨论蹈，在搞本部童分讨裳论中筑涉及胸了部瞒分流牌体力吩学的误内容基。为尸了更盒好的凉讨论安外延体生长禁速率桃，本野节还参给出喂了附确面层汉的概财念，翼由于缺流体疾的粘欣滞性旁而导虏致外枪延基情座上匠方的浩流体俊流速侨存在察变速纺的区倾域，酒由此两引入钉了速工度附己面层枯的概湾念，陆同时省给出瘦了速摔度附促面层毯的厚夏度表斑达式府；由看于速杠度附揭面层极的存细在，辛导致讲外延术基座别上方绝的极吐小区编域内太存在奶反应扩剂浓杂度的鸣变化京，由诉此引寻入了收质量床附面析层的无概念声，同片时给愿出了栽质量犁附面罢层的滥厚度痰表达鞠式。描在外笔延生俭长速加率的陵讨论广中，聪建立线了外茶延生这长模些型、蚁由模办型讨奔论得兔到了侵外延颂生长汁速率唱的表炭达式惭、对占外延穴生长馅速率键的表障达式拾进行苏了极倦限分阀析；洞讨论聚了影徒响外璃延生供长速俊率的拿温度蛛因素砍、反头应剂棒浓度凳因素迎、混贪合气扒体流殿量因西素、罚以及回在外字延生辰长系成统中筒，衬亮底片韵位置文量的式变化共外延摔生长死速率矛的影猛响；侧为了脚改善读外延视生长念前后军不均羡匀的室现象菊，本感节给盯出了养两个工工艺阅措施权。罚课理程难双点：烦首先洗要对萌外延秃生长刑过程唤有一劝个整津体的牌概念女。在住{1执11杏}面臂上进煌行四虏氯化从硅的蹄氢气不还原拿外延挎生长这的化师学反他应原禽理，浮其反旁应过严程、风反应晕中的咽状态戴、反傍应中俘的步谨骤、旁化学铲反应珍的正外反应键和副斥反应泰（包维含逆众反应抛）。倚四氯坟化硅棒的氢党气还驳原外衰延生凡长的临结晶修学原骆理，院其外庄延生炕长的萍结晶折过程贴、结舌晶学兰的成恭核理汤论（咱结晶粒学理荣论和裁共价贷键理容论）域、晶藏核扩便展理地论、土结晶湿体的坦形成段、结将晶体睛扩展过理论受、以年及外决延层谁的厚殃度长结成和霉平坦桑扩展毕理论佩。实幼际卧史式外爬延反扮应系盏统的毙分析卸，为笼流体存系统他、具摧有流澡体的厚两个傅特性球、流精体的引两种奖流动苏形态拢、流葱体流稍形的迟判据感和判例定、谊实际争外延难系统阶的流歇体流祖形。掀外延思生长耳系统修中两诸个附织面层问的定庭义、示表达准式及饭对外幸延生旬长的爆指导逮意义腊。外昌延模奔型的诸建立绍、理俭解和咏分析俱；外鬼延模笑型对渗推导稀外延闹生长叨速率宽的指扬导意翼义；要应用近外延嫌生长旋速率汽简化旨表达元式的晃极限选条件已分析破；影熔响外辛延生限长速氏率的绢各种搂因素屠讨论渡及分喘析。伸基本止概念烂：全贸1棉外厚延生偏长过梅程-希外延摔化学混反应鸣过程兔与外巩延结摇晶过残程的扫连续咱、不犬断、亚重复最进行班的全成过程秆。怖枝2糟歧化夸特性披-指祥一种摸物质炼在同他一个丸反应挑中既室起氧播化剂征的作狸用又铁起还券原剂蚕作用济的性仁质。正绿3缴歧暑化反康应-雁符合取歧化感特性爆的化婆学反顿应。验环4庭表面液吸附骗-指询固体欲表面芳对气车相物犯质的观吸引婆、固串定。铺脏5烤流跑体的套粘滞庄性-笋当流迅体饶陷流固捉体表劝面时钞，由抹于分终子（北原子被）间峡的作振用力泻（吸鸟引力脊），祸使原拌来等奇速流绸进的征流体葛在固僵体表桐面上塑方出储现非左等速辅流进恨的的穷现象捏，称鸟为粘荐滞现哑象；核流体垂的这晓种性允质称攻为粘妥滞性征。复织6膝流体塞的连壮续性妥-指箭流体妖是由遥无数蝇连续笔运动尿的微洲团构怒成，华在自醉然界晃无间海断点前的性看质。律洒7潮流体敢的紊捏流态同-指蕉流体梅中连桶续运德动的棕微团鸭运动妻处于服杂乱志无章吨的状久态，址也称护湍流幕态。歉戒8搅流体猪的层旺流态部-指纽流体坐中连撒续运夸动的坝微团温运动职有序干，形转成彼材此互牧不干排扰的成流线睛（流卫层）数的状亲态。靠驴9猫速度喘附面秘层-加由于体流体嗓的粘大滞作绕用，哗而使臣外延册平板晒基座蠢上方伟流体搬流速耗分布睡受到雨干扰驰的区僵域。嘴由于魄该区驻域中旗的流询体流梳速滞筝慢于国层外那，也芽称为浙滞流饺层。姿房1枪0质违量附值面层盟-外雄延平插板基劈座上双方、激速度价附面沃层内闸，反宿应剂晋浓度酒（质宜量）夕有较钢大变摧化的抗区域侵。那猪1奔1反女应剂轰的气盖相质谢量转卡移系黎数-考单位常时间寸内，宴由气收相到脑达单拖位面努积表毒面的歉反应虎剂粒桨子数混。雅右1押2楚自掺遣杂效车应甜——毯指在缎外延固过程磨中，俗气氛仗对衬博底表驶面的岛腐蚀址而使虽主气害流中搏杂质行浓度袭起变叫化，臭从而半造成加前、鼻后硅鲁片的卖掺杂没浓度牌不同开的现盲象。殊巾基休本要睛求：糊熟知练外延深生长针过程煌的定被义，搏知道纺外延袖生长犬过程汪是由挺外延梢化学任反应杰过程览与外消延结激晶过歇程的挠连续罢、不是断、贺重复吨进行姨构成越的。惊知道界在{茶11穿1}总面上价进行沟四氯铁化硅惊的氢坛气还呀原外垃延生温长的窑化学困反应箩原理储，其紫反应言过程拢、反园应中忧的状合态、乒反应刮中的托步骤兆、化挣学反蚂应的悠正反剖应和翻副反耻应（减包含详逆反立应）还；知罚道化惩学反骆应的绩副反慢应（带包含逃逆反爹应）开对外汉延生仅长的舅不利兄影响讲，以阴及是来如何有影响侮的；朵清楚恭为什萌么该历外延斩生长斜的化月学反说应不戏能一敏步进鄙行，妻而两滴步进喇行的匠可能及性更勺大；臂清楚将最可巷能的渠第二歪步反梁应是絮歧化郊反应省，歧触化反科应是犬如何需定义咐的；碑清楚锻的知展道外折延生丽长的吩化学竿反应稍步骤帅，知坛道每授一步誓的具钉体内映容；诞清楚捡副产旗物不金能及奴时排民出系柔统对它外延引带来创得弊胁端。傲知道寨四氯差化硅伐的氢喘气还但原外村延生皮长的薪结晶转学原搭理，饺了解凑其外奖延生圾长的扣结晶退过程倦，是胞如何慕由化缘学反耕应得确到的颗高能胳、游械离态窑硅原作子通中过加苹接而址形成菌一层汗外延鞋层完宿美表侄面的债，而咐一定袭厚度偶的外眠延层绵是如集何获位得的刺；知驰道结胳晶学匠的成例核理虫论，愈从结拐晶学惭理论昌是如杰何根捕据原环子团至半径疯来决泉定成雕核条焰件的路、从裂共价乘键理训论又您是如岩何表涝明单俩原子余直接持加接谱和双兵原子免同时宇加接在不能兰形成幻稳定帆晶核异的，减而形他成稳截定晶扣核至然少需跑要三殿个或纸三个炉以上督的原矮子同跑时加站接；篮清楚鉴晶核橡扩展横理论图，知炎道为味什么馋在晶碰核上耍单原引子直凡接加曲接和垦双原住子同烛时加餐接均米能形云成稳拣定的光加接影，而常使晶善核得粘到扩篮展；狠知道轧结晶兴体的庭形成箭、结垃晶体荐扩展失理论锁，清派楚为愧什么讨由于沃原子叹在晶皆核上丧加接掘、沿喷六个粒[1蒸10帽]向纸和六燃个[俗11蝇2]湖向扩进展的串结果猎是形椒成六法棱结雄晶体心，而浩且该怎六棱禽结晶后体还娇是非佣对称跌的；睡知道聪外延蓬层的呆平坦屿扩展塑理论也和厚材度长顽成理愚论，着即知讯道为俱什么遇不会胳在没才长平满的外旺延层龙表面扭上形巩成新顶的晶午核，袍知道敬外延穗生长寸结晶阻过程坦重复中不断找进行姑即可谨获得呼所要悄求厚驻度的环外延罩层。塌知道嚷外延户生长苹的动起力学越原理荐，即米由此董进行以外延踪系统鹅分析勤和外往延模壁型的后建立优、分洁析，斧从而名得到地外延寸生长韵速率石表达耕式。成关于唐外延宅系统良分析郊，知蒜道为哥什么筑实际敢外延麻生长心系统周是一冶个流填体系诞统，窜流体誉具有鞭的粘煌滞性欣和连锯续性危的具搏体含借义及阴对外蛋延过奖程的王指导芝意义座；知索道流忆体可挣能存秩在的屈两种江流动宋形态禾，清揭楚哪嘱一种杯流动萍形态车是外村延工晓艺所凯希望榜的，乏而实炒际外张延系骑统中唇的流蕉动形疯态是庆怎样络的；蛮关于品外延斧系统会中的傅附面蜡层概逃念，逼知道膛为什烫么要密引入奸速度滥附面释层概尖念，扇速度框附面嫂层是慈如何允定义痕的，描速度犯附面荷层的舞厚度直表达凳式；恋知道屈为什院么要铜引入妇质量筑附面抱层概亿念，驼质量密附面虎层是锅如何村定义密的，斑为什摔么说副是质慧量附裕面层径是由妻于速精度附州面层当的存窄在而偶出现臂的，简质量滋附面蔽层的夺厚度疯表达徒式，乔为什作么说眉是质置量附味面层爽厚度化是速这度附企面层归厚度瑞的函领数。狮关于债外延凤模型候的建亮立、么分析符和外指延生踏长速鸟率，新能够赠根据织实际功外延漠生长携系统罢建立刘可用贸的外峰延生帅长模拔型，缓其中链有可贫分析组的外患延层宾次关泛系，松能够挤通过粪分析伤讨论挽得到猎外延倾生长强速率怎表达弓式；妹清楚断在什监么极蜜限条与件下巧可采歉用不纵同的击简化鸣外延其生长倚速率笑表达静式；么知道忌影响步外延更生长煤速率民的各洞种工项艺因柏素，仍以及满它们汉是如稻何对截外延添生长在速率但造成关影响壳的；暑对外录延生倚长的舍前后垒不均兄匀性常，能段够采僻取适屿当工动艺措苦施克豆服之费。健§兼2.斑3蛮服碰闲麻外延待辅助扬工艺侮迟雷只徒划跪信照属境辱鄙联剧魂嗓锄者轰豆匹绵虹恰萌眼1然学时悲利课程捧内容折：燕1恶分硬氯化凶氢抛燥光工坦艺迫抛光柔目的斥氯化压氢抛纽光工嘱艺洁1.研2.氧1南氯化扑氢抛珠光方聪法属1.厘2.夕2差氯速化氢裤抛光尼步骤吗1.怠3累俱血腐蚀检反应潜和腐报蚀速夕率顽1.总3.偿1舒腐初蚀反恐应遣1.初3.庸2额有关握腐蚀芒速率扮1.钳4舟获防讨论沿1.直4.墨1竟腐桐蚀速联率与闻氯化单氢气畏体分域压有悉关添1.硬4.优2缸腐定蚀速忽率与乳温度贸关系吸不明位显犬1.廉4.撑3禾在喘一定阅温度筐下，颜应用全氯化言氢气姥体分筛压有笛最大窃值限工制杨1.振4.激4励有疮关其斗它抛淡光工叮艺骨2摧壳艇外延狡掺杂袋工艺死2.衔1映奥山掺杂白工艺森原理名2.钱1.掘1团外延揭掺杂宜是与俗外延潜同时逗进行颈的离2.经1.谈2纲掺杂昆动力倾学原妈理乱2.火2毫忌籍外延纳层中终的掺绪杂浓屋度盼2.邻3暑险匹掺杂品方法叉2.另3.伍1者液腰相掺肌杂板2.民3.祖2居气扰相掺艇杂棉祸课月程重妈点：贫本节逮介绍望了外畏延辅枪助工疲艺，世包括绪外延鲜生长牵前的宾对衬侧底表健面常养用的蚊氯化缩氢抛抽光工态艺和动为了精保证拉外延树层所衔要求暖的电洒性能奖而进馒行的小外延紧掺杂散工艺积。关剃于氯膨化氢魂抛光蚊工艺劫，主升要介跳绍了卫对衬冶底表胸面进宫行抛归光处戒理的疫必要护性以正及抛态光达输到的装目的塔；重郊点讨汪论了厅工艺六，其瞧中涉澡及了葬氯化虏氢抛具光的裳方法爽和氯忌化氢川抛光陪的工充艺步桌骤；职对氯输化氢盼抛光揪的腐叨蚀反淋应和浅腐蚀篇速率欣进行挖了较眯详细涝的分辞析；龄最后摸，对悬氯化滔氢抛棕光的沃腐蚀圈速率捡与各恨种因是素的票关系鹅进行篇了讨绩论；探还强套调指磁出氯叛化氢摔抛光肌工艺写是一熔种气阴相化捡学抛脖光，除除了教氯化嚷氢气哨氛外逐，其柱它如堵溴哥化氢责、碘孕化氢铅、三宏氯乙抖烯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