FT-LCD-工艺制程简介

2009年04月21日TFT-LCD工艺制程简介周刚6/8/20231周刚09-4-19编写Contents2.

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3.

ArrayprocessModuleProcessCellProcess

2编辑pptTFTLCD

客户导向，团结协作

DeptEveryProcessisimportant

天马显示屏无处不在

精益生产，精益管理

Teamwork3编辑pptTFT-LCDCOGRecipeOICSTKODFADI

TFT-LCDENGLISH4编辑ppt一：ArrayProcess

ARRAY生产计划PHOTOWETCVDPVDDRY

Organization5编辑ppt

ArrayLayout6编辑pptTFTARRAYPROCESSCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitora-SiTFTTFTStructure7编辑pptDepositandpatterngatemetalFunctions:GateofTFTSelectlinesBottomelectrodeofstoragecapacitorMetaloptions:Ti/Al/TiAl/MoCrMoCC'Cross-sectionCC’a-SiTFTarrayprocess–step18编辑ppta-SiTFTarrayprocess–step2DepositionofSiN/a-Si/n+byPECVD,patterningofa-SiSiNisgatedielectricandstoragecapacitordielectricSelectiveetchofa-SiSiNisnotetchedCC'SiNa-Si/n+9编辑ppta-SiTFTarrayprocess–step3Depositionandpatterningofsource/drainmetalFunctions:SourceanddrainmetalDatalinemetalMetaloptionsTi/Al/TiorTi/AlCrMoorMo/AlBacketchofn+a-SifromchannelareaCC'10编辑ppta-SiTFTarrayprocess–step4DepositionandpatterningofpassivationSiNbyPECVDFunction:PassivateTFTCC'11编辑ppta-SiTFTarrayprocess–step5DepositionandpatterningofITOFunction:PixelelectrodeTopelectrodeofstoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitorCC'ITOpixelelectrodeCross-sectionC-C’SelectlineDatalineStoragecapacitora-SiTFT12编辑pptTFTARRAYPROCESS___PVD/CVDUsedforITO(IndiumTinOxidetransparentconductor)andformetals(Al,Mo,Cr,etc.)13编辑pptDCSputterdepositionSchematicdiagramofDCpoweredsputterdepositionequipment(glowdischarge)ground-V(DC)VacuumCathodeshield~-100-1000VPVD原理14编辑pptACLSLoadlockT/CP/CP/CP/CP/CP/CAKT-5500PECVD(即等离子体增强化学气相沉积)工作原理:采用等离子辅助对化合物进行催化分解目的:利用等离子体辅助活化反应气体,降低反应温度,改善薄膜质量15编辑pptPECVD原理LayerFeedgasMaterialTempFunction3LayerSiH4,N2,NH3A-SiNx320~350℃GateinsulatorSiH4,H2a-SiSemiconductorSiH4,PH3,H2n+a-SiContactlayeratsourceanddrain1LayerSiH4,N2,NH3A-SiNx270~290℃passivation温度气体流量比(Si:H,N:H,Si:N)RFPressureSpacing(上下电极间距)影响成膜工艺的主要参数16编辑ppt周刚09-4-19编写

M/AEUVMAINT

EXT/COL4U/CU/CU/CU/C

C/SSCRHP3HP3HP1HP3HP1COL1COL1

M/ADPDEVELOPEREXTPSPSEXT

M/AHP2HP2I/FBUFCOL3TITLER/EE

EXTEXTHP2COL2EXTPSPSPSPSOUTINOUTINOUT30600mm6000mmHeight:2450mm5585mmTFTARRAYPROCESS___PHOTOSLITCOATEREXPOSURECANONMPA6000

JUMP17编辑pptstageNozzleSlitCoater&DPDP18编辑ppt照明光学系统掩膜板台基板台投影光学系统掩膜板交换装置操作用电脑缓冲装置MPA6000Exposureunit19编辑pptArrayCFTP&OLMarkOLTP20编辑pptTFTARRAYPROCESS___WETStripperWetetcher21编辑pptTFTARRAYPROCESS___DRYCassettestationL/LT/CP/CP/CP/CP/C22编辑pptDET原理利用Plasma将反应气体解离，ion轰击与radicals反应将Film移除，真空下进行RIE：指的是Reactiveionetching，即反应离子刻蚀23编辑pptＥＰＤｆｏｒＤｒｙＥｔｃｈｉｎｇ１．目的ＤｒｙＥｔｃｈｉｎｇ

蚀刻终点检测。

ＥｎｄＰｏｉｎｔＤｅｔｅｃｔｏｒ２．原理

利用从蚀刻中开始到结束为止特定的波长的光强度的变化，检测出蚀刻的最合适的终点。plasma13.56MHz検出器ＥＰＤOpticalfiber24编辑pptArrayTester将TFTArrayPanel进行测试，如果有短路（SHORT),或是短路(OPEN),就将坐标点记录下来，传给LaserRepair（激光修复机）修复之25编辑ppt1.测量元件导通电流,ION2.测量元件截止电流,IOFF3.测量切入(CUTIN)电压VT4.测量电压电流曲线TVCURVE电压V电流I切入電壓IOFFIONTEG26编辑ppt6/8/2023TAKEABREAKQUESTIONANDANSWER27编辑pptCF/ColorFilterLCSealantSpacerinSealSealwhitAUBallSpacerPITFTGlassPolarizerPanel制做完成！周刚09-4-19编写二：CellProcess28编辑pptPI前清洗CFTFTPI涂布预烤固烤配向PILineRubbingLineRubbing后清洗UV照射框胶点胶SealOven液晶滴下CFTFTODFLine衬垫料贴合一次切割（自动）二次切割（手动）CleanerPOLAttachCELLCFTFTTrimmerCELL工艺流程29编辑pptScraperTypeDoctorRollDispenserAPR版APR:AsahiPhotosensitiveResinPICoater30编辑pptProcessPICoater要求特性31编辑pptRubbing32编辑pptRubbing动作摩擦轮平台玻璃Process33编辑pptSpacerSprayShortDispenserSealDispenserLCDispenserUVCURE

CF上基板TFT下基板AssemblyProcessODF制成34编辑ppt

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ProcessScriber35编辑pptZeroleveldetect工作台运动方向及速度切割过程.5.6.Process36编辑pptProcessE-C-P37编辑pptLengthGrindingWidthGrindingInOutEdgeGrind(Skip)Process38编辑pptCleaner39编辑pptProcessPOLAttach40编辑ppt侧面动